539.2Свойства и структура молекулярных систем
← назад
Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
Омский госуниверситет
Практикум включает 4 лабораторные работы по курсу "Молекулярная физика и термодинамика". Для студентов физического и химического факультетов.
27 20 12 5 16 100 90 81 71 62 54 46 37 30 22 15 8 17 100 90 81 72 64 55 47 39 32 24 17 10 18 100 91 82 <...> 73 65 56 49 41 34 27 20 13 19 100 91 82 74 65 58 50 43 35 29 22 15 20 100 91 83 74 66 59 51 44 37 30
Предпросмотр: Моекулярная физика и термодинамика лабораторный практикум.pdf (0,2 Мб)
Автор: Гуськов
М.: ПРОМЕДИА
Предлагается оригинальный алгоритм стохастического моделирования роста двухкомпонентного кристалла, в состав которого может входить как основное вещество, так и примесь. Показано, что в зависимости от ряда параметров модели возможно получение как равномерного, так и квазипериодического распределения примеси, т. е. формирование зонарной микроструктуры кристалла. Проведен анализ условий, приводящих к неравномерному распределению примеси. Получено качественное согласие результатов моделирования с экспериментальными данными.
Поволжский регион 82 Рис. 2 Присоединение (1) и отрыв (2) РЕ от поверхности кристалла Пусть Pi и Pj – <...> Meakin [et al.] // American Mineralogist. – 1997. – V. 82. – P. 596–606. 3. Smolsky, I. L.
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
кОм R21 5.1 кОм R20 5.1 кОм C24 10 мкФ C26 220 мкФ C23 47 мкФ C22 105 мкФ C25 100 мкФ + + + + + L2 82 <...> мкГн L3 82 мкГн U интерфейсов X5 X6 X7 USB Type C Микро USB C21 0.1 мкФ VT3 AO3400 1 2 3 4 5 6 7 8 16 <...> Chernogolovka; 2020. 82 p. <...> С. 75–82. 20. Великопольская Н.А., Родригес-Данилевская В.И. Учебник испанского языка. <...> Р. 75–82 (in Russ.). 20. Velikopolskaya N.A., Rodriguez–Danilevskaya V.I.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №5 2022.pdf (1,1 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
«БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» Дискриминантный анализ параметров вариационной пульсометрии 82 <...> 28.8 25-38 pNN50, % 2.5 1.8 1.9 1.4 1.1 1.7 1-18 dRR, мс 321 329 368 383 383 356.8 300-450 ЧСС 79 81 82 <...> 228 606 27 14 0.6 359 436 7.2 164 1.2 84 87 4.5 2.7 10 796 65 112 782 21 15 1 363 578 11.2 81 0.9 69 82 <...> Физиология человека. 2002;2:70-82. 16. Ходырев Г.Н., Хлыбова С.В., Циркин В.И., Дмитриева С.Л. <...> Fiziologiya cheloveka = Human Physiology. 2002;2:70-82 (in Russ.). 16.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №3 2020.pdf (1,5 Мб)
Автор: Иванов
Показана неэффективность традиционного эксперимента по рассеянию электронов зонда на свободных молекулах (атомах), препятствующая развитию дифракционного структурного метода газовой электронографии. Использование молекулярного пучка позволило определить количественный показатель эффективности процесса получения интенсивности рассеяния. в качестве технической характеристики комплекса электронографического оборудования предложена величина эффективного сечения на молекулах остаточного газа. Составлена номограмма определения числа молекул для вещества в объеме облучения, необходимого для достижения на детекторе (в области максимального радиуса сектора) заданной плотности рассеянного заряда.
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 ВЕСТН. МОСК. УН-ТА. СЕР. 2.
Автор: Гнюсов С. Ф.
Изд-во ТПУ
В монографии обобщены результаты, полученные при воздействии
концентрированных потоков энергии на конструкционные и инструментальные стали, композиционные материалы и твердые сплавы. Приведены данные об использовании концентрированных потоков энергии в промышленности. Особое внимание уделено систематическому исследованию структурно-фазового состава композиционных покрытий на основе быстрорежущей стали, полученных в условиях вакуумной электронно-лучевой наплавки.
КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОКРЫТИЙ ................................................................................... 82 <...> композиционных покрытий «сталь Р6М5-WC» ................................................................... 82 <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 Глава 4 ИЗНОСОСТОЙКОСТЬ КОМПОЗИЦИОННЫХ <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 105 82. <...> повышения эффективности сварочного производства»: 15–17 ноября // Тольятти: ТГУ, 2006. – Ч. 1. – С. 82
Предпросмотр: Электронный луч в формировании неравновесных структур.pdf (0,4 Мб)
Автор: Рит Михаэль
Регулярная и хаотическая динамика
Нанотехнология - это технология работы с молекулами. Прогнозируется, что ее развитие приведет к революционным успехам в медицине, электронике, информационных технологиях, энергетике и других областях человеческой деятельности. Данная монография является живым и образным введением в методы и задачи наноинженерии. В ней отражены сложности, возникающие при проектировании и конструировании вычислительных наноустройств. Детально рассмотрены этапы развития этого нового направления в науке. Основное внимание уделяется методу молекулярной динамики, который применяется для анализа нового класса задач, направленных на исследование свойств атомных кластеров (которые, в свою очередь, являются основой для наноустройств). Приводятся полные сведения из области смежных фундаментальных наук (биологии, физики, химии, информатики и техники), необходимые для понимания излагаемого в работе материала.
