621.38Электроника. Микроэлектроника. Полупроводниковая электроника. Оптоэлектроника. Фотоэлектроника. Рентгенотехника. Ускорители частиц. Вакуумная электроника
← назад
Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
У человека трихроматическое цветное зрение, которое включает 100 % 90% 80% 70% 60% 50% 40% 30% 20% 10% <...> 36 СД Р21/5W-15s56 12–20 0,5/6 23 Ø20×53 100/1000 Б 15 СД LG 5630 37 СД Т4W-6s35 12–18 0,8 3 Ø30×11 80 <...> КПД СД составляет 80%, цветовая температура 5000 К. <...> Поэтому необходимы стабилизаторы напряжения, например, для СД на 80 Вт. <...> СД ДХО: а) DRL-3, 3 СД, масса 80 г, габариты 190×30×20 мм, Т = 6000 К; б) SKD-105 Рис. 12.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №1 2022.pdf (0,1 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
Минимальное значение CRI светодиодов серии PBC-3014 равно 80 [4]. <...> Минимальное значение CRI светодиодов серии PAC-3022 соответствует 80 [4]. <...> Минимальное значение CRI светодиодов серии PAC-5630 равно 80 [4]. <...> Минимальное значение CRI светодиодов серии РАС-3030 равно 80 [4]. <...> Soc. 80. 1982. 27. W. T. Ham Jr., J. J. Ruffolo Jr, H. A. Mueller, A. M. Clarke and M. E. Moon.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №3 2014.pdf (1,6 Мб)
Журнал является официальным журналом Российской Ассоциации Радиологов (РАР). История старейшего в России медицинского журнала начинается с 1920 года. Журнал, посвященный в настоящее время вопросам лучевой диагностики и лучевой терапии, стоит у истоков развития Российской рентгенологии и радиологии. В журнале находят отражение такие методы медицинской визуализации как традиционная рентгенодиагностика, рентгеновская компьютерная и магнитно-резонансная томография, ультразвуковая и радионуклидная диагностика, ангиография и рентгенохирургия.
В журнале освещаются наиболее актуальные вопросы медицинской визуализации в кардиологии, неврологии, онкологии, лучевой диагностики заболеваний скелетно-мышечной системы, органов дыхания, желудочно-кишечного тракта, малого таза. Большое место занимают научные статьи и обзоры по вопросам радиобиологии, дозиметрии и радиационной защиты. Традиционно широко освящаются проблемы рентгенохирургии и рентгеноэндоваскулярных методов диагностики и лечения в различных областях медицины.
.: Прима Принт; 2019: 80 c. 4. Невзорова М.С., Чепкасова Н.И., Ботало Н.С. <...> На КТ-изображениях у пациентки визуализировалось овальной формы одно100 100 100 80 80 80 60 60 60 40 <...> 40 40 20 20 20 0 0 0 0 0 0 20 20 20 40 40 40 60 60 60 80 80 80 100 100 100 Чувствительность, % / Sensitivity <...> Смертность от РЦМ колеблется от 25% до 80% [5]. <...> М.; 2013. та – 90% (80%).
Предпросмотр: Вестник рентгенологии и радиологии №5 2022.pdf (0,5 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
(2007) СД высокой мощности 1 (2007) 3,15 88 40 Поставщик 6 (2007) СД высокой мощности 2 (2007) 3,11 80 <...> Зависимость значений светового потока (3000 К и CRI 80) при 700 мА и +85 °C Рис. 4. <...> Сравнение снова касается светодиодов с КЦТ 3000 K и CRI 80, перечисленных в таблице 3. Рис. 5. <...> = 80 °C – 8,6856 °C – – 9,24 °C = 62 °C. <...> СВСД-прожекторы «ПромЛед» v2.0-30 Ex, «ПромЛед» v2.0-80 Ех, «ПромЛед» ПРОФИ v2.0-80 Ex используют сверхъяркие
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №3 2020.pdf (0,1 Мб)
Журнал «Электросвязь» — ежемесячный научно-технический журнал по проводной и радиосвязи, телевидению и радиовещанию, предназначенный для широкого круга специалистов в области связи и информатизации. Основан в 1933 г.
Журнал «Электросвязь» — это:
- результаты новейших научных исследований, обеспечивающих повышение эффективности сетей связи, методы их проектирования с использованием перспективных технологий как отечественных, так и зарубежных;
- вопросы создания экономически эффективных служб связи, внедрения новых услуг, управления сетями, их технического обслуживания на основе современных решений;
- оперативная информация о деятельности и технической политике Министерства информационных технологий и связи РФ, администраций связи других стран СНГ, Регионального содружества в области связи, Международного союза электросвязи.
Публикации в «Электросвязи» учитываются Высшей Аттестационной Комиссией при Министерстве Образования РФ при защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата и доктора наук.
.— 80 с. : ил. — URL: https://lib.rucont.ru/efd/311968 (дата обращения: 14.06.2024)В НОМЕРЕ: ежемесячный <...> позиции 25°в.д. в точку стояния 64° в.д., где, согласно плановой карте покрытия, он охватывает почти 80% <...> – 16,93 11,88– 16,93 11,88– 16,93 60 – 70 14,20 – 20,32 14,17– 20,32 14,26– 20,32 14,26– 20,32 70 – 80 <...> 17,16 – 23,70 17,12– 23,70 17,25– 23,70 17,25– 23,70 80 – 90 19,93 – 27,09 19,88– 27,09 20,05– 27,09 <...> , т.е. при планируемой мощности 80 Вт (см. табл.) реальная мощность составит 16 Вт.
