539.2Свойства и структура молекулярных систем
← назад
Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
Автор: Труфанова Н. М.
М.: Институт компьютерных исследований
Проведено численное исследование движения и теплообмена полимера в пластицирующем экструдере. Рассмотрены все рабочие зоны экструдера: зона загрузки, зона задержки плавления, зона плавления и зона дозирования. Изучено влияние реологических и теплофизических свойств полимера, геометрии экструдера и технологических параметров на процессы плавления и теплообмена и рабочие характеристики экструдера. Приведены пути интенсификации процессов плавления полимеров.
... 60 Влияние условий переработки и физических свойств полимера на скорость плавления ............ 80 <...> Распределение безразмерной температуры T по глубине канала в конце зоны загрузки: (1) T0 = 80 °C; (2) <...> 60 80 60 80 60 80 60 LЗЗ, витки 2,221 2,216 3,413 3,413 2,427 2,432 3,582 3,580 LЗЗП, витки 3,621 3,897 <...> Число оборотов шнека Ш N при исследованиях задавались 40, 60 и 80 об/мин. <...> P. 356–361. 80. Perwadtchuk V. P., Trufanova N. M., Jankov V. I. // Fibre chemistry. 1985.
Предпросмотр: Плавление полимеров в экструдерах.pdf (0,2 Мб)
Автор: Быкова Ю. А.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана
В пособии рассмотрены способы, используемые для оценки твердости нанопокрытий. Для студентов специальности «Материаловедение в машиностроении», специализации «Наноматериалы» и слушателей Межотраслевого института повышения квалификации кадров по новым направлениям развития техники и технологии МГТУ им. Н.Э. Баумана,
а также специалистов, занимающихся разработкой нанопокрытий и
оценкой их свойств.
для того чтобы более точно учесть влияние температуры на показания прибора, после снятия нагрузки на 80 <...> Толщина нанопокрытия WC составляет hпок = 80 нм. <...> Для нашего случая n = 30 нм / 80 нм = 0,375; HVпок = (1 + 2n)HV = (1 + 2 ⋅ 0,375) ⋅ 2100 = 3675; Р = <...> «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 29 № п/п hпок, нм HVком d, мкм 1 0 74,8 — 2 50 74,5 15,7 3 80 <...> Воронеж: Издво Воронежского гос. ун-та, 2000. 80 с. 8. Быков Ю.А., Карпухин С.Д., Газукина Е.И.
Предпросмотр: Определение твердости нанопокрытий.pdf (0,3 Мб)
Автор: Гнюсов С. Ф.
Изд-во ТПУ
В монографии обобщены результаты, полученные при воздействии
концентрированных потоков энергии на конструкционные и инструментальные стали, композиционные материалы и твердые сплавы. Приведены данные об использовании концентрированных потоков энергии в промышленности. Особое внимание уделено систематическому исследованию структурно-фазового состава композиционных покрытий на основе быстрорежущей стали, полученных в условиях вакуумной электронно-лучевой наплавки.
Наплавка порошком ПС-14-80 также характеризуется наличием трех зон: заэвтектической с максимальной <...> Твердость слоя, наплавленного ПС-14-80, в 2…3 раза выше, чем слоя, наплавленного ПГС-25. <...> 20 – 6 633 70 30 – 6 634 60 40 – 6 635 50 50 – 6 650 80 15 5 5 651 75 20 5 5 652 70 25 5 5 691 95 – <...> 5 5 692 90 – 10 5 699 80 20 – 1 700 80 20 – 2 701 80 20 – 3 702 80 20 – 4 703 80 20 – 5 На рис. 3.5 представлена <...> Физика. – 1996. – № 8. – С. 104–110. 80. Гнюсов С.Ф., Иванов Ю.Ф.
Предпросмотр: Электронный луч в формировании неравновесных структур.pdf (0,4 Мб)
Автор: Мокшин
Представлен метод определения межфазной свободной энергии на основе данных моделирования методом молекулярной динамики. Основу метода составляет процедура термодинамического интегрирования, а его важной особенностью является возможность применения как в случае плоской, так и характеризуемой большой кривизной границы раздела двух фаз. Возможности метода продемонстрированы на примере нахождения поверхностного натяжения критических зародышей капель воды при конденсации водяного пара. Расчеты охватывают температурную область от 273 до 373 K при давлении 1 атм, что позволило определить температурную зависимость поверхностного натяжения капель воды, а также выполнить сопоставление полученных результатов с экспериментальными данными и результатами моделирования “плоской” границы раздела пар–жидкость.
К моменту времени нс в системе появляются отдельные капли-зародыши, содержащие от 70 до 80 молекул. <...> – аппроксимация зависимостью = при Н/м и идентичной известной формуле Толмена [34, 35]. 75 70 65 60 80 <...> 1 2 40 50 60 70 80 nc T = 373 K σs, 10–3 Н/м T = 273 K σs n c σsc (n ) σ+ δ − 13 1 nn [1 2( n c ) ] <...> обозначены данные для различных атомистических моделей, полученные из [36, 38–40]. 20 40 30 70 60 50 80
Автор: Лепешев А. А.