Одной из них является небольшая, быстрая и надежная программа DTA [82; 83]. <...> материалов составляют упорядоченная струкCopyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 <...> Rapport d’activit´e scientifique du CECAM. 1984. 82. 11. Animalu A. O. E., Heine V. // Phil. <...> Phys. 1997. 82. 10. 73. Koonin S. E., Meredith D. C. Computational Physics. <...> Stat., 1972. 43. 645. 82. Mason D. K. DTA (Dave’s TGA Animation Program) Rel. 2.0.7., P. O.
Предпросмотр: Наноконструирование в науке и технике. Введение в мир нанорасчета..pdf (0,1 Мб)
Автор: Чернышев А. П.
Изд-во НГТУ
В настоящее время идет быстрое развитие элементной базы микроэлектроники. Элементная база изменяется на всех уровнях характерных размеров: от нанометровых элементов микроэлектроники, построенных с применением наночастиц, нанопроволоки и тонких пленок, до электронных компонентов с геометрическими размерами элементов порядка нескольких микрометров. Специальный курс физики позволяет познакомить студентов с основными физическими принципами, положенными в основу разработки и использования современной элементной базы микроэлектроники. Для этого студенты изучают соответствующие разделы квантовой механики, физики твердого тела и
квантовой оптики. Настоящее пособие призвано помочь в изучении
специального курса физики как на аудиторных занятиях, так и при самостоятельном изучении.
dmm E x dx . (5.45) Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 <...> для самопроверки ................................................................................... 82
Предпросмотр: Введение в физику твердого тела и нанофизику. Специальный курс физики.pdf (0,5 Мб)
Автор: Салеев В. А.
Изд-во Самарского университета
В пособии представлено практическое введение в работу с квантовомеханическими программными пакетами для моделирования физико-химических свойств кристаллических твердых тел. Подробно описаны способы расчета структурных, механических и электронных свойств кристаллов в коммерческих пакетах VASP и CRYSTAL. Подготовлено на кафедре общей и теоретической физики.
Расчет физических свойств в CRYSTAL .............................. 82 3.6. <...> Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 3.5.
Предпросмотр: Квантовомеханическое моделирование свойств кристаллов в ab initio программных пакетах.pdf (0,7 Мб)
Автор: Вольфсон С. И.
КГТУ
В монографии рассмотрены причины возникновения механодеструкции элстомеров, смеси эластомеров, и их наполненных композиций, предложен оригинальный реологический подход к оценке возможности процесса механодеструкции.
100 – 25 194 523 853 77 255 585 10 9 1 73 27 50 177 488 839 83 257 540 13 10 3 46 54 75 182 551 860 82 <...> % [82-84]. ( ! ! <...> M T η = ⋅ − ⋅ ⋅ , (E (3.8), ( ) 3 , 4 2 17 6 0 2 , 82 10 exp 1 , 24 10 exp 0 , 043 1 <...> 393 . @ & & Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 <...> A. – 1972. – V. 6. – < 8. – P. 1653-1664. 82. Kuhn, W.
Предпросмотр: Реология и молекулярные характеристики эластомерных композиций. Монография.pdf (0,1 Мб)
Автор: Антонова И. В.
Изд-во НГТУ
Целью курса является формирование знаний о физико-химических закономерностях и технологиях получения современных тонкопленочных (монослойных) наноматериалов, их свойствах и новых явлениях, обусловленных предельно малой толщиной и влиянием подложек и соседних монослоев; об экспериментальных методиках исследования свойств монослойных материалов; о физических принципах создания нового поколения быстродействующих приборов и устройств на основе монослойных материалов, конструкциях и технологиях создания приборных структур на их основе, базовых физических принципах их функционирования, характеристиках и особенностях применения.
W = 25 мкм, отношение токов в открытом и Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 <...> Графеноподобные материалы ................................................................... 82 Заключение
Предпросмотр: Графен и другие двумерные материалы свойства и методы получения.pdf (0,5 Мб)
М.: ПРОМЕДИА
Исследуется управляемость диссипативного туннелирования в системе туннельно-связанных квантовых точек (квантовой молекуле) или системе "игла кантилевера АСМ/СТМ - квантовая точка", моделируемых двухъямным осцилляторным потенциалом, взаимодействующим с термостатом, во внешнем электрическом поле. Полученные результаты качественно соответствуют отдельным экспериментальным ВАХ для системы "платинированная игла кантилевера АСМ/СТМ - циркониевая квантовая точка", полученным в НИФТИ при ННГУ им. Н. И. Лобачевского.
Поволжский регион 82 металлической квантовой точки из коллоидного золота [9] во внешнем электрическом
Автор: Твердохлеб П. Е.