Предпросмотр: Электросвязь №6 2016.pdf (0,2 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
n = 50, OTWE^A@]IE nko W k(1;0) z 0 1{2 3{4 5{7 8{9 10{12 13{14 15{16 17{18 19 20{21 h 84 83 82 81 80 <...> @^ENI@ W KRITI^ESKU@ OBLASTX W 00(1;0) WSEH \LEMENTOW nko W k(1;0), KROME PQTI \LEMENTOW: (81, 9), (80 <...> , 10), (80, 11), (79, 13), (75, 20), I WKL@^ITX DOPOLNITELXNO SLEDU@]IH \LEMENTOW: (81, 6), (81, 7), <...> P. 80{83. 2. Mann H. B., Whitney D. R. <...> ~TOBY WIDETX NA RASSTOQNII 30{60 SM ILI, PO DRUGIM DANNYM, NA RASSTOQNII 40{80 SM, NEOBHODIMY O^KI W
Предпросмотр: Автометрия №5 2018.pdf (0,2 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
_0,4 _0,3 _0,2 _0,1 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0 Âðåìÿ, c u3, Í.ì d 20 40 60 80 100 120 140 160 180 0 0,2 <...> 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 0 Âðåìÿ, c c z, zref, ì 20 40 60 80 100 120 140 160 180 _2,0 _1,5 _1,0 _0,5 <...> 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0 Âðåìÿ, c y, yref, ì 20 40 60 80 100 120 0 1 2 4 3 5 0 Âðåìÿ, c u1, Í 20 40 60 <...> 80 100 120 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 0 Âðåìÿ, c z, zref, ì rIS. 5. iZMENENIE KOORDINAT APPARATA W <...> Math. and Mechanics. 2016. 80, N 4. P. 316{323. 2. Lin J., Guo S.-Y., Chang J.
Предпросмотр: Автометрия №4 2022.pdf (0,2 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
t = 16 ñ t = 83 ñ y, ìì x, ìì t, ñ 0 20 10 20 30 40 50 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50 60 70 40 60 80 <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 0 20 80 <...> %& 3 & b max 0 20 40 60 80 <...> -80 <...> 20 40 60 80 20 40 60 80 20 40 60 80 0 20 40 60 80 0 20 40 60 80 0 20 40 60 80 0 20 40 60 80
Предпросмотр: Автометрия №3 2012.pdf (0,2 Мб)
Журнал «Электросвязь» — ежемесячный научно-технический журнал по проводной и радиосвязи, телевидению и радиовещанию, предназначенный для широкого круга специалистов в области связи и информатизации. Основан в 1933 г.
Журнал «Электросвязь» — это:
- результаты новейших научных исследований, обеспечивающих повышение эффективности сетей связи, методы их проектирования с использованием перспективных технологий как отечественных, так и зарубежных;
- вопросы создания экономически эффективных служб связи, внедрения новых услуг, управления сетями, их технического обслуживания на основе современных решений;
- оперативная информация о деятельности и технической политике Министерства информационных технологий и связи РФ, администраций связи других стран СНГ, Регионального содружества в области связи, Международного союза электросвязи.
Публикации в «Электросвязи» учитываются Высшей Аттестационной Комиссией при Министерстве Образования РФ при защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата и доктора наук.
уровне проникновения мобильной свя зи 2G в 146,7 % доля 3Gтехнологии со ставляет лишь 2 % (из которых 80 <...> Мировое потребление оптического волокна в млн. км (Данные по 2009 году ориентировочные) Рис. 3 100 90 80 <...> по 2009 году ориентировочные) 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 ОВ ОК Рис. 4 140 120 100 80 <...> 31,25 нс CAT5E 4×2×24AWG l, м Рис. 9 6000 4800 3600 2400 1200 0 -1200 -2400 -3600 -4800 -6000 0 40 80 <...> -47, 192-85-11; факс: (499) 192-80-47, 192-85-51.
Предпросмотр: Электросвязь №2 2010.pdf (0,9 Мб)
Автор: Гридчин А. В.
Изд-во НГТУ
Пособие посвящено изучению базовых информационных технологий, включающих в себя офисные приложения, разработку и создание
веб-приложений, а также проведение математических вычислений в
специализированной среде MathCAD. Рассматривается роль информации в современном информационном обществе и роль человека по отношению к информации. Даны необходимые сведения для выполнения практикума первого цикла, а также для создания веб-сайтов в рамках выполнения расчетно-
графической работы. Кроме того, рекомендованы пошаговые инструкции к выполнению всех работ с опорой на специализированные учебные пособия.
MAXIM Analog Devices Наименование ADC10080 MAX1181 MAX1448 AD9214 AD9218 AD9215 Частота выборки, Мвыб/с 80 <...> 80 80 65/80/105 40/65/80/ 105 65/80/105 Потребляемая мощность, мВт 78 246 120 250 515 120 SNR, дБ 59,2 <...> <5,0 2,0 – тип. 6 Ток потребления в режиме «ожидание», мкА <900, 500 тип. <980, 600 тип. <170 <465 <80 <...> 120 тип. <50 <70 <50 10 Время перехода при выключении передатчика, нс <100 55 – тип. <100 50 – тип. <80 <...> Время перехода при включении приемопередатчика, нс <110 65 – тип. <420 200 тип. <120 55 – тип. <130 <80
Предпросмотр: Информационные технологии. Базовые информационные технологии.pdf (0,3 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
OTNOSITELXNO CELI. nA RIS. 1 PRIWEDENY REZULXTATY MODELIROWANIQ X, ì Y, ì ab y, ðàä o, ðàä 20 40 60 80 <...> 100 120 140 0 0,1 -0,1 0 20 40 60 80 100 120 140 t, c E, ì d 1,0 1,5 0,5 2,0 0 20 40 60 80 100 140 t <...> 0,5 0,3 0,1 0 0 0,1 -0,1 0 20 40 60 80 100 120 140 0 0,1 -0,1 0 20 40 60 80 100 120 140 t, c E, ì d <...> 0,5 0,3 0,1 0 0 0,1 -0,1 0 20 40 60 80 100 120 140 0 0,1 -0,1 0 20 40 60 80 100 120 140 t, c E, ì d <...> 100 0 20 40 60 80 100 20 0 40 60 80 100 t, c -12 -8 -4 0 4 8 20 rIS. 3. sRAWNENIE MODELXNYH I \KSPERIMENTALXNYH
Предпросмотр: Автометрия №4 2017.pdf (0,2 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
4 620 640 660 Äëèíà âîëíû, íì Ïðîïóñêàíèå, % Äëèòåëüíîñòü çàñâåòêè, ñ 680 700 720 0 20 40 ÄÝ, % 60 80 <...> 90 100 30 40 50 60 70 80 90 ab 100 1 2 640 650 660 Äëèíà âîëíû, íì Ïðîïóñêàíèå, % 670 680 690 700 12 <...> Dx1j, Dy1j, ìì Dx1 Dy1 230 0,02 0,03 0,04 240 250 0 20 40 60 80 _0,25 _0,20 _0,15 _0,10 _0,05 0 0,05 <...> Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 awtometriq. 2020. t. 56, 4 12. <...> Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 132 awtometriq. 2020. t. 56, 4 80.
