В. Д. Кревчик, А. В. Левашов
ФОТОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ, СВЯЗАННЫЙ
С ВОЗБУЖДЕНИЕМ КОМПЛЕКСА A e
В КВАЗИНУЛЬМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ
Теоретически исследован фотодиэлектрический эффект, связанный с
возбуждением примесных комплексов A e в квазинульмерной структуре. <...> В
адиабатическом приближении с учетом дисперсии радиуса квантовых точек
получено выражение для спектральной зависимости изменения диэлектрической проницаемости. <...> Показано, что поляризуемость комплекса A e в дипольном приближении определяется средним радиусом квантовых точек и
энергией связи дырки локализованной на A0 -центре. <...> Найдено, что изменение
диэлектрической проницаемости наиболее существенно в случае круговой
поляризации света. <...> Проанализирована возможность использования фотодиэлектрического эффекта в качестве эффективного механизма воздействия
ИК-излучения на распространения субмиллиметровых волн в полупроводниковых наноструктурах. <...> Интерес к фотодиэлектрическому эффекту связан с тем, что он может
быть использован в качестве метода спектроскопических исследований примесей в полупроводниковых наноструктурах. <...> При спектральных исследованиях
примесей с помощью ФДЭ, в отличие от фототермической ионизации, не требуется термической ионизации возбужденных состояний [1]. <...> Поэтому измерения можно проводить при сколь угодно низких температурах, что исключает
влияние температуры на ширину линии оптического поглощения. <...> С фундаментальной точки зрения ФДЭ представляет интерес как нелинейный оптический
эффект с более низким порогом, чем у обычных нелинейных оптических эффектов. <...> Резонансные частоты 0 , характеризующие дисперсию низкочастотной диэлектрической проницаемости , находятся в субмиллиметровом диапазоне. <...> Таким образом, при облучении полупроводниковой квазинульмерной структуры с комплексами A e квантами с
энергией h 0 может заметно изменяться коэффициент преломления субмиллиметровых волн <...>