Изд-во НГТУ
Пособие посвящено изучению отражающих и пропускающих свойств тонких диэлектрических пленок с единых позиций волновой теории электромагнитного поля. Моделью пленки является трехслойная диэлектрическая структура: «подложка–пленка–защитный слой». Изложены физические основы работы такой структуры в режимах прохождения ТЕ- и ТМ-поляризованных световых волн, в том числе и с полным внутренним отражением на нижней границе раздела диэлектрических сред. Получены формулы для нахождения амплитудных и энергетических коэффициентов отражения и пропускания диэлектрических пленок. Исследованы зависимости таких коэффициентов от
длины волны, углов наклона и состояния поляризации световых волн,
а также от оптической толщины пленок. Включены вопросы, задачи и
расчетно-графические задания, способствующие более глубокому пониманию физических процессов распространения и преобразования световых волн в тонких диэлектрических пленках и методов их компьютерного моделирования.
Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМЫХ ЛИТЕРАТУРНЫХ ИСТОЧНИКОВ <...> ....... 80 Список рекомендуемых литературных источников ........................................... 82
Предпросмотр: Оптические свойства тонких диэлектрических пленок.pdf (0,4 Мб)
Автор: Ватульян А. О.
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ
В монографии рассмотрены граничные и коэффициентные обратные задачи для однородных и неоднородных упругих и электроупругих тел, в которых дополнительной информацией для их решения являются граничные волновые поля, измеренные в поверхностных или частотных областях. Изложен метод неклассических граничных интегральных уравнений первого рода с гладкими ядрами и его применение к решению граничных задач по определению векторов смещений и напряжений на недоступных для измерения участках границы. Предоставлены методы определения пьезоэлектрических характеристик неравномерно поляризованных стержневых пьезоэлементов. Доказаны теоремы единственности решения обратных задач, приведены численные примеры их решений, в том числе на основе сочетания граничных интегральных уравнений и метода конечных элементов.
Имеется ряд отечественных и зарубежных монографий [7], [12], [25], [64], [78], [82], [89], [99], [101 <...> Рис. 3.3 Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 Рис. 4.4: Серия расчетов по восстановлению <...> С. 82 18. Белоконь А. В., Соловьев А. Н. <...> С. 3–62. 82. Латтес Р., Лионе Ж.-Л. Метод квазиобращения и его приложения. М.: Мир, 1970. 83. <...> A doubly iterative BEM for solving crack closing in an elastic body // Computers and Structures 82 (2004
Предпросмотр: Прямые и обратные задачи для однородных и неоднородных упругих и электроупругих тел.pdf (0,3 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
Интеллектуальный капитал организации: сущность, структура, подходы к оценке 82 Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ <...> Intellectual capital of the organization: the essence, structure, approaches to evaluation 82 Copyright <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 Российский технологический журнал 2018 <...> В своей работе [3, с. 82] Т.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №2 2018.pdf (0,9 Мб)
Автор: Лепешев А. А.
Сиб. федер. ун-т
Рассмотрена физикохимия процессов формирования аморфных и нанокристаллических материалов при плазменном напылении. Описаны теплофизические особенности высокоскоростной закалки расплава при формировании материалов с неравновесной структурой. Предложена критериальная оценка структурного состояния напыляемых слоев. Особое внимание уделено комплексным исследованиям структурного состояния и физико-химических свойств широкого спектра соединений металлов (Fe–B, Co–Fe–Ni–B–Si, Al–Fe–Cu) и керамик (ферритов и композиций на их основе, высокотемпературных сверхпроводников). Приведены примеры практического применения напыленных аморфных и нанокристаллических материалов.
Известно [82], что крутой спад намагниченности насыщения до нуля либо более или менее ярко выраженный <...> лента, изготовленная в ИПС ЦНИИЧМ 2 1 3 Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 <...> P. 1711–1712. 82. Вонсовский С.В. Магнетизм. M.: Наука, 1971. 1032 с. 83. <...> Т. 82. № 5. С. 1518–1531. 86. Игнатченко В.А., Исхаков Р.С. <...> Свободный, 82а Тел.
Предпросмотр: Плазменное напыление аморфных и нанокристаллических материалов.pdf (0,6 Мб)
Автор: Головкина М. В.
Изд-во ПГУТИ
Книга представляет собой курс лекций по учебной дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики», рассматривающий основные явления, принципы и экспериментальные достижения нанофотоники. В книге на высоком физико-математическом уровне описываются вопросы распространения и взаимодействия света в пространственно-ограниченных наноструктурах, рассматриваются свойства различных наноструктурированных материалов, а также вопросы их практического использования.
Комбинационное (рамановское) рассеяние ........ 82 6.6. <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 6.5. <...> Комбинационное (рамановское) рассеяние ........ 82 6.6. <...> Они являются компонентами рассеяния Мандельштама-Бриллюэна (рис.6.3). 82 6.5.