Предпросмотр: Автометрия №4 2020.pdf (0,2 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
rIS. 3. rELXEF POWERHNOSTI KRISTALLA Si, SODERVA]EGO ODNOATOMNYE STUPENI Z, íì X, ìêì Y, ìêì 0 3 40 80 <...> 120 160 40 80 120 160 200 rIS. 4. oDNOATOMNYE STUPENI WYSOTOJ 0,314 NM NA POWERHNOSTI KRISTALLA Si S <...> 0 10 20 30 40 50 60 70 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 Âðåìÿ, ìêñ Àìïëèòóäà, ïð. åä. 80 b rIS. 4. <...> P. 372{374. 80. Kelleher E. J. R., Travers J. C., Sun Z. et al. <...> P. 372{374. 80. Kelleher E. J. R., Travers J. C., Sun Z. et al.
Предпросмотр: Автометрия №6 2021.pdf (0,2 Мб)
«Инженерный журнал: наука и инновации» – научно-практическое издание, в котором публикуются оригинальные (т. е. не опубликованные в других изданиях) статьи, содержащие результаты научных исследований по всем разделам, заявленным в рубрикаторе. Выбор электронной формы издания был обусловлен необходимостью оперативного введения в научный оборот результатов научных исследований, что соответствует тенденции сделать оплаченные государством результаты научного труда общественным достоянием. Это же предполагает выбор редакцией журнала свободного доступа к его контенту.
Известия Самарского научного центра РАН, 2019, № 1, с. 71–80. [8] Ракета-носитель «Союз-2». <...> RAN — Izvestia of Samara Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, 2019, no. 1, pp. 71–80 <...> снижению на ≈ 80 % среднеквадратичного отклонения расходонапряженности потока частиц в сечении θ. <...> Увеличение на ≈ 80 % характерного размера области локализации частицы приводит к пропорциональному <...> снижению на ≈ 80 % среднеквадратичного отклонения расходонапряженности потока частиц в сечении θ.
Предпросмотр: Инженерный журнал наука и инновации №8 2021.pdf (0,5 Мб)
Изд-во ОмГТУ
Рассмотрены принципы работы источников вторичного электропитания и химических источников тока, применяемых в радиоэлектронной аппаратуре. Представлены схемотехнические решения, используемые при построении линейных и импульсных источников вторичного электропитания. Приведены особенности эксплуатации и применения химических источников тока.
...................................... 0,1 % Коэффициент подавления напряжения пульсаций .......... 80 <...> Корректоры коэффициента мощности В 80-е гг. <...> К середине 80-х гг. с помощью использования импульсных технологий это значение удалось поднять до 180 <...> Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 2. <...> Первая ступень длится около 40–60 мин и по ее окончании глубина заряда составляет 70–80 % номинальной
Предпросмотр: Источники питания.pdf (0,2 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
Т. 60, № 1 0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100 Pp + PR + PR 25 30 35 40 0 5 10 15 20 a b z, ñì z, ñì <...> Физическая. 2016. 80, № 1. C. 6–9. 18. Третьяков Д. Б., Коляко А. В., Плешков А. С. и др. <...> Для энергий ионов As + 40 и 80 кэВ спектры ФЛ практически совпадают. <...> Наиболее стабильны по расположению (см. рис. 6, a, b) и 80 АВТОМЕТРИЯ. 2024. <...> Воловач 93 nwM 1,0 2,0 3,0 0 1 2 3 xf 0,4 0,7 s=0,6 q 1 =40 2 q 1 =80 2 q 1 =20 2 Рис. 3.
Предпросмотр: Автометрия №1 2024.pdf (0,1 Мб)
«Технологии в электронной промышленности» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка печатных плат, о фирмах, работающих на рынке производства электроники. Тематически журнал охватывает все сферы производства печатных плат и ориентирован прежде всего на технологов и конструкторов, работающих в электронной промышленности.
80 °С в течение 25–30 мин. <...> 80 мкм. <...> Узкое место 80×80 мкм Рис. 5. <...> 80 75 73 75 УЗС + лазер УЗС + ИК 250 °С УЗС + ИК 200 °С УЗС + ИК 150 °С УЗС + токовая УЗС 80 0,72 10,9 <...> Но в этом случае содержание Zn в сплаве Zn–Sn будет в пределах 80%.
Предпросмотр: Технологии в электронной промышленности №2 2009.pdf (1,1 Мб)
Журнал «Электросвязь» — ежемесячный научно-технический журнал по проводной и радиосвязи, телевидению и радиовещанию, предназначенный для широкого круга специалистов в области связи и информатизации. Основан в 1933 г.
Журнал «Электросвязь» — это:
- результаты новейших научных исследований, обеспечивающих повышение эффективности сетей связи, методы их проектирования с использованием перспективных технологий как отечественных, так и зарубежных;
- вопросы создания экономически эффективных служб связи, внедрения новых услуг, управления сетями, их технического обслуживания на основе современных решений;
- оперативная информация о деятельности и технической политике Министерства информационных технологий и связи РФ, администраций связи других стран СНГ, Регионального содружества в области связи, Международного союза электросвязи.
Публикации в «Электросвязи» учитываются Высшей Аттестационной Комиссией при Министерстве Образования РФ при защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата и доктора наук.
.— 80 с. : ил. — URL: https://lib.rucont.ru/efd/683461 (дата обращения: 14.06.2024)В НОМЕРЕ: ЭЛЕКТРОСВЯЗЬ <...> В 80-е годы предприятие становится крупным телепортом, способным организовать спутниковые каналы связи <...> 119 80 0,008 64; 10; 80 119 120 0,013 64; 10; 80 119 160 0,02 (у банка – 0,015) 64; 10; 80 118 s, мкс <...> При этом объемы сетевого трафика заметно выросли: на 20–25% увеличился голосовой трафик, на 50–80% – <...> 80 Таблица 1 Входные фиксированные значения переменных для экспериментов Показатели для оцениваемой
Предпросмотр: Электросвязь №6 2020.pdf (0,1 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
2,2 7,627,626,4 Сверхъяркий светодиод BL-B613C 660 –/60 50 30 1,7–2,6 11,813,6539 BL-B4539 635 –/80 <...> кд Ф, лм Световая отдача, лм/Вт Iп, мА Uп, В У-205Бк 630 4–5 15–20 21 350 2,5 У-360Бк 630 10–13 70–80 <...> и керамических корпусах на долговременную стабильность светового потока по стандарту IESNA LM-80-08 <...> Результаты испытаний мощных светодиодов с керамической подложкой по стандарту LM-80 в течение 11 592 <...> Габаритные размеры 13880 мм.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №4 2014.pdf (0,6 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
реклама Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА В номере: № 5 (80 <...> от номинального (VDS, VCE), но не превышающего 80 В. <...> , VGE = 0 VCEmax, max 80 В 1000 ч, +85 °С, 85% RH, VD/VR = 80% VDmax/VRmax, max 80 В До 2018 года High <...> Vol. 80. No. 25. 7. <...> Предельное значение паразитной емкости не должно превышать 80 пФ.
