Определение толщины эпитаксиальных слоев и ширины запрещенной зоны полупроводников методом ИК Фурье-спектрометрии (200,00 руб.)

А.А. ВЕЛИЧКО, Б.Б. КОЛЬЦОВ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛ9ЕВ И ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОИ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ МЕТОДОМ ИК ФУРЬЕ-СПЕКТРОМЕТРИИ Учебно-методическое пособие НОВОСИБИРСК 2012 УДК 535.33(О75.8) в 276 Рецензенты: <...> В 276 Определение толщины эпитаксиальных слоев и ширины 3aпрещенной зоны полупроводников методом ИК Фурье-спектрометрии: учеб.-метод. пособие / А.А. Величко, Б.Б. Кольцов. <...> ISBN 978—5—7782—1924—3 Дано краткое описание способа измерения ширины запрещенной зоны и толщины гетероапитаксиальных учкозонных полупроводников методом определения спектральных зависимостей коэффициентов поглощения и отражения на ИК Фурве-спектрометре. <...> Дано описание ИК Фурьеспектрометра Nicolet 6700, wuomeHa методика проведения эксперимента и обработки экспериментальных данных. <...> УДК 535.33(075.8) IS N 978-5-7782-1924-3 © Величко А.А., Кольцов Б.Б., 2012 © Новосибирский государственный технический университет, 2012 ВВЕДЕНИЕ При разработке технологии получения гетероэпитаксиальных слоев ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ИХ твердых растворов необходимо иметь неразрушающие методы контроля параметров этих материалов. <...> В качестве примеров можно привести гетероэпитаксиальные слои GeXSiH или PbXSnHTe, выращенные на кремниевых подложках. <...> Эти пленки находят применение для создания быстродействующих интегральных схем и фотоприемных устройств соответственно. <...> Важнейшими характеристиками являются толщина d, постоянная кристаллической решетки a и ширина запрещенной зоны Eg слоев твердых растворов GeXSiH или РЬх$п1‚хТе„ которые зависят от состава твердых растворов х. <...> Эти параметры могут быть определены из измерений спектральной зависимости коэффициентов ПОГЛОЩЁНИЯ И отражения гетероэпитаксиальных слоев в инфракрасной (ИК) области спектра методом ИК Фурье-спектроскопии. <...> Изучение принципа работы и усройства ИК Фурье-спектрометра Nicolet 6700. <...> Определение постоянной кристаллической решетки а, ширины запрещенной зоны Eg и толщины d гетероэпитаксиальных полупроводниковых слоев <...>