Предпросмотр: Конспект лекций по учебной дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики» по направлению подготовки 200700.pdf (0,6 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
Результаты идентификации при изменении ракурса Ракурс POSIT, % SVM, % Авторский (ТА), % (0°, 15°) 82 <...> ± 4 85 ± 2 99 ± 4 (15°, 30°) 80 ± 3 81 ± 3 98 ± 3 (30°, 45°) 79 ± 4 80 ± 4 97 ± 3 (45°, 60°) 81 ± 5 82 <...> archive.org/details/theoryofgamesast0000brai Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 <...> 2175 3262 38 =− (+ ) (+ ) × ×−+ {() +(+ ) −+ () } ν ∆ , bk 63 =31 (+ )bb ,74 =− 5 b , ∆0 10 27 2 52 82
Предпросмотр: Российский технологический журнал №5 2021.pdf (1,0 Мб)
Автор: Зимин С. П.
ЯрГУ
В монографии излагается современное состояние науки о формировании, исследовании и свойствах наноструктурированных полупроводников халькогенидов свинца PbX (X = Те, Se, S). Рассмотрены размерные эффекты в изучаемых материалах, подробно обсуждены новые подходы создания низкоразмерных систем на основе электрохимических и плазменных процессов.
Сверхрешетки со слоями квантовых точек PbSe/Pb1−xEuxSe были рассмотрены в работе [82]. <...> В работе [82] интервал составлял 7%, а в [84] – 26%. <...> Рис. 82. <...> Lett. – 2003. – Vol. 82, № 17. – P. 2895–2897. 54. Lu W., Fang J., Stokes K. L., Lin J. <...> Lett. – 2006. – Vol. 97. – P. 266103. 82. Pinczolits M., Springholz G., Bauer G.
Предпросмотр: Наноструктурированные халькогениды свинца монография.pdf (1,1 Мб)
Автор: Вольфсон С. И.
КГТУ
Показано влияние условий переработки эластомерных
композиций на изменение молекулярных характеристик
каучуков и основные физико-механические свойства резиновых
смесей и вулканизатов. Рассмотрена взаимосвязь молекулярных
и реологических характеристик эластомеров.
При 373 К имеет место уравнение вида: 18 4 , 1 0 1 , 75 10 M w h = × , Па·с, (2.5) В работах Ясуды [82 <...> ( ) 4 , 1 2 21 5 0 1 , 7 10 exp 9 , 44 10 w ПИ M T h = × × × , Па·с , (2.8) ( ) 3 , 4 2 17 6 0 2 , 82 <...> 530 630 670 600 488 Сопротивление раздиру, кН/м 94 87 84 90 92 89 71 84 Истираемость по Шопперу, см3 82 <...> Виноградов // Механика полимеров. – 1978. – №3. – С.514518. 82. Yasuda, G.
Предпросмотр: Влияние молекулярных характеристик каучуков на Реологические свойства наполненных композиций и физико-механические свойства резин. Учебное пособие.pdf (0,3 Мб)
Автор: Миронова Татьяна Фёдоровна
РИЦ СГСХА
В монографии освещается современное состояние вопросов влияния импульсных нагружений на процессы фазообразования и характер взаимодействия металлов с атомами внедрения в широком температурном интервале, включая криогенные температуры. Выясняется роль импульсных упругих деформаций различного вида в образовании твердых растворов и фаз при взаимодействии металлов с легкими элементами. Рассматриваются различные факторы влияния импульсной пластической деформации на скорость массопереноса и особенности фазообразования в металлах и сплавах. Предлагается возможная модель процесса взаимодействия металлов с элементами внедрения при импульсной пластической деформации.
ккал/моль D0, см2/с Q, ккал/моль Углерод (14C) 2,0∙10-2 20,1 1,6∙10-2 8,8 ± 0,5 Хром (51Cr) 3,0∙104 82 <...> Ионная цементация // Техника машиностроения. – 2002. – №1. – С. 77-80. 82. Арзамасов, Б. Н. <...> 126, 132, 133 Аморфная фаза, 28, 36 Анод, 47, 48, 85 Аргон, 21, 24, 25, 26, 29, 30, 75, 76, 77, 78, 82 <...> 41, 42, 43, 55, 56, 58, 59, 60, 61, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 71, 72, 74, 75, 76, 77, 78, 80, 81, 82 <...> Песчаная, 1, оф. 310 Тел. (846) 267-36-82.
Предпросмотр: Влияние импульсных нагружений на фазообразование и взаимодействие металлов с атомами внедрения.pdf (2,6 Мб)
Автор: Головкина М. В.
Изд-во ПГУТИ
Книга представляет собой учебное пособие по дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики», рассматривающий основные явления, принципы и экспериментальные достижения нанофотоники. В книге на высоком физико-математическом уровне описываются вопросы распространения и взаимодействия света в пространственно-ограниченных наноструктурах, рассматриваются свойства различных наноструктурированных материалов, а также вопросы их практического использования. Учебное пособие рассчитано на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработано в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014.
Комбинационное (рамановское) рассеяние ........ 82 6.6. <...> qN (6.9) Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 <...> Википедия https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%AD%D1%84%D1%84 %D0%B5%D0%BA%D1%82%D0%B8%D0%B2%D0%B D%D0%B0%
Предпросмотр: Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики учебное пособие.pdf (0,8 Мб)
М.: Институт компьютерных исследований
Приведены результаты численных исследований течения и теплообмена растворов и расплавов полимеров в отверстиях фильер для формования химических волокон. Изучено влияние геометрических размеров отверстий, реологических и теплофизических свойств полимеров на рабочие характеристики фильер. Приведено описание конструкций фильер и геометрии каналов для выпуска различных видов волокон, а также влияние точности изготовления отверстий на качество получаемых волокон.
