М АШИНО СТРОИТЕЛЬ www.mashizdat.ru УДК 621.382 Гудков А.Г.1, д-р техн. наук; Кирилов А.В. <...> ПРОГНОЗИРОВАНИЕ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ ГИС И МИС СВЧ НА ЭТАПАХ РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА Часть 23. <...> Устройства защиты приемного СВЧ тракта Представлены результаты разработки методики расчета параметров многодиодных p-i-n структур. <...> С использованием матричного метода определена связь между параметрами p-i-n диодной структуры и характеристиками СВЧ сигнала. <...> Осуществлен анализ тепловых процессов, протекающих в кремниевой пластине. <...> Описание конструкции и технологии изготовления p-i-n диодных матриц. <...> Устройство защиты (ЗУ) высочувствительного малошумящего приемника радиоэлектронной системы от мощного импульса является важнейшим элементом СВЧ тракта. <...> Основным элементом ЗУ является электронный прибор, который в зависимости от мощности СВЧ сигнала, поступающего на него, находится либо в проводящем, либо в закрытом состоянии. <...> Практика разработки и эксплуатации РЛС миллиметрового диапазона длин волн показала, что одним из перспективных направлений создания активных элементов ЗУ является применение p-i-n диодных матриц, созданных на кремниевой подложке 40 (пластине) в интегральном исполнении [1, 2]. <...> Такая конструкция позволяет в волноводном тракте миллиметрового диапазона длин волн, имеющего незначительные поперечные размеры, разместить большое количество диодов и, тем самым, повысить мощность СВЧ сигнала, которая не пропускается на вход приемника. <...> Поэтому исследования и разработки, направленные на создание таких многодиодных структур, являются актуальными. <...> Кремниевая пластина, являющаяся носителем многодиодной структуры, в процессе работы нагревается. <...> В результате многолетней практики эксплуатации микросхем на кремниевой подложке установлена максимальная рабочая температура Т = 170
180 °С. <...> Обобщенной методики расчета многодиодных матриц не существует, хотя во многих публикациях имеются сведения о расчете отдельных элементов <...>