Предпросмотр: Силовая электроника №5 2019.pdf (0,1 Мб)
ЯрГУ
В сборник вошли научные статьи, отражающие результаты исследований, представленных на научно-практической межрегиональной конференции «Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование)», проходившей в Ярославском государственном университете им. П.Г. Демидова 22 - 23 сентября 2008 г. В сборник включены теоретические, экспериментальные и обзорные статьи, посвященные наиболее актуальным проблемам развития микро- и наноэлектроники, квантовым компьютерам и некоторым смежным вопросам. Конференция организована в соответствии с планом мероприятий государственного контракта № 02.552.11.7028 Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы».
90 100 50 60 70 80 90 100 Sco/(Sco+SGd) Co, % Рис. 1. <...> A 80. Р. 1173–1178. <...> Глубина травления составляла 80-85 мкм. Время травления равнялось 120 мин. <...> Скорость травления кварца в 1,5-2 раза была выше, чем в обычно ис0 20 40 60 80 100 0 40 80 120 160 200 <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 Рис. 1.
Предпросмотр: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование) сборник трудов научно-практической межрегиональной конференции.pdf (1,2 Мб)
Журнал «Электросвязь» — ежемесячный научно-технический журнал по проводной и радиосвязи, телевидению и радиовещанию, предназначенный для широкого круга специалистов в области связи и информатизации. Основан в 1933 г.
Журнал «Электросвязь» — это:
- результаты новейших научных исследований, обеспечивающих повышение эффективности сетей связи, методы их проектирования с использованием перспективных технологий как отечественных, так и зарубежных;
- вопросы создания экономически эффективных служб связи, внедрения новых услуг, управления сетями, их технического обслуживания на основе современных решений;
- оперативная информация о деятельности и технической политике Министерства информационных технологий и связи РФ, администраций связи других стран СНГ, Регионального содружества в области связи, Международного союза электросвязи.
Публикации в «Электросвязи» учитываются Высшей Аттестационной Комиссией при Министерстве Образования РФ при защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата и доктора наук.
Зная возможности системы передачи по затуханию, выбираем lуу=80 км. <...> Один сигнал переТаблица 1 ОВ Аэфф (λ=1,55 мкм), мкм2 SMF 80 55 DCF 21 14 NZDS 72 G-652 84 ( типовое) <...> 40 60 80 100 120 10-8 100 10-2 10-4 10-10 10-6 Рис. 6 0 20 40 60 80 100 120 10-15 10-10 10-5 100 – ОСШ <...> -47, 192-85-11 Факс: (499) 192-80-47, 192-85-51. <...> Катаева – 80 лет 11 Богородицкая И.А.
Предпросмотр: Электросвязь. №12 2012.pdf (1,0 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
I DR. 15 10 20 30 HfO2 (20 íì) 40 50 Èíòåíñèâíîñòü, îòñ÷¸ò/ñ 60 70 80 0 1000 2000 3000 4000 5000 HfO2 <...> METODOM FOTOL@MINESCENCII (fl) S POMO]X@ IZMERITELXNOJ USTANOWKI NA BAZE FURXE-SPEKTROMETRA VERTEX 80 <...> Ê 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000 0 0 1 2 3 4 5 6 7 20 40 60 80 100 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 <...> ìÂò T = 40 Ê 0 500 Ge0,3Si0,63Sn0,07 1000 1500 2000 0 0,810 0,815 0,820 0,825 0,830 0,835 20 40 60 80 <...> 0,78 0,79 0,80 0,81 0,82 0,83 0,84 0,85 Ge0,3Si0,63Sn0,07: Ge0,3Si0,63Sn0,07: 10 20 30 40 50 60 70 80
Предпросмотр: Автометрия №6 2022.pdf (0,2 Мб)
Автор: Бич Майкл
М.: Додэка-XXI
Микроконтроллеры семейства XC16x фирмы Infineon — это современные многофункциональные быстродействующие приборы, использующие процессорное ядро на основе RISС-архитектуры. Данная книга представляет собой справочное руководство по их применению, призванная дополнить официальное руководство пользователя XC16x сведениями, имеющими практическую ценность при проектировании аппаратуры с применением этих микроконтроллеров. В книге подробно рассматриваются особенности архитектуры и функционирования как микроконтроллера в целом, так и его отдельных узлов и периферийных модулей, приведены практические рекомендации по использованию управляющих линий и портов ввода/вывода в пользовательских приложениях.
Динамическая коррекция ошибок. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 <...> 13 14 15 14 18 16 7 5 5 4 4 4 4 3 3 3 3 4 10 15 15 20 20 20 30 30 35 35 35 20 50 50 50 60 60 60 70 80 <...> 80 80 80 80 60 60 60 80 80 80 90 100 100 140 140 150 420 520 510 375 335 353 312 216 372 100 110 46 <...> /E* P3.13/SCLK0/E* P3.15/CLKOUT/FO P1H.7/A15CC27/EX7IN 96 95 94 93 92 91 90 89 67 86 85 84 83 82 81 80 <...> Встроенная программируемая флэш память 80 5.3.1.
Предпросмотр: Микроконтроллеры семейства ХС166. Вводный курс разработчика.pdf (0,3 Мб)
Журнал «Электросвязь» — ежемесячный научно-технический журнал по проводной и радиосвязи, телевидению и радиовещанию, предназначенный для широкого круга специалистов в области связи и информатизации. Основан в 1933 г.