Полиакрилонитрильное 1,0 13 400 Хромоникелевая сталь Au/Pt Вискозное 1,5 13 400 То же Ta Вискозное 1,5 82 <...> машиностроительной технологии можно изготовить фильеры практически с любым числом отверстий, например 82 <...> 1,0, Re 2 = 0,02; б — n = 1,0 , Re 2 = 114; в — n = 0,4, Re 2 = 0,2; цифры у кривых — значения ψψ ст 82 <...> Например, для всего диапазона расходов осевая скорость на входе развита на 82–84 %, а значение max * <...> Патент 781609 (Великобритания). 82. Патент 2667148 (США). 83. Патент 754866 (Великобритания). 84.
Предпросмотр: Течение полимеров в отверстиях фильер. Теория, расчет, практика.pdf (0,2 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
Это было осуществлено путем замены резисторов R2 и R4 на резисторы величиной 82 кОм, рассчитанной в соответствии <...> Kнига-Cервис» Метод измерения деформаций магнитоактивных эластомеров под действием магнитных полей 82
Предпросмотр: Российский технологический журнал №4 2019.pdf (1,5 Мб)
М.: Лаборатория знаний
Представлены описания лабораторных работ для студентов 2–3-х курсов, обучающихся по специальностям «Нанотехнологии в электронике» и «Квантовая электроника». В ходе выполнения работ студенты ознакомятся с некоторыми методами получения наночастиц и нанокомпозитов, приобретут навыки работы с объектами нанометрового размера и овладеют современными физико-химическими методами исследования. Каждый цикл работ предваряется теоретическим введением, которое может играть роль краткого конспекта лекций.
. . 77 Оптическая спектроскопия. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82 <...> высоту для функций PSF(0, U) и PSF2(0, U) Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 <...> . . 77 Оптическая спектроскопия. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82 <...> высоту для функций PSF(0, U) и PSF2(0, U) Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82
Предпросмотр: Методы получения и исследования наноматериалов и наноструктур. Лабораторный практикум по нанотехнологиям.pdf (0,4 Мб)
Автор: Васильев В. Ю.
Изд-во НГТУ
Рассмотрены вопросы методологии и технологии создания тонких пленок (ТП) неорганических материалов осаждением из газовой фазы для использования в технологиях микро- и наноэлектроники. Пособие создано на основе исследовательской и публикационной активности автора в течение 40 лет; развиты и обобщены результаты исследований, начатых в 1970-х годах в Институте физики полупроводников Академии наук СССР и исследовательских отделах предприятий электронной промышленности г. Новосибирска. Рассмотрена совокупность вопросов, связанных с методологией и
технологией получения высококачественных ТП для изделий микроэлектроники, показана возрастающая роль ТП технологий в технологических маршрутах изготовления изделий, рассмотрены тенденции развития, типы и характеристики оборудования для процессов производства ИМС, технологические процессы получения различных ТП материалов на основе кремния, свойства ТП материалов. Учебное пособие разработано в соответствии с рабочей программой учебной дисциплины «Семинары по специальности», образовательная программа: 11.04.04. «Электроника и наноэлектроника», магистерская программа «Микро- и наноэлектроника».
. – Рр. 82–86. 3-6. Duval P. <...> согласно рис. 5.1; (3*) согласно рис. 1.7. 81 Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 <...> Полупроводниковые приборы, 2010. – Вып. 1 (224). – С. 67–82. 16. Васильев В.Ю.
Предпросмотр: Технология тонких плёнок для микро- и наноэлектроники .pdf (0,5 Мб)
Автор: Изюмов Ю. А.
Регулярная и хаотическая динамика
Анализируется электронная структура и физические свойства сильно коррелированных систем (содержащих элементы с незаполненными 3d, 4d, 4f и 5f оболочками) на основе теории динамического среднего поля (DMFT). В настоящее время DMFT является универсальным и наиболее эффективным методом исследования состояний с сильными электронными корреляциями. В книге детально излагаются основы метода и даются его применения к различным классам таких систем.
Алгоритм Хирша и Фая.................. 82 3.2.2. <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 ГЛАВА 3 3.2. <...> Rev, 1951, 82, 403–405. [14] Anderson P. W. Localized magnetic states in metals, Phys. <...> B, 1991, 43, 7570– 7574. [82] de Groot F. M. F., Fuggle J. C., Thole B. <...> Rev., 1951, 82, 403. [245] Furukawa N.
