М АШИНО СТРОИТЕЛЬ www.mashizdat.ru УДК 621.397 Вьюгинов В.Н., канд. физ.-мат. наук, доцент, директор ЗАО «Светлана-Электронприбор» Волков В.В., начальник отдела ЗАО «Светлана-Электронприбор» Гудков А.Г., д-р техн. наук, профессор МГТУ им. <...> Н.Э. Баумана Зыбин А.А., начальник лаборатории ЗАО «Светлана-Электронприбор» Попов В.В., канд. техн. наук, генеральный директор ОАО «Светлана» ПРОГНОЗИРОВАНИЕ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ ИС СВЧ НА ЭТАПАХ РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА Часть 46. <...> Транзисторы GaN с длиной затвора 0,5 мкм и периферией 500 мкм и 1500 мкм Описана конструкция и технология изготовления транзисторов GaN с длиной затвора 0,5мм и периферией 500 мкм и 1500 мкм. <...> Представлены результаты измерения S-параметров и произведены сравнения с транзисторами TGF2023-01 фирмы TriQuint Semiconductor. <...> GaN transistors with gate length 0,5 µm, periphery 500 µm and 1500 µm Vuginov V.N., Candidate of physico-mathematical science, docent, director of Electronpribor» Volkov V.V., head of a department of CJSC «Svetlana-Electronpribor» Gudkov A.G., Grand Ph.D., professor of MSTU n.a. <...> Bauman Zybin A.A., head of a laboratory of CJSC «Svetlana-Electronpribor» Popov V.V., director general of «Svetlana» jsc. <...> Design and fabrication method of GaN transistors with gate length 0,5 µm, periphery 500 µm and 1500 µm are demonstrated. <...> Comparison with TGF2023-01 transistors (firm TriQuint Semiconductor) is realized. <...> Транзисторы на основе нитрида галлия в силу более широкой величины запрещенной зоны обладают рядом существенных преимуществ перед транзисторами на основе арсенида галлия. <...> К числу таких преимуществ относятся: высокая удельная мощность, электрическая прочность, радиационная стойкость и возможность работы в экстремальных температурных условиях. <...> В то же время, технология изготовления нитрид галлиевых транзисторов более сложная, чем у арсенидгаллиевых транзисторов. <...> В ОАО «Светлана» технология транзисторов на основе нитрида галлия <...>