Журнал «Электросвязь» — это:
- результаты новейших научных исследований, обеспечивающих повышение эффективности сетей связи, методы их проектирования с использованием перспективных технологий как отечественных, так и зарубежных;
- вопросы создания экономически эффективных служб связи, внедрения новых услуг, управления сетями, их технического обслуживания на основе современных решений;
- оперативная информация о деятельности и технической политике Министерства информационных технологий и связи РФ, администраций связи других стран СНГ, Регионального содружества в области связи, Международного союза электросвязи.
Публикации в «Электросвязи» учитываются Высшей Аттестационной Комиссией при Министерстве Образования РФ при защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата и доктора наук.
. № 9/2010 К 80‑ЛЕТИЮ САНКТ‑ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ ИМ. ПРОф. <...> К 80‑летию СанКт‑ПетербургСКого гоСударСтвенного универСитета телеКоммуниКаций им. <...> М. а. бонч-бруевича в этом году отмечает юбилей — 13 октября ему исполняется 80 лет. <...> В 70—80-х гг. коллектив кафедры значительно расширился. В его составе работали: д.т.н. И. А. <...> значение Эталонное значение Текущее значение Эталонное значение 0,9 0,8 0,7 0 10 20 30 40 50 60 70 80
Предпросмотр: Электросвязь №9 2010.pdf (0,8 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
Âðåìÿ, ñ ×àñòîòà, Ãö 0 50 100 150 200 10 20 30 40 50 60 70 80 <...> 90 100 Âðåìÿ, ñ ×àñòîòà, Ãö 20 60 100 140 180 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Copyright ОАО <...> ) "- . ') a b c d e f g h i 60 80 70 80 80 70 70 110 100 90 110 120 130 160 120160 <...> Al0,1Ga0,9As (Al0,1Ga0,9)1_xInxAs/ Al0,8Ga0,2As Al0,8Ga0,2As GaAs GaAs 80 100 120 1200 1400 1600 1800 <...> 140 160 0 20 40 60 Óãîë äèôðàêöèè, óãë. ñ Èíòåíñèâíîñòü, îòí. åä. 80 100 1100 1300 1500 1700 1900 0
Предпросмотр: Автометрия №4 2014.pdf (0,3 Мб)
«Инженерный журнал: наука и инновации» – научно-практическое издание, в котором публикуются оригинальные (т. е. не опубликованные в других изданиях) статьи, содержащие результаты научных исследований по всем разделам, заявленным в рубрикаторе. Выбор электронной формы издания был обусловлен необходимостью оперативного введения в научный оборот результатов научных исследований, что соответствует тенденции сделать оплаченные государством результаты научного труда общественным достоянием. Это же предполагает выбор редакцией журнала свободного доступа к его контенту.
Цилиндрические образцы диаметром 80 мм из стали 50 подвергали закалке и отпуску на разную твердость. <...> (КГЧ), состоящая из массы МРБ и массы ПН, M К ГЧ = ММ МР Б + ПН (в рассматриваемом примере M КГЧ = 80 <...> Результаты представленных исследований показали, что для малого разгонного блока массой не более 80 кг <...> The study shows that for a small space tug weighing no more than 80 kg, designed to perform a coplanar <...> Аппарат закрутки позволяет снизить температуру охлаждающего воздуха приблизительно на 80 °С.
Предпросмотр: Инженерный журнал наука и инновации №8 2022.pdf (0,8 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
.: (10*37517)239-97-54, факс: 239-97-80, E-mail: murom@premier-electric.com Издатели, учредители Подписано <...> Многие из сегодняшних «финансистов» вышли из технической среды 80-х, как и автор этих строк. <...> Средний уровень КПД у этих приборов составляет около 80%. <...> ...100 80...100 80...100 80...100 40 40 40 40 30 30 30 30 30 25 15 15 15 12 10 5 5 160...400 80...160 <...> °C) Выпр. мост IC brake, А (Th = 80 °C) IC inverter (Th = 80 °C) fswmax, кГц Òàáëèöà 2.
Предпросмотр: Силовая электроника №2 2004.pdf (0,5 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
" l, íì D, ãðàä 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 20 0 60 80 <...> 350 250 150 50 I, ìêÀ I, ìÀ l, íì P, ìêÂò I, îòí. åä. 1 10 10 2 10 3 10 4 Äëèíà âîëíû TEM00, íì T =80 <...> Ar 0 100 Âðåìÿ îáðàáîòêè â ïëàçìå, ìèí 0 Òîëùèíà ïë¸íêè, íì 5 10 15 20 0 a O2 60 O2 80 He 80 Ar 30 O2 <...> 30 Ar 55 O2 5 Ar 60 O2 0 O2 5 He 80 Ar 10 10 20 30 40 50 Âðåìÿ îáðàáîòêè â ïëàçìå, ìèí 0 Òîëùèíà ïë¸ <...> ñì3/ìèí ñì-1 O2 19,7 íì He 22,2 íì Òåðìè÷åñêèé îêèñåë 23,2 íì O2 23,9 íì He 80 ñì3/ìèí O2 5 ñì3/ìèí
Предпросмотр: Автометрия №5 2011.pdf (0,3 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
резонансный DC/DCпреобразователь в режиме заряда емкостного накопителя энергии 0с 20 мкс 40 мкс 60 мкс 80 <...> С/зар С разр 1 2 3 0 5 10 15 20 0 10 11 12 13 14 15 Напряжение батареи, В Ток заряда, А 0 20 40 60 80 <...> В эталонной системе, работающей с частотой переключения 80 кГц, приборы SMPD с напряжением стокисток <...> 800 В обеспечивают снижение потерь переключения на 21% при средней нагрузке и на 18% при нагрузке 80% <...> DC/DC-каскадом, обладающим достаточно высокой эффективностью, то устройство соответствует директиве «80
Предпросмотр: Силовая электроника №5 2022.pdf (0,1 Мб)
Автор: Хадыкин А. М.
Изд-во ОмГТУ
Изложены математические основы надежности, показатели долговечности, безотказности, ремонтопригодности и сохраняемости. Представлены аналитические зависимости между основными показателями надежности. Обоснован выбор показателей, а также определены факторы, влияющие на них. Предназначено для обеспечения учебных занятий по курсу «Основы надежности радиоэлектронных средств».