Предпросмотр: Электронная структура соединений с сильными корреляциями.pdf (0,3 Мб)
Автор: Пискунов Владимир Николаевич
Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики
Приведены данные о химически стабильных кластерах углерода, получивших названия фуллеренов и нанотрубок, а также основные сведения о структуре и физико-химических свойствах этих наноматериалов, которые обуславливают широкие перспективы их применения, в том числе и в атомной отрасли. Рассмотрены основные теоретические модели и методы, использующиеся при моделировании кинетики образования ультрадисперсных (нано-) материалов и теоретическом описании их основных свойств. Приведены основные характеристики программы "HyperChem", разработанной для численного расчета физико-химических свойств кластерных систем с иллюстрацией содержательных примеров применения этой программы для расчетов энергетических характеристик кластеров углерода и азота и колебательных спектров различных двухатомных молекул.
Описание квантово-химического программного комплекса… 82 (фотоэлектронная, обращенная фотоэлектронная <...> С. 80–82. Романов А. Е. и др. (2000)//Физика твердого тела. 2000. Т. 8. С. 1525. Сидоров Л.
Предпросмотр: Фуллерены и нанотрубки. Основные свойства и методы расчета.pdf (2,3 Мб)
Бурятский государственный университет
В книге представлен краткий теоретический материал, а также описание лабораторной установки и порядок выполнения эксперимента. Для самоподготовки и контроля знаний по изученным в ходе лабораторной работы темам предусмотрен перечень контрольных вопросов.
При составлении практикума за основу приняты основные положения федерального государственного образовательного стандарта (ФГОС) бакалавров по направлению подготовки 03.03.02 Физика. Он включает в себя подробное описание всех лабораторных работ, выполняемых в течение одного семестра.
Предназначено для студентов-физиков специальности 03.03.02, а также студентов БГУ всех форм обучения.
Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 Таблица1 № Uэф Iэф R, Ом ZL, Ом L, CU,
Предпросмотр: Лабораторный практикум по электричеству и магнетизму.pdf (1,2 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
Том 7 № 2 МИРОВОЗЗРЕНЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ И ОБЩЕСТВА УДК 141 DOI: 10.32362/2500-316X-2019-7-2-74-82 <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 Российский технологический журнал 2018 <...> С. 74–82. DOI: 10.32362/2500-316X-2019-7-2-74-82 For citation: Molchanov K.V. <...> Rossiyskiy tekhnologicheskiy zhurnal (Russian Technological Journal). 2019; 7(2): 74-82. <...> DOI: 10.32362/2500-316X-2019-7-2-74-82 Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» Российский
Предпросмотр: Российский технологический журнал №2 2019.pdf (1,1 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
нГн LQW18AN8N2C80 Murata L4 470 нГн 2% 1206CS-470XGEB Coilcraft L5 47 нГн 5% LQW18AN47NJ80 Murata L6 82 <...> Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 Evgeny S. Gornev, Igor V.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №6 2021.pdf (0,9 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
. № 11.С. 69–82. 10. Бабенко В.П., Битюков В.К. <...> Р. 69–82. (in Russ.). 10. Babenko V.P., Bityukov V.K. <...> Расходная норма на 1 кг продукта Сумма, руб. 1 Крахмал картофельный ГОСТ 7697-82 кг 32.0 1.536 49.152 <...> Ф. 82. Оп. 2. Д. 456. 18. Артемов Е.Т. <...> F. 82. Op. 2. D. 456. (in Russ.) 18. Artiomov E.T.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №1 2018 (2).pdf (0,8 Мб)
Автор: Васильев В. Ю.
Изд-во НГТУ
Пособие составлено на базе 40-летнего личного опыта работы автора на
отечественных и зарубежных предприятиях микроэлектронной отрасли. Рассмотрена совокупность вопросов организации и использования в серийном
производстве субмикронных интегральных микросхем (ИМС) методов непосредственного производственного (in-line) контроля тонкопленочных материалов – основы современных ИМС. Приведены примеры приборов контроля и возможностей их применения для характеризации процессов получения и свойств тонких пленок. Рассмотрены решения технологических задач с помощью in-line методов на примере важнейшего узла ИМС – диэлектрической планаризируемой изоляции между транзисторным уровнем (FEOL) и первым уровнем металлизации (BEOL) микросхем. Проанализирован подход к квалификации технологических процессов/оборудования для создания тонких пленок в производстве, изложены примеры проведения исследований технологической направленности. Показаны необходимость и возможности использования вместе с in-line методами также методов контроля at-line (в лабораториях вне производства) и off-line (в специализированных аналитических организациях). В пособии использованы и пояснены многочисленные англоязычные термины, принятые в технологиях и производстве интегральных микросхем.
, были получены все необходимые информациCopyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 <...> wiki/index.php/%D0%9A%D0%BE%D0%BD%D1%86%D0%B5%D0 %BF%D1%86%D0%B8%D1%8F_%C2%AB%D0%A8%D0%B5%D1%81%D1% 82% <...> _%D0%A3%D0% BF%D1%80%D0%B0%D0%B2%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B 5_%D0%BA%D0%B0%D1%87%D0%B5%D1%81%D1%82%
Предпросмотр: Методы и возможности in-line контроля тонкопленочных материалов в производстве субмикронных интегральных микросхем.pdf (0,7 Мб)
Изд-во НГТУ
Учебное пособие предназначено для использования в курсах «Диффузия
в металлах и сплавах», «Термодинамика материалов», а также «Теория и технология термической и химико-термической обработки». В пособии описаны
физические явления, сопутствующие диффузии, и технологические процессы,
реализация которых связана с диффузионными преобразованиями в материалах. Отмечается роль диффузии в таких процессах, как диффузионная сварка и твёрдофазное спекание. Представлена информация о процессах химико-термической обработки. Рассмотрены термодинамика и кинетика процессов окисления металлических материалов. Описаны методы определения коэффициента диффузии. Каждый раздел пособия проиллюстрирован схемами и фотографиями микроструктур, сопровождается примерами решения типичных задач, заданиями для самостоятельной работы студентов, а также списком
контрольных вопросов.
