УДК 537.525 А.В. Дунаев, С.А. Пивоваренок, А.М. Ефремов, В.И. Светцов КИНЕТИКА ТРАВЛЕНИЯ GaAs В ХЛОРНОЙ ПЛАЗМЕ (Ивановский государственный химико-технологический университет) e-mail: efremov@isuct.ru Проведено исследование кинетики травления GaAs в хлорной плазме весовым и спектральным методами. <...> Установлено наличие начального нестационарного участка травления, предположительно обусловленного особенностями удаления полированного слоя. <...> Проведен анализ спектра излучения плазмы в присутствии продуктов травления. <...> Показана возможность контроля кинетики процесса по излучению резонансных линий Ga 403.3 и 417.3 нм. <...> Ключевые слова: кинетика, травление, плазма хлора, арсенид галлия, спектр ВВЕДЕНИЕ Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и смесей на его основе применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев интегральных микросхем. <...> Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, являющегося одним из самых перспективных материалов электроники будущего. <...> Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. <...> Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1]. <...> Существует достаточно большое количество публикаций, посвященных изучению закономерностей плазменного травления GaAs в хлорсодержащих газах, в том числе – в чистом Cl2 (например, [2, 3]). <...> Однако подавляющее большинство исследований имеют прикладной характер и ограничиваются рассмотрениями зависимостей скоростей травления от внешних параметров разряда. <...> Целью данной работы являлось исследование кинетики плазмохимического травления GaAs в хлоре. <...> МЕТОДИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Для экспериментального исследования <...>