Естественные и технические науки, № 11, 2016 Сагателян Г.Р., доктор технических наук, профессор Горбачева Д.С. <...> Н.Э. Баумана) РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ПОКРЫТИЯ ДЛЯ МАГНЕТРОНА С КОЛЬЦЕВЫМ ИСПАРИТЕЛЕМ В статье предложена математическая модель расчета распределения скорости напыления в магнетронной установке с кольцевым испарителем. <...> Рассмотрен случай, когда мишень и подложка неподвижны и соосны. <...> CALCULATING OF THE RATE DEPOSITION IN A MAGNETRON WITH RING-GEOMETRY SPUTTER In this article offered the mathematical model for calculating of the rate deposition in a magnetron with ring-geometry sputter. <...> The sputtering target and the substrate with film growth are fixing and coaxial. <...> Keywords: magnetron sputtering deposition, ring-geometry sputter target, rate of film growth. <...> Магнетронное напыление является одним из наиболее распространенных методов нанесения тонкопленочных покрытий. <...> К достоинствам этого метода относятся удобство применения и высокое качество пленки [1]. <...> Сложностью процесса является создание равномерных по толщине покрытий [2]. <...> Несмотря на важность обеспечения этого свойства, теоретическая сторона вопроса проработана слабо. <...> Следовательно, возникает необходимость расчета распределения толщины пленки по площади подложки. <...> Согласно [3] будем считать, что в произвольной точке A (α, l) подложки скорость роста толщины покрытия ξ (α, l) определяется как 12 2 , cos cos , lk k где 1 [мкм·мм2/частицу]; 2 1 (1) ла и стехиометрических свойств формируемого покрытия, [частиц/с] ( 1k и 2 k – коэффициент пропорциональности, зависящий от режима напыления, k – коэффициент, зависящий от размеров частиц напыляемого материаk определяются экспериментально); ρ – расстояние от точки A (α, l) на поверхности подложки, до точки на распыляемой поверхности мишени, [мм]; φ –угол направленности [3]; ε –конденсации [3]. <...> Предлагаемая методика расчета скорости роста толщины покрытия в точке A (α, l) поясняется схемой, представленной на рис. <...> Расчетная схема модели процесса магнетронного напыления Мишень (центр в т. <...> O ' ) являются соосными, расстояние между ними равно H . <...> Распыление атомов происходит <...>