М АШИНО СТРОИТЕЛЬ www.mashizdat.ru УДК 621.382 Шашурин В.Д., д-р техн. наук, профессор, зав. кафедрой «Технологии приборостроения» Ветрова Н.А., канд. техн. наук, доцент Гудков А.Г., д-р техн. наук, профессор Пчелинцев К.П., студент МГТУ им. <...> Н.Э.Баумана К ВОПРОСУ О ПРОВЕДЕНИИ КОНТРОЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ НА НАДЕЖНОСТЬ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ НА НАНОПРИБОРАХ Разработана модель расчетно-методического обеспечения выбора рациональных конструкторско-технологических решений радиоэлектронных средств нового поколения на базе приборов, функционирующих на квантоворазмерных эффектах в их полупроводниковых гетероструктурах, позволяющая обеспечить заданный уровень надежности и его контроль по результатам испытаний. <...> Ключевые слова: Нанотехнологии, наноприборы, надежность, конструкторско-технологическая оптимизация, радиоэлектронные средства нового поколения, приборы на квантоворазмерных эффектах, гетероструктуры, безотказность, испытания на надежность, планирование контрольных испытаний. <...> TO THE ISSUE OF COMPLIANCE TEST OF RADIOELECTRONIC DEVICES BASED ON NANOSTRUCTURE Shashurin V.D., doctor of technical Sciences, Professor, head of the Department «Technology of instrument-building», Bauman Moscow State Technical University Vetrova N.A., candidate of technical Sciences, docent, Bauman Moscow State Technical University Gudkov A.G., doctor of technical Sciences, professor, Bauman Moscow State Technical University Pchelintsev K.P., student, Bauman Moscow State Technical University Developed a mathematical model for the design and technological optimization of radio electronic devices based on the new generation of devices that operate on quantum effects in their semiconductor heterostructures, allowing to provide a predetermined level of reliability and control according to test results. <...> Введение Устройства наногетероструктурной электроники, принцип работы которых основан на квантоворазмерных эффектах в наноразмерных слоях составляющих их полупроводниковых гетероструктур, позволяют получить совершенно новые, ранее недостижимые свойства РЭС [1]. <...> Однако в 30 связи с высокой чувствительностью характеристик полупроводниковых приборов и устройств на их основе к отклонениям параметров гетероструктур, вызванным как технологическими погрешностями, так идеградационными <...>