.— 80 с. — ISBN 978-5-8149-2053-9 .— URL: https://lib.rucont.ru/efd/451040 (дата обращения: 22.05.2024 <...> Омск : Изд-во ОмГТУ, 2015. 80 с. : ил. <...> -80, ГОСТ 25650-83 и ГОСТ 25870-73 для различных макроклиматических районов земного шара. <...> Омск : Изд-во ОмГТУ, 2007. 80 с. 53. Хадыкин, А. М. <...> Омск : Изд-во ОмГТУ, 2009. 80 с. 56. Хинчин, А. Я. Работы по теории массового обслуживания / А. Я.
Предпросмотр: Показатели надежности радиоэлектронных средств.pdf (0,4 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
0,176 38ХГМ 44 0,0 0 0 0 3,0 4 12 0,025 7,0 28 0,058 10,0 40 0,083 14,0 56 0,116 17,0 68 0,14 20,0 80 <...> Белослудцев 9 Íîìåð ãëàâíîé êîìïîíåíòû èñõîäíûé ñèãíàë îãèáàþùàÿ ñèãíàëà ïîòåíöèðîâàííûé ñèãíàë 90 80 <...> С. 74–80. 19. Shevchenko A. M. <...> Т. 59, № 5 qÃÍÑÑ, ãðàä 160 140 120 100 80 60 40 20 0 0,5 1 1,5 2 2,5 t, c . 104 Рис. 2. <...> 90 0 0,76 0,80 0,84 0,88 0,92 0,96 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ìàêñèìàëüíûé
Предпросмотр: Автометрия №5 2023.pdf (0,1 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
. / 0 , / t, c q.10 _3 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0 2 4 6 8 10 0 _2 10 20 30 40 50 <...> 60 70 80 90 100 t, c 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 0 Mw <...> t, c q.10 _3 j . 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0 2 4 6 8 10 0 _4 _2 10 20 30 40 50 60 <...> 70 80 90 100 t, c 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,4 1,2 0 <...> Uâûõ, % 1234567 40 20 60 80 100 0 1234567 DU, Â 20 40 60 80 0 125 125 125 2473 2473 2473 &
Предпросмотр: Автометрия №5 2010.pdf (0,3 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
. sHEMA USTANOWKI IZMERENIQ UGLOWOGO RASPREDELENIQ RASSEQNNOGO SWETA 2 1 _80 _60 _40 _20 0 20 40 60 80 <...> Kнига-Cервис» e. f. pEN 21 ab 2 4 1 524 526 528 530 532 534 536 538 540 500 510 520 60 64 68 72 76 80 <...> 530 540 550 Äëèíà âîëíû, íì Äëèíà âîëíû, íì Ïðîïóñêàíèå, % 75 76 77 78 79 80 Ïðîïóñêàíèå, % 5 1 4 22 <...> A. 1980. 80, Iss. 4. <...> P. 276{80. 17. Nikolaev N., Kuznetsov S., Beruete M.
Предпросмотр: Автометрия №1 2020.pdf (0,2 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
×80 IP65 Корпус из пластика АБС 4 Fenics WF05E 85/724 11,5 3 0,038 Ø19×134,5 3 режима яркости 5 КМ206 <...> ×80 (с), 110×90×35 (БП) IP54 Δtp= –20…+45 °С, 18 Экотон-8 –/2000 2 0,4 Ø70×215 IP67 D = 50 м, θ = 10° <...> IP54 КПД > 80% 22 СВГ-01 (АЗС-1-002) 2200 лк 10 3,7 0,49 127×64×36 IP54 23 СВГ 6П (Н) 40 16 3,7 0,65 <...> 15000 лк 6 6000 11,1 0,239 62×41×34 IP44 корпус из алюминиевого сплава, Ra = 80 7 BL-119 300 25 3,7 <...> 80 70 70 60 60 50 50 40 40 30 30 20 20 10 0 10 Рис. 8.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №6 (0) 2023.pdf (0,1 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
, ПП РФ от 24.12.2020 N 2255) Светодиодная лампа (CRI = 80, требования экодизайна, этап 1, с 2013 г.) <...> Светодиодная лампа (CRI = 80, требования экодизайна, этап 3, с 2016 г.) 500 94 86 82 54 130 95 23 57 <...> Функциональные требования к источникам света Цветопередача CRI ≥ 80 (за исключением источников света, <...> вне помещений, промышленных или других применений, где стандарты освещения допускают значения CRI< 80 <...> вне помещений, промышленных или других применений, где стандарты освещения допускают значение CRI< 80
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №4 2022.pdf (0,3 Мб)
Журнал является официальным журналом Российской Ассоциации Радиологов (РАР). История старейшего в России медицинского журнала начинается с 1920 года. Журнал, посвященный в настоящее время вопросам лучевой диагностики и лучевой терапии, стоит у истоков развития Российской рентгенологии и радиологии. В журнале находят отражение такие методы медицинской визуализации как традиционная рентгенодиагностика, рентгеновская компьютерная и магнитно-резонансная томография, ультразвуковая и радионуклидная диагностика, ангиография и рентгенохирургия.
В журнале освещаются наиболее актуальные вопросы медицинской визуализации в кардиологии, неврологии, онкологии, лучевой диагностики заболеваний скелетно-мышечной системы, органов дыхания, желудочно-кишечного тракта, малого таза. Большое место занимают научные статьи и обзоры по вопросам радиобиологии, дозиметрии и радиационной защиты. Традиционно широко освящаются проблемы рентгенохирургии и рентгеноэндоваскулярных методов диагностики и лечения в различных областях медицины.
Границей нормальных значений считали 80% должной величины (д.в.). <...> 200 200 180 160 140 120 100 80 60 Масса ЛЖ (ОЭКТ), г Масса ЛЖ (МСКТ), г 20 30 40 50 60 70 80 80 70 60 <...> На сегодняшний день она пред50 100 150 200 250 300 0 -20 -40 -60 -80 -100 -120 -140 Среднее значение <...> Med. 2011; 36: 776–80. 10. <...> Europace. 2017; 19: 573–80. 11.
