УДК 621.382.323 Исследование СВЧ-транзистора с субмикронным Т-образным затвором, изготовленным методом наноимпринт литографии В.И. Егоркин, А.А. Зайцев, С.С. Шмелев Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Fabrication of HEMTs with T-Gates by Nanoimprint Lithography V.I. <...> Shmelev National Research University of Electronic Technology Приведены результаты разработки метода создания СВЧ-транзистора, в котором Т-образный затвор формируется с применением технологии наноимпринт литографии. <...> Разработанный транзистор имеет длину основания затвора порядка 250 нм и максимальную крутизну более 350 мСм/мм. <...> Предельная частота усиления по току ft составляет 40 ГГц при VСИ=1,4 В, предельная частота усиления по мощности fmax – 50 ГГц при VСИ=3 В. <...> The method for fabrication of HEMTs, in which T-gate is formed using the nanoimprint lithography technology, has been presented. <...> The characteristics of the created GaAs pHEMT transistors have been investigated. <...> СВЧ-транзисторы на основе арсенид-галлиевых гетероструктур являются основным элементом большинства высокоскоростных радиоэлектронных устройств [1], также могут применяться в качестве детекторов терагерцового излучения [2]. <...> Для формирования затворов СВЧ-транзисторов с субмикронными размерами применяется электроннолучевая литография. <...> Данный метод имеет недостатки, главными из которых являются малая производительность и, соответственно, высокая стоимость. <...> Поэтому разработка методов формирования субмикрометровых затворов с применением более производительных и доступных методов литографии весьма актуальна [3]. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 1 2015 31 В.И. Егоркин, А.А. Зайцев, С.С. Шмелев В работе [4] приводится метод создания транзистора, при котором на первом этапе технологического процесса Т-образный затвор и знаки совмещения формируются с применением наноимпринт литографии. <...> Штамп, содержащий Т-образный профиль затвора и знаки совмещения, формируется методом электронно-лучевой литографии. <...> Для формирования затвора применяется двухслойная система резистов полиметилкрилат/LOR-A. <...> После структурирования резиста проводятся <...>