Сиб. федер. ун-т
Рассмотрена физикохимия процессов формирования аморфных и нанокристаллических материалов при плазменном напылении. Описаны теплофизические особенности высокоскоростной закалки расплава при формировании материалов с неравновесной структурой. Предложена критериальная оценка структурного состояния напыляемых слоев. Особое внимание уделено комплексным исследованиям структурного состояния и физико-химических свойств широкого спектра соединений металлов (Fe–B, Co–Fe–Ni–B–Si, Al–Fe–Cu) и керамик (ферритов и композиций на их основе, высокотемпературных сверхпроводников). Приведены примеры практического применения напыленных аморфных и нанокристаллических материалов.
50–80 20–50 20–50 20–50 20–50 20–50 20–50 50–80 50–80 80–120 80–120 20–50 20–50 20–50 50–80 50–80 20 <...> Дисперсность исходных порошков составляла 50–80 мкм. <...> 50–80 50–80 50–80 80–120 80–120 50–-80 120 130 130 100 100 120 120 100 20 18 18 14 12 20 20 12 Ar Ar <...> М.: Мир, 1982. 293 с. 80. Ray R., Hasegawa R. <...> V. 80. No. 25. 2002. P. 4735–4737. 129.
Предпросмотр: Плазменное напыление аморфных и нанокристаллических материалов.pdf (0,6 Мб)
Автор: Кревчик
М.: ПРОМЕДИА
Методом потенциала нулевого радиуса исследованы особенности спектров двухфотонного поглощения при фотоионизации D{-} - центров в квазинульмерной структуре с дискообразными квантовыми точками. Рассмотрен случай квазистационарных D{-} - состояний в квантовом диске. Показано, что дихроизм двухфотонного примесного поглощения связан с изменением правил отбора для магнитного квантового числа в радиальном направлении, а учет дисперсии характерных размеров квантового диска приводит к размытию линий в спектральной зависимости коэффициента двухфотонного поглощения.
полосы поглощения с изменением характерных размеров КД. 0,004 0,006 0,008 0,01 0,012 0,014 0 20 40 60 80 <...> Физика 137 0,004 0,006 0,008 0,01 0,012 0,014 0 20 40 60 80 1 2 (s ) 2 K CD , см-1 ħω, эВ Рис. 5 <...> различных значений высоты КД R : 1 – R = 70 нм; 2 – R = 140 нм 0,02 0,025 0,03 0,035 0,04 0,045 0 20 40 60 80 <...> Поволжский регион 146 2 1 ħω ·10–4,эВ K(2ω),см–1 0,01 0,015 0,02 0,025 0,03 0,035 0,04 20 40 60 80 100
М.: ПРОМЕДИА
Методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) на воздухе исследована зависимость параметров морфологии поверхностных нанокластеров GeSi/Si (001) (размеры, форма, поверхностная плотность, однородность по размерам и пр. ), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ) в среде GeH[4], от параметров технологического процесса выращивания структур (температура подложки, парциальное давление GeH[4] в ростовой камере, время роста). Установлено, что закономерности трансформации морфологии кластеров с увеличением количества осажденного Ge отличаются от таковых для традиционной МЛЭ. Нанокластеры, выращенные в определенных условиях, характеризуются би- и тримодальным распределением по размерам. Определены условия роста, обеспечивающие получение однородных массивов кластеров с заданными геометрическими параметрами.
Тg = 700°С, pg = 9 · 10–4 Торр, tg = 2 мин 80 60 40 20 0 Количество островков 100 80 60 40 20 0 Количество <...> островков Количество островков Количество островков 80 70 60 50 40 30 20 10 0 30 25 20 15 10 5 0 0,1 <...> 0,4 0,5 0,6 D, нм 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 D, нм 100 120 140 160 180 200 H, нм 0 20 40 60 80
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
Российский технологический журнал. 2019;7(1):80−101. https://doi. org/10.32362/2500-316X-2019-7-1-80- <...> ://doi. org/10.32362/2500-316X-2019-7-1-80-101 6. <...> Uвых, В Uп, мВ 0 –2 –4 –6 –8 –10 100 80 60 40 20 1 2 20 40 60 80 Iн, мА (a) –Uн, B –9.35 –9.40 –9.45 <...> Российский технологический журнал. 2020;8(1):80−96. https://doi. org/10.32362/2500-316X-2020-8-1-80-96 <...> ://doi.org/10.32362/2500-316X-20208-1-80-96 24.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №2 2021.pdf (1,0 Мб)
М.: ПРОМЕДИА
Теоретически исследуется влияние температуры, внешнего электрического поля и диэлектрической матрицы на наличие 2D-туннельных бифуркаций в системе ACM/CTM - металлическая КТ или в квантовой молекуле. Для указанных управляющих параметров построена фазовая диаграмма смены режимов туннелирования и выявлено, что режим 2D-туннельных бифуркаций может наблюдаться для экспериментально реализуемых значений относительной диэлектрической проницаемости матрицы среды-термостата.