Предпросмотр: Вестник рентгенологии и радиологии №3 2019.pdf (2,6 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 30 awtometriq. 2018. t. 54, 4 Òðåóãîëüíàÿ ïðèçìà 80 <...> MODULQTOR, 3 | MEMS, 4 | OB_EKTIW, 5 | OTKLONQ@]AQ PRIZMA, 6 | SUMMIRU@]AQ PRIZMA, 7 | FOTOPRI80 <...> Vñì ×óâñòâèòåëüíîñòü àìïëèòóäû êîëåáàíèé, íì/Â 25 30 35 40 45 50 120 100 80 60 40 rIS. 6. zAWISIMOSTX <...> hARAKTERISTIKA WOLOKNA zNA^ENIE SMF zATUHANIE NA DLINE WOLNY 1550 NM 0,2 Db/KM |FFEKTIWNAQ PLO]ADX 80 <...> A. 2009. 80. 063616. pOSTUPILA W REDAKCI@ 6 FEWRALQ 2018 G.
Предпросмотр: Автометрия №4 2018.pdf (0,2 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
NEKOTOROJ SLU^AJNOJ DOBAWKOJ, ODNAKO W N80 <...> 100 120 2 1 0 v . k 20 40 60 80 100 120 2 1 0 vf . k 20 40 60 80 100 120 2 1 0 i rIS. 4. nERAWNOMERNOSTX <...> jGSj rIS. 5. pROSTRANSTWENNYJ SPEKTR POMEHI DLQ UGLOW PRIHODA: 1 | P = 10, 2 | P = 40, 3 | P = 80 <...> 80 110 100 90 120 130 140 150 70 rIS. 6. zAWISIMOSTI WYIGRY[A q OT UGLA PRIHODA POMEHI P PRI RAZLI <...> DLQ KORNEWOGO METODA (a), PEREHODNYJ PROCESS SISTEMY (b) Âðåìÿ, ñ Àìïëèòóäà 0 10 20 30 40 50 60 70 80
Предпросмотр: Автометрия №3 2021.pdf (0,2 Мб)
Автор: Литвинов И. И.
Изд-во НГТУ
Приведены основные сведения о параметрических, компенсационных и импульсных источниках питания постоянного тока для микроэлектронных устройств. Рассмотрены принципиальные схемы источников питания в целом, а также их структурных составляющих: силовых трансформаторов, выпрямителей, сглаживающих фильтров и стабилизаторов напряжения. Изложена методика выбора всех микроэлектронных элементов источников питания с рассмотрением конкретных числовых примеров. Дано руководство по работе в программном пакете Tina TI (разработчик – Texas Instruments) для моделирования работы источников питания. Представлены результаты исследовательской работы по технико-экономическому обоснованию вариантов схем источников питания.
В тексте даны QR-коды и ссылки для мгновенного перехода к дополнительным образовательным ресурсам, содержащим описанные в пособии математические модели, обучающие видеоролики и пр.
трансформаторов .................................................................................. 80 <...> со следующими параметрами нагрузки: номинальное напряжение ±10 В, минимальный ток нагрузки I нmin 80 <...> Уточним сопротивление нагрузки в минимальном R н min и максимальном режиме R н max: н н min н max 3 10 80 <...> Исходя из предыдущего выражения, определяем его следующим образом: н d . d A IR R mU mR (80) Все <...> max 0,25 0,25 26 14,44 Ом. 0,45 U R I Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80
Предпросмотр: Электроника. Проектирование источника питания микроэлектронных устройств.pdf (0,3 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
Крутизна характеристики 7,4 S 9,8 S Входная емкость Ciss, пФ 1915 950 Выходная емкость Coss, пФ 120 80 <...> При этом пиковый обратный ток IXFX80N60P3 меньше на 30%, а суммарная энергия потерь на 80% меньше, чем <...> MOSFET Наименование Пиковый ток, А Eon, мДж tri, нс tfv, нс di/dt, А/нс trr, нс IRRM, A IXFX80N60P3 80 <...> Теперь модули способны выдерживать воздействие импульсов с амплитудой 80 В и длительностью 50 мс без <...> Вт: Pt = Irms 2 × rcc’-ee’ = 80 Вт.
Предпросмотр: Силовая электроника №6 2013.pdf (0,5 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
мкм, были известны: удельное сопротивление ρ20 °С =0,22 мкОм·м, μ=700, Bs=2,1 Тл, Br = 0,2 Тл, Hc = 80 <...> 1,8 1200 17 12 1,8 1 E1-Pack MIXA10WB1200TMH 2 MIXA20WB1200TMH 28 20 1,8 1,26 MiniPack MUBW40-12T7 80 <...> 0,94 600 75 50 1,9 0,5 E3 MUBW50-12A8 1200 85 60 2,2 0,35 MUBW50-12E8 90 62 1,9 0,35 MUBW50-12T8 1 80 <...> • Диоды выпрямителя D11–D16: – максимальный выпрямленный ток выпрямителя Idavm — 105 A (при Тvj = +80 <...> Он позволяет обеспечить Кп порядка 30–80 дБ в диапазоне частот 0,15–10(30) МГц.
Предпросмотр: Силовая электроника №5 2011.pdf (0,7 Мб)
Сиб. федер. ун-т
Изложены краткие теоретические сведения об электронных компонентах.
Приведена методика выполнения лабораторных работ по исследованию их характеристик.
характеризуются высокой температурной стабильностью параметров в диапазоне температур от минус 60 до 80 <...> М33 П33 П100 МП0 П100 П33 МП0 М33 М47 М75 М1500 М220 М330 М470 С/С, % Т, С 4 -4 -6 -2 2 -20 20 40 80 <...> 120 С/С, % Т, С М750 М1500 –4 0 –8 –12 –16 4 8 12 16 –40 20 40 80 120 Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» <...> , % С/С, % С/С, % 20 40 0 –20 –40 –60 –40 –20 0 20 40 60 Т, С Т, С 0 1 2 3 2 3 1 1 3 2 –40 0 40 80 <...> Конструктивные параметры катушек по формуле (3.4): Dk = 1,3 мм, N = 80 витков, l = 0,4 мм, t = 0,3 мм
Предпросмотр: Электронные компоненты учебное пособие (гриф УМО).pdf (1,1 Мб)
Автор: Богачков И. В.
Изд-во ОмГТУ
Учебное пособие состоит из четырёх частей. Рассмотрены методы анализа, описаны основные классы СВЧ-устройств и линий передачи УВЧ и СВЧ, приведены примеры практических конструкций. В первой части рассмотрены матричные методы анализа линеаризованных СВЧ-устройств, приведены примеры анализа СВЧ-устройств с использованием различных методов, описаны матрицы рассеяния базовых элементов, а также разработанная под руководством автора программа для анализа линейных СВЧ-устройств «ПАПИРУС» и порядок работы с ней.