процесса окисления t подчиняется соотношению Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82
Предпросмотр: Диффузия в металлах и сплавах. Физические явления, сопровождающие технологические процессы.pdf (0,4 Мб)
Автор: Ирхин В. Ю.
М.: Институт компьютерных исследований
Монография включает рассмотрение всех основных физических свойств d- и f-переходных металлов и изложение соответствующих теоретических концепций. Подробно обсуждаются некоторые нетрадиционные вопросы: влияние особенностей плотности состояний на электронные свойства; многоэлектронное описание сильного коллективизированного магнетизма; механизмы магнитной анизотропии; микроскопическая теория аномальных кинетических явлений в ферромагнетиках. Помимо классических проблем физики твердого тела в применении к переходным металлам, рассмотрены современные достижения в теории электронных корреляций d- и f -систем в рамках многоэлектронных моделей.
пример дает молибден, где расщепление некоторых пиков происходит из-за s—d-гибридизации (рис. 2.16) [82 <...> Для Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 2. <...> В. // ФММ 76, 3, 3 (1993). 82. Koelling D., Mueller F. M., Arko A. J., Ketterson J. B. <...> P. 82. 478. Fert A. // J. Phys. Lett. 35, L107 (1974). 479. Fert A., Levy P. M. // Phys. Rev. <...> B 82, 77 (1991). 609. Vonsovsky S. V., Irkhin V. Yu., Katsnelson M.
Предпросмотр: Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f -металлах и их соединениях.pdf (0,3 Мб)
Автор: Колпаков
Издательство СГАУ
Основы физики твердого тела. Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 Задача 2. <...> Исходные данные: Dn=2·10-6м2 с-1; μn=82 см2 ⋅В-1 ⋅с-1. Задача 7.
Предпросмотр: Основы физики твердого тела.pdf (0,3 Мб)
Автор: Ньюнхем Роберт Э.
М.: Институт компьютерных исследований
Книга посвящена изучению симметрии и связанных с ней физических свойств анизотропных и текстурированных материалов, охватывает обширный диапазон разделов и является хорошим вводным курсом в основы кристаллофизики - науки, изучающей физические свойства кристаллов на основе симметрии. В доступной форме изложено учение о симметрии, симметрии кристаллов, симметрии физических явлений и математических величин: скалярных, векторных и тензорных характеристик материалов. Выявляются общие закономерности, устанавливающие связи между симметрией кристаллов и их физическими свойствами. Даются многочисленные приложения симметрии для описания электрических, оптических, магнитных, акустических и др. свойств материалов.
Колебания кристаллической решетки .............. 82 7.3. <...> кристаллов 75 % являются центрическими, а среди неорганических кристаллов их доля еще выше и достигает 82 <...> Значения, измеренные для правого кварца при длине волны 0,51 мкм, следующие: g11 = −5, 82 · 10−5 и g33 <...> Press (1971). [82] Sirotin,Y. I. and M. P. Shaskolskaya. <...> , 83 Колебания кристаллической решетки 78, 82, 85, 97, 339, 349, 354 Колера правило 394 Колоссальное
Предпросмотр: Свойства материалов. Анизотропия, симметрия, структура.pdf (0,3 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
V. 82. № 3. P. 2731–2784. DOI: https://doi.org/10.1103/RevModPhys.82.2731 4. <...> Phys. 2010; 82(3): 2731-2784. DOI: https://doi.org/10.1103/RevModPhys.82.2731 4. <...> и на каждом из них система может находитьCopyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82
Предпросмотр: Российский технологический журнал №3 2019.pdf (1,4 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
Procedia Computer Science. 2016;78:82-87. https://doi.org/10.1016/j.procs.2016.02.014 15. <...> основе одиночных диэлектрических микрочастиц для фотопроводящих оптико-терагерцовых преобразователей 82 <...> использовался лазер Mai-Tai Spectra-Physics c длительностью импульсов 100 фс и частотой следования импульсов 82
Предпросмотр: Российский технологический журнал №6 2020.pdf (2,1 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
Л. 82. 42. АРАН.Ф. 2.Оп.1. Д.1688. Л.65. 43. АРАН.Ф. 2.Оп.1. Д.1687. Л.75. 44. <...> L. 82. (in Russ.) 42. ARAS. F. 2.Op.1. D. 1688. L. 65. (in Russ.) 43. ARAS.F. 2.Op.1. D. 1687. <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 Российский технологический журнал 2018
Предпросмотр: Российский технологический журнал №5 2018.pdf (1,0 Мб)
Автор: Сысоев И. А.
