Перенос тепла фононами в концепции «снизу–вверх» УДК 537.1 Физическое образование в вузах. <...> Перенос тепла фононами в концепции «снизу–вверх» Юрий Алексеевич Кругляк Одесский государственный экологический университет, Одесса, Украина; email: quantumnet@yandex.ua В рамках концепции «снизу – вверх» современной наноэлектроники рассматриваются баллистический и диффузионный транспорт фононов и его роль в теплопроводности. <...> Введение В продолжение предыдущих сообщений [1, 2] в рамках концепции «снизу – вверх» наноэлектроники [3] рассмотрим перенос тепла фононами. <...> Фононная составляющая, как хорошо известно, наряду с электронной составляющей играет исключительно важную роль в формировании термических свойств веществ [4]. <...> Не входя скольконибудь подробно в физику фононов [5], покажем лишь как легко модель упругого транспорта электронов [1] может быть переписана применительно к фононам. <...> Стандартная линеаризация [1, 2] выражения (5) дает (7) (8) Обратим внимание на то, что как и модель упругого резистора для электронов не учитывает эффекты неупругого рассеяния мод проводимости, так и настоящая фононная модель не учитывает ангармоничность взаимодействия фононов, которая вынуждает фононы менять свою частоту [6]. <...> В отличие от достаточно хорошо изученных устройств на баллистическом транспорте электронов, и поныне немного известно об устройствах на баллистическом транспорте фононов [7–9]. <...> Баллистический транспорт фононов Баллистическая фононная проводимость записывается обычно в форме, напоминающей закон Стефана–Больцмана для фотонов. <...> Окончательно (15) Аналогичный результат для фотонов известен как закон Стефана–Больцмана, отличающийся от баллистического потока фононов (15) коэффициентом 2/3, поскольку в случае фотонов число разрешенных поляризаций равно двум. <...> Так, если удельная электрическая проводимость для 3Dпроводника дается выражением [1] 2 = M q h A , (21) Ю.А. Кругляк отличается от аналогичной функции <...>