≤ π ⋅ π⋅ +> π Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 <...> Таблица 1 № варианта 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Zв, Ом 50 45 55 75 60 70 100 80 90 30 λ, см 5.0 4.8 3.2 3.0 <...> 3.4 4.4 3.7 2.7 2.5 4.2 Rн, Ом 30 40 45 60 70 80 65 90 100 50 Xн, Ом –50 –30 –40 –20 –50 30 –50 50 20 <...> 120 160 70 140 180 90 130 λ, см 2.0 3.3 1.2 1.0 2.4 1.4 1.7 1.5 2.5 1.2 Rн, Ом 80 90 65 90 120 80 95 <...> 90 65 140 100 50 Xн, Ом 80 –60 40 20 –50 30 –10 40 –20 10 l, см 1.1 –1.3 1.4 –1.2 1.5 –1.6 1.3 –1.1
Предпросмотр: Устройства СВЧ в 4 ч., Ч. 1 Матричные методы анализа СВЧ-устройств.pdf (0,6 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
Значений КПД распространенных ИП (70–80%) для достижения современных требований по энергоэффективности <...> Стержни (и т. п.) длиной не более 80 мм. <...> Оптика светильника, в виде падающей капли диаметром 80 мм, выполнена из прозрачного акрилового стекла <...> Общий световой поток составил 500 лм с общей светоотдачей 80 лм/Вт. <...> Толщина линзы у фонарей IL-80 и IL-800 Zone 0 составляет 5 мм, ML808 — 3 мм.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №5 2015.pdf (0,7 Мб)
«Технологии в электронной промышленности» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка печатных плат, о фирмах, работающих на рынке производства электроники. Тематически журнал охватывает все сферы производства печатных плат и ориентирован прежде всего на технологов и конструкторов, работающих в электронной промышленности.
Оптимизация тепловых режимов работы электрических соединителей . . . . . . . . . .80 Электронные и ионные <...> Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да 160 160 100 160 160 160 120 120 208 100 90 80 <...> 80 80 80 96 160 96 160 80 264 264 132 100 200 128 144 180 90 90 118 118 220 220 140 180 260 156 Нет <...> Да Да Да Да Да Да Нет Нет Да Да Да Нет Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да Да 8 2 8 80 <...> NM-EJM8A NM-EJM6A NM-EJM5B AIM AX-501 AX-301 XII XII XII X X X SM SM PlaceAll NXT MX MX MX MX MX M-80
Предпросмотр: Технологии в электронной промышленности №2 2008.pdf (0,9 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
.67 Выставка «АСПП-Сибирь». . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .80 <...> D3PAK APT30SCD120B 1200 30 291 200 TO-247 APT30SCD120S 1200 30 291 200 D3PAK APT10SCD65K 650 10 63 80 <...> TO-247 Двойные (с общим катодом) APT10SCD120BCT SCD 1200 210 1,5 125 30 TO-247 APT10SCD65KCT 650 63 80 <...> 273 TO-247 APT40SM120S D3PAK APT40SM120J 165 SOT-227 APT80SM120B 80 40 625 TO-247 APT80SM120S D3PAK <...> Это примерно в шесть раз выше типового значения 80 В/нс, приводимого для SiC JBS-диодов с напряжением
Предпросмотр: Силовая электроника №2 2016.pdf (0,1 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
PEREMNOVENIQ WHODNOGO SIGNALA X(t) I SIGNALOW OPORNOGO GENERATORA cos ( t) I sin ( t) S ^ASTOTOJ = 80 <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 58 awtometriq. 2019. t. 55, 3 20 40 60 80 <...> 600 200 0 100 50 200 150 250 0 1000 3000 4000 2000 0 2000 1000 3000 4000 5000 6000 7000 0 20 40 60 80 <...> IMDB Wiki LAP Adience 0 FG-NET MegaAge MegaAgeAsian CARC 020 20 40 60 80 100 0 40 60 80 20 40 60 750 <...> TOK, MKa/MKM | 80 | 1100{50 000 ~UWSTWITELXNOSTX K OTNOSITELXNOJ DEFORMACII 10 6 10 6 10 6 <6 10
Предпросмотр: Автометрия №3 2019.pdf (0,2 Мб)
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана
Освещаются вопросы по направлениям: информатика и вычислительная техника; системы управления; радиоэлектроника, оптика и лазерная техника; гироскопические навигационные приборы; технология приборостроения, биомедицинская техника и технология.
Миниатюрные волновые твердотельные гироскопы для малых космических аппаратов . . . . . . . . . . . 80 <...> Solids for Small Spacecraft . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 <...> С. 71–80. 14. Выломова Е.А. <...> The influence of the structural elements of the resonator on its 80 ISSN 0236-3933. <...> По скорости газовыделения при температурах 150, 110 и 80 ◦С по формуле Аррениуса вычислялась энергия
Предпросмотр: Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Серия Приборостроение №4 2014.pdf (0,2 Мб)
Автор: Кашкаров А. П.
М.: ДМК Пресс
Альтернативные источники энергии - ветер и солнце являются постоянно возобновляемыми, практически вечными видами энергии. В данной книге автор раскрывает особенности современных преобразователей энергии солнца и ветра, их выбора, строения и установки. Целая глава книги посвящена нетрадиционным радиоэлектронным конструкциям. В приложениях даны справочные данные и другая полезная информация.
Подогрев почвы из подручных средств ......................80 4.2. <...> -12 12 80 18 TSM-80-024 24 80 TSM-170-24 24 170 29 TSM-220-24* 24 220 30 TSM-220A-21 21 220 28 TSM-210C <...> Рабочая температура от –40° C до +80° С Рис. 1.13. <...> солнечной батареи Коэффициент превращения солнца 15-17% Сила тока солнечной батареи при Uвых=5,5 В, 80 <...> 2×17 ВН1.27-40 40 контактов 2×20 ВН1.27-50 50 контактов 2×25 ВН1.27-68 68 контактов 2×34 ВН1.27-80 80
Предпросмотр: Ветрогенераторы, солнечные батареи и другие полезные конструкции.pdf (0,2 Мб)