Отпечатано на полИГрафическом участке Издательства СО РАН
© Сибирское отделение РАН, Институт автоматики и
электрометрии СО РАН, 2014
РОССИИСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК
СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ
НАУЧНЫЙ ЖУРНАЛ
АВТОМЕТРИЯ
ОСНОВАН В ЯНВАРЕ 1965 ГОДА ВЫХОДИТ б РАЗ В ГОД
Том 50 2014 N2 3
МАЙ — ИЮНЬ
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие к тематическому вьшуску «Полупроводниковые нанот‘етероструктуры» . <...> Формирование нанот‘етероструктур Ge/ Si и Ое/Оешэп _ ш / Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии . <...> Атомная структура протяжённых дефектов в имплантированных бором слоях кремния . <...> Исследование формирования наноостровков германия на структурированных подложках кремния методом молекулярной динамики . <...> Анализ СВЧ-потерь в гетероструктурных рт-диодах
AlGaAs/GaAs . <...> Спектральные характеристики СВЧ- и ИК-метаматериапов с трёхмерными резонаторами . <...> Влияние становой поляризации экситонов на энергетический спектр гетероструктур GaAs/AlGaAs . <...> Создание массивов
квантовых точек графена и мультиграфена в матрице фторографена . <...> Электронномикроскошаческие исследования нанокристаллов CuS, сформированных в плёнках Ленгмюра — Блоджетт . <...> Электроосмотический
Насос На основе аСИММеТРИЧНЬГХ erMHI/IeELIX МИКРОКаНаЛЬНЬГХ мембран . <...> Методом молекулярно-лучевой эпитаксии плёнки СаАз можно выращивать либо
непосредственно на поверхности кремния, либо через переходные слои, например GaP/Si. <...> ). Выявлены механизмы зарождения на начальных стадиях формирования гетероэпитаксиальных структур CdTe/ZnTe/Si(301) и
CdTe/ZnTe/GaAs(301) B методе молекулярно-лучевой эпитаксии, обеспечивающие снижение плотности прорастающих дислокаций Г. Сидоров и др. <...> ).
Механизмы СВЧ-потерь в рт-диодах AlGaAs/GaAs исследовались численными методами с помощью программно-технологического комплекса ”Зеп’папшз ТОАВ” (фирма
”Зупорзуз”). <...> ).
K экстремальным методам формирования наноструктур можно отнести облучение
ионами высоких энергий (до 700 МэВ, ионы Хе и Bi) стехиометрических слоёв 8102 и
слоёв диоксида кремния с различным <...>
Автометрия_№3_2014.pdf
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
- - --
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Стр.1
-
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
--
-
- -
-
-
-
-
-
- -
-
-
- -
- -
-
-
-
-
- -
- -
-
-
-
-
-
-
Стр.2
-
--
-
-
-
-
-
--
-
-
--
-
--
-
Стр.3
-
-
-
-
-
--
-
- -
-
-
-
-
-
-
- -
--
-
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
- -
-
-
- -
-
-
-
--
--
-
-
-
-
-
-
-- - -
-
-
-
- -
-
-
- -
-
- -
-
-
-
-
-
- -
-
-
- -
-
-
--
-
- -
-
-
-
-
- -
- -
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
--
- -
-
-
-
-
-
-
-
- -
-
-
-
-
- -
-
-
-
- -
--
-
Стр.4