УДК 621.723 Выбор оптимальных режимов измерений в сканирующей электропроводящей микроскопии С. <...> Шевяков2 1ЗАО «НТ-МДТ» (г. Москва) 2Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Selection of Measurements Optimal Conditions in Scanning Electrical-Conductivity Microscopy S.V. <...> Shevyakov2 1CJSC «NT-MDT», Moscow 2National Research University of Electronic Technology, Moscow Приведены результаты исследования транспортных свойств в сканирующей электропроводящей микроскопии. <...> Выявлена корреляция необходимого усилия прижатия проводящего кантилевера к исследуемой поверхности, обеспечивающего тесный контакт, с твердостью материала и толщиной проводящего покрытия кантилевера. <...> Показано, что в ходе исследований при повышенных значениях разности потенциалов, с одной стороны, необходимо учитывать возможный эффект перераспределения материала проводящего покрытия с поверхности кантилевера на исследуемый образец, с другой – возможность обеспечения более высокого разрешения при исследовании топографии образца проводящим кантилевером. <...> The results of the studies on the scanning electrical-conductivity Transport Properties have been shown. <...> The correlation of the required pressing force on the conductive cantilever to the surface, which provides a close contact with the test sample, with the material hardness and the thickness of the cantilever conductive coating, has been revealed. <...> It has been shown that while investigating at higher values the potential difference on one hand, it is necessary to take into account the possible effect of the conductive coating material redistribution from the cantilever to the sample surface, on the other hand- the ability to provide the higher resolution while investigating the sample topography by conductive cantilever. <...> Сканирующая зондовая микроскопия – один из современных методов исследования морфологии и локальных свойств поверхности объектов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 2 2015 Выбор оптимальных режимов измерений. интерес для исследования проводящих нанообъектов, в том числе проводящих элементов наноэлектроники, представляет сканирующая электропроводящая микроскопия (СЭПМ), использующая режим атомно-силовай микроскопии <...>