С. В. Булярский, А. С. Басаев
РЕКОМБИНАЦИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ГЛУБОКИХ
ЦЕНТРОВ В РЕНТГЕНОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПРИЕМНИКАХ
Разработан новый метод определения параметров глубоких центров, названный авторами рекомбинационной спектроскопией. <...> Этот метод проверен на
рентгеночувствительных приемниках излучения. <...> Показано, что результаты,
получаемые путем математической обработки ВАХ р-n-переходов, согласуются с данными емкостных измерений. <...> Определены параметры ряда центров рекомбинации в кремнии, в том числе имеющих энергии термической активации
0,45 и 0,53 эВ. <...> Данные центры обладают сильной температурной зависимостью коэффициентов захвата и, по-видимому, связаны с кислородновакансионными комплексами в кремнии. <...> На величину фототока диода,
а следовательно чувствительность приемника в целом, решающее влияние
оказывают рекомбинационные центры. <...> Рентгеночувствительные приемники излучения были изготовлены в НПК
«Технологический центр» МИЭТ на основе диффузионных р-n-переходов. <...> Распределение концентрации мелких
ионизированных центров вблизи p-n-перехода определялось в результате пересчета экспериментальных кривых емкость–напряжение. <...> Установлено, что данные центры распределены равномерно с концентрацией (1,8…2,1) 1013см–3. <...> Механизмы, формирующие прямую ветвь
вольт-амперной характеристики
Вольт-амперные характеристики (ВАХ) измерялись с помощью автоматизированной установки. <...> Для того
чтобы вычислить непосредственно напряжение на р-n-переходе, определялось последовательное сопротивление в области напряжений прямого смещения, превышающих диффузионный потенциал, а затем падение напряжения на этом сопротивлении вычислялось из общего падения напряжения. <...> Чтобы проанализировать механизмы, формирующие прямые ВАХ, авторы работ [3, 4] рекомендуют вычислить из экспериментальных данных
дифференциальный показатель наклона, определяемый как
67
Известия высших учебных заведений. <...> При рекомбинации через единственный <...>