Д. К. Кострин «Исследование спектрального метода контроля толщины полупроводниковых и диэлектрических пленок» 5. <...> Исследование профиля наплыва при вдавливании конического индентора в плоскую поверхность упругопластического тела // Современные проблемы науки и образования. <...> Деформированное состояние поверхности вокруг отпечатка конического индентора: результаты экспериментального исследования // Вестник ЧГАА. <...> 030-034 Д. К. Кострин, канд. техн. наук (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») E-mail: dkKostrin@mail.ru ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРАЛЬНОГО МЕТОДА КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК Рассмотрены основы метода спектральной интерферометрии, позволяющего проводить контроль толщины полупроводниковых и диэлектрических пленок. <...> Показана необходимость математической обработки спектральных данных для получения достоверных результатов. <...> Проведено определение толщины нескольких образцов пленок карбида кремния на кремниевой подложке. <...> Толщина, оптические и электрические свойства пленок существенно зависят от параметров установки магнетронного распыления, в особенности 30 давления рабочего газа в технологической камере, пространственной и временной стабильности работы мишени, а также температуры подложки [1]. <...> Д. К. Кострин «Исследование спектрального метода контроля толщины полупроводниковых и диэлектрических пленок» При отсутствии контроля параметров пленки в процессе осаждения возникает необходимость послеоперационной проверки ее оптических и электрических характеристик. <...> Для полупроводниковых и диэлектрических пленок значительный интерес представляют их толщина и показатель преломления. <...> При спектрометрических измерениях параметров пленок по спектрам отражения или пропускания такое ограничение отсутствует, что позволяет контролировать структуры пленка– подложка даже при сильной шероховатости последней. <...> Метод спектральной интерферометрии состоит в том, что на пленку направляют лучистый <...>