изд-во СКФУ
В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и нано-структур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, аспирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и нано-структурой
мкм, ···· l = 500 мкм, ----l = 1000 мкм Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82
Предпросмотр: Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону монография.pdf (0,5 Мб)
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ
В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно изложены контактные явления. Обсуждаются особенности гетеропереходов.
Электронно-дырочный переход 82 При перемещении из А в В температура становится ниже критической, поэтому
Предпросмотр: Физика. Введение в твердотельную электронику..pdf (0,6 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
P. 78-82. 24. Донченко А.А., Хрипунов С.В., Чиров Д.С. [и др.] <...> Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 Russian Technological Journal. 2019;7(5
Предпросмотр: Российский технологический журнал №5 2019.pdf (1,0 Мб)
ЯрГУ
"Физика твердого тела представляет собой стремительно развивающуюся область, имеющую широкий спектр практических приложений. В последние годы эта область привлекает к себе пристальное внимание благодаря ярким результатам, отмеченным Нобелевскими премиями. В настоящей работе коллективом ученых ЯрГУ им. П. Г. Демидова представлены разделы современной физики конденсированного состояния, включающие как традиционное изложение, так и описание явлений в низкоразмерных структурах. Работа предназначена для студентов, обучающихся по специальности 010803 Микроэлектроника и полупроводниковые приборы (дисциплина ""Физика твердого тела"", блок ОПД), очной формы обучения, а также для аспирантов, специализирующихся в областях микрои наноэлектроники и физики твердого тела."
приводит к увеличению энтропии кристалла S: Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 <...> использовалась при вычислении интеграла (3.54), и учитывая равенство (3.55), получим 42 2 23 21 3 1 ln 1 82 <...> кинетической энергии между E и EE + d равно 32 2 33 2, 14 8 p (2 ) (2 ) dn м ππ pdp pdp ππ =× = (П.4) 32 3 82
Предпросмотр: Физика твердого тела Учебное пособие.pdf (1,1 Мб)
Автор: Бондаренко Г. Г.
М.: Лаборатория знаний
Настоящее учебное пособие посвящено описанию физических основ
взаимодействия высокоэнергетических излучений с веществом, сущности
и закономерностям радиационно-индуцированных процессов, протекающих
в облученных твердых телах, — образованию первичных структурных дефектов и их эволюции, фокусировке атомных столкновений и каналированию
частиц, структурно-фазовым превращениям в сплавах, трансмутационным
эффектам, электризации диэлектриков, распуханию, радиационному охрупчиванию и ползучести, ионному распылению, радиационному блистерингу и др. Особое внимание уделено созданию малоактивированных материалов, а также технологическим применениям радиационной обработки и модифицирования материалов.
Дислокационные Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 Глава 2. <...> Пучки заряженных частиц и твердое тело. — М.: ВИНИТИ, 1993. — С. 82—112. 14. Тютнев А. <...> Дислокационные Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 Глава 2. <...> Пучки заряженных частиц и твердое тело. — М.: ВИНИТИ, 1993. — С. 82—112. 14. Тютнев А. <...> Дислокационные Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 Глава 2.
Предпросмотр: Радиационная физика, структура и прочность твердых тел (1).pdf (0,3 Мб)
Автор: Драгунов В. П.
Изд-во НГТУ
Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы.
не меняет своих оптических и механических Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 <...> применяются полуэмпирические [74] и эмпирические модели [75, 77], а также метод молекулярной динамики [74–82 <...> Lett. – 1999. – V. 82. – N 5. – P. 944–947. 59. Salvetat J-P., Bonard J-M, Thomson N.H. et al. <...> of the filling and decorating of carbon nanotubes // Nanotechnology. – 1999. – V. 10. – P. 273– 280. 82 <...> Материалы для цветных дисплеев ................................. 82 2.6.3.
Предпросмотр: Наноструктуры физика, технология, применение.pdf (0,6 Мб)
Автор: Драгунов В. П.
Изд-во НГТУ
Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы.
не меняет своих оптических и механических Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 <...> применяются полуэмпирические [74] и эмпирические модели [75, 77], а также метод молекулярной динамики [74–82 <...> Lett. – 1999. – V. 82. – N 5. – P. 944–947. 59. Salvetat J-P., Bonard J-M, Thomson N.H. et al. <...> of the filling and decorating of carbon nanotubes // Nanotechnology. – 1999. – V. 10. – P. 273– 280. 82 <...> Материалы для цветных дисплеев ................................. 82 2.6.3.
Предпросмотр: Наноструктуры. Физика, технология, применение.pdf (0,6 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
С. 72–82. 13. Купер А., Рейман Р., Кронин Д., Носсел К. Интерфейс. <...> Distantsionnoe i virtual'noe obuchenie (Remote and Virtual Learning). 2016; 8(110): 72-82. <...> Такой блокинг-материал (с атомным числом из диапазона 70–82: вольфрам, тантал, золото, свинец и т. д. <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 82 Российский технологический журнал 2019
Предпросмотр: Российский технологический журнал №1 2019.pdf (0,9 Мб)