Прикладная физика, 2016, № 6 МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ УДК 621.383:621.315.5 Исследование кривизны поверхности гетероэпитаксиальных структур InP/InGaAs, Al2O3/AlxGa1-xN Ю. П. Шаронов, Э. А. Макарова, М. В. Седнев, М. А. Ладугин, И. В. Яроцкая В работе представлены результаты исследований кривизны поверхности пластин с гетероэпитаксиальными структурами (ГЭС) AlGaN и InGaAs, выращенными методами МОС гидридной и молекулярно-лучевой эпитаксии, а также матриц фотоприемников, изготовленных на основе выше обозначенных ГЭС. <...> Показано, что в процессе роста функциональных слоев пластины изгибаются. <...> Так пластины с функциональными слоями InGaAs на подложке InP имеют вогнутый вид. <...> Тогда как пластины с функциональными слоями AlGaN на сапфировой подложке имеют выпуклый вид со стороны ГЭС. <...> В процессах роста функциональных слоев AlхGa1-х N на сапфировой подложке возникают растягивающие напряжения. <...> Для процессов роста функциональных слоев InхGa1-хAs на подложке из фосфида индия характерны растягивающие напряжения. <...> Величина прогиба пластин зависит как от способа выращивания, так и от толщин функциональных слоев ГЭС. <...> Величина прогиба структур диаметром 52 мм в зависимости от способа выращивания и толщин слоев лежит в пределах 7—60 мкм. <...> Измерения профиля кривизны изготовленных матричных фоточувствительных элементов на основе InGaAs и AlGaN формата 320 256 с шагом 30 мкм показали, что величина прогиба на матрицах hl не превышает 1,0 2,5 мкм. <...> Величина прогиба на матрицах определяется исходной кривизной поверхности пластин. <...> Введение Актуальной задачей является создание матричных фотоприемных устройств (МФПУ) мегапиксельного формата ультрафиолетового и ближнего инфракрасного диапазонов спектра на эпитаксиальных слоях AlхGa1-хN на сапфировой подложке и InхGa1-хAs на подложке из фосфида индия [1—9]. <...> E-mail: bereg@niipolyus.ru Статья поступила в редакцию 5 октября 2016 г. © Шаронов Ю. П., Макарова Э. А., Седнев М. В., Ладугин М. А., Яроцкая И. В., 2016 Шаронов Юрий Павлович, ведущий инженер-технолог1. <...> 83 При выращивании <...>