66 УДК 621.383.4/5 Быстродействующие матрицы фотодиодов на основе двойных гетероструктур InGaAs–InGaAlAs–InAlAs и их характеристики Н. И. Яковлева, К. О. Болтарь Для изготовления быстродействующих матриц фоточувствительных элементов с малыми темновыми токами использовались двойные гетероструктуры на основе соединений InGaAs– InGaAlAs–InAlAs на InP-подложках. <...> Они включали поглощающий узкозонный слой InGaAs, градиентный слой InGaAlAs и широкозонный слой буферный слой InAlAs. <...> Проведены измерения и сравнение темновых токов в одинарных гетероструктурах InGaAs–InP (с широкозонным слоем InP) и в двойных гетероструктурах InGaAs–InGaAlAs–InAlAs (с широкозонным барьерным слоем InAlAs), выявлено уменьшение токов генерациирекомбинации и диффузии на два порядка в структурах InGaAs–InGaAlAs–InAlAs. <...> Проведено приближение измеренных и теоретических ВАХ-методом подгонки параметров, определена рабочая температура, необходимая для оптимальной работы матриц фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs, которая лежит в пределах 260—280 К. <...> Ci Ключевые слова: фотоприемные устройства, двойные гетероструктуры InGaAs–InGaAlAs–InAlAs, вольтамперная характеристика, ВАХ, темновой ток. <...> Введение Быстродействующие матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) на основе тройных соединений InGaAs широко используются в оптико-электронных системах оптической связи, лазерной локации, приборах ночного видения и другой аппаратуре [1, 2]. <...> Они формируются ионным мезатравлением в гетероструктурах на основе тройных соединений InGaAs, выращенных на согласованных по кристаллической структуре оптически прозрачных подложках InP. <...> Для изготовления на их основе фоточувствительных приборов огромное значение имеет достижение минимальных темновых токов у отдельных фотодиодов матрицы. <...> Несмотря на успехи в технологии выращивания бездефектных эпитаксиальных слоев In0,53Ga0,47As на подложках InP методом МОСгидридной эпитаксии, проблема получения малых темновых токов в МФЧЭ, изготовленных по мезатехнологии <...>