Прикладная физика, 2016, № 4 ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.383 Анализ барьерных структур типа nBn для фотодиодных приёмников ИК-излучения А. В. <...> Войцеховский, Д. И. Горн В данной статье представлен анализ современных тенденций в развитии технологии барьерных фоточувствительных структур на основе CdxHg1-xTe (КРТ) для среднего и дальнего инфракрасного (ИК) диапазонов, работающих при температурах, близких к комнатным. <...> Рассмотрены и проанализированы основные подходы к решению задачи повышения рабочей температуры фотодиодного приёмника. <...> Это обусловлено достаточно высоким уровнем тепловой генерации носителей заряда в узкозонном полупроводниковом материале. <...> В связи с этим в настоящее время большое количество фундаментальных и прикладных научных исследований посвящено поиску инновационных путей улучшения характеристик и уменьшения стоимости ИК-фотодетекторов, в т. ч. и путем разработки фотодетекторов новых типов. <...> Основным подходом в вопросе минимизации тепловой генерации в активной области детектора без криогенного охлаждения является подавление механизмов Оже с неравновесным Войцеховский Александр Васильевич, заведующий кафедрой. <...> E-mail: vav43@mail.tsu.ru; gorn_dim@sibmail.com Статья поступила в редакцию 8 июня 2016 г. © Войцеховский А. В., Горн Д. И., 2016 83 обеднением полупроводника [1], а также использование новых естественных и модифицированных полупроводниковых материалов и полупроводниковых структур с пониженной тепловой генерацией. <...> В 2006 году Maimon и Wicks [2] предложили концепцию так называемой барьерной фоточувствительной nBn-структуры, которую конструктивно часто сравнивают с классическим p–n-фотодиодом, в котором область пространственного заряда p–n-перехода заменена на широкозонный барьер B, а p-область — на контакт n-типа. <...> За счёт введения широкозонного барьера при отрицательном смещении структуры (когда отрицательный потенциал приложен к контакту n-типа) для основных носителей заряда (электронов в случае структуры <...>