Влияние тянущего поля на спектры фотопроводимости кристаллов CdS вблизи края поглощения

Авторы	Батырев Александр Сергеевич, Бисенгалиев Рустем Александрович, Тагиров Михаил Окаевич
Издательство	Калмыцкий государственный университет
Страниц	6

Скачать Читать Предпросмотр

ID	352919
Аннотация	В спектрах фотопроводимости кристаллов CdS обнаружены яркие проявления эффектов, обусловленных влиянием тянущего (измерительного) электрического поля на вероятность ионизации мелких центров. Показано, что спектральные максимумы фототока вблизи края поглощения полупроводника (дополнительные максимумы) могут быть приписаны фототермическим и термооптическим межзонным переходам электронов через уровни мелких центров, образующие "примесные" зоны // Вестник Калмыцкого университета. - 2012. - № 4. - С. 42-47.
УДК	537
ББК	22.33

Влияние тянущего поля на спектры фотопроводимости кристаллов CdS вблизи края поглощения / А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, М.О. Тагиров .— Элиста : Калмыцкий государственный университет, 2012 .— 6 с. — URL: https://rucont.ru/efd/352919 (дата обращения: 25.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

В спектрах фотопроводимости кристаллов CdS обнаружены яркие проявления эффектов, обусловленных влиянием тянущего (измерительного) электрического поля на вероятность ионизации мелких центров. <...> Показано, что спектральные максимумы фототока вблизи края поглощения полупроводника (дополнительные максимумы) могут быть приписаны фототермическим и термооптическим межзонным переходам электронов через уровни мелких центров, образующие "примесные" зоны // Вестник Калмыцкого университета. <...>

Влияние_тянущего_поля_на_спектры_фотопроводимости_кристаллов_CdS_вблизи_края_поглощения.pdf