Физика 149 0 20 40 60 80 100 120 140 160 0.00E+000 2.50E+074 5.00E+074 7.50E+074 1.00E+075 1.25E+075 <...> 1.50E+075 1.75E+075 Ã() 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 5000 10000 15000 20000 25000 30000 35000 40000 <...> Окончание 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 b Рис. 8.
Автор: Драгунов В. П.
Изд-во НГТУ
Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы.
Dig. – Dec. 2003. – P. 77–80. 15. Rim K., J. Chu, Chen H et al. <...> 60 00 Механическое напряжение, ГПа 160 120 80 60 00 Механическое напряжение, ГПа 160 120 80 60 00 180 <...> B. – 2004. – V. 69. – P. 045414–045424. 80. Ruoff R.S., Qian D., Liu W.K. <...> Понятие «спин» вошло в физику более 80 лет назад. <...> Lett. – 1998. – V. 80. – N 19. – P. 4281–4284.
Предпросмотр: Наноструктуры физика, технология, применение.pdf (0,6 Мб)
Автор: Драгунов В. П.
Изд-во НГТУ
Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы.
Dig. – Dec. 2003. – P. 77–80. 15. Rim K., J. Chu, Chen H et al. <...> 60 00 Механическое напряжение, ГПа 160 120 80 60 00 Механическое напряжение, ГПа 160 120 80 60 00 180 <...> B. – 2004. – V. 69. – P. 045414–045424. 80. Ruoff R.S., Qian D., Liu W.K. <...> Понятие «спин» вошло в физику более 80 лет назад. <...> Lett. – 1998. – V. 80. – N 19. – P. 4281–4284.
Предпросмотр: Наноструктуры. Физика, технология, применение.pdf (0,6 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
30/70 40/60 50/50 60/40 70/30 80/20 90/10 CNN (2layers) 422 378 EuroSAT 75.88 79.84 81.29 83.04 84.48 <...> CMOSens®; 2014. 15 p. 100 80 60 40 20 0 Ic, A Vси, B Vзи (B) = 2.5 3 3.5 4 5 10 0 1 2 3 4 5 Copyright <...> Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 Vladislav V. Krutov, Alexander S. <...> Например, при β ≈ 10° на данной частоте (как следует из рис. 4 и 5) период РДС составляет d ≈ 80 мкм <...> Результаты лабораторных измерений Частота f, Гц 8 10 12 14 16 18 20 24 28 35 40 50 60 70 80 100 Длина
Предпросмотр: Российский технологический журнал №5 2022.pdf (1,1 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
100 0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100 1 1 1 2 2 2 28000 20000 12000 4000 0 10000 6000 2000 0 0.7 0.5 <...> 0.3 0.1 0 0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100 1 1 1 2 2 2 0 4 8 12 16 20 0 4 8 12 <...> 1000 500 1800 1600 1400 1200 1000 800 600 400 BaCO3 KTA 1-4 Ge Ge Ge Ge Ge Ge 10 20 30 40 50 60 70 80 <...> 2Θ, град. 10 20 30 40 50 60 70 80 2Θ, град. <...> Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 Olga G. Savka, et al.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №6 2022.pdf (1,1 Мб)
Автор: Аверин
М.: ПРОМЕДИА
Разработка мультисенсорных систем для качественного и количественного анализа газового состава окружающей среды с высокой чувствительностью и низким энергопотреблением является актуальной задачей для нефтегазовой промышленности, медицины и т. д. Использование возмущающего электрического воздействия с переменной частотой при заданной рабочей температуре позволяет увеличить чувствительность и селективность элементов мультисенсорных систем. Целью работы является контролируемое изменение проводимости и емкости наноструктур на основе диоксида олова за счет условий получения для определения максимальной чувствительности и селективности сенсоров. Исследованы частотные зависимости емкости наноструктур на основе SiO[2]-SnO[2] при различной массовой доле диоксида олова. Установлено, что в диапазоне частот от 100 Гц до 100 кГц наблюдается степенной вид частотной зависимости емкости с показателем степени n = 0, 3–0, 5 с последующим насыщением в области высоких частот.
± 0,006) 10–100000 60 % SnO2 3,29 ± 0,05 –(0,346 ± 0,006) 70 % SnO2 4,70 ± 0,021 –(0,412 ± 0,0018) 80 <...> При содержании в композитах более 80 % SnO2 структура слоев переходит в форму сети спинодального распада
Автор: Потловский К. Г.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана
Рассмотрены основные технологические процессы производства элементов микросистемной техники с точки зрения физических явлений. Обобщены результаты, полученные при выращивании монокристаллов, а также в процессах диффузии, имплантации, литографии и др.
поверхности пластины его вязкость должна быть очень мала, что достигается высоким содержанием растворителя (80 <...> : 4 Si3N4 83 % H3PO4 160 — 180 10 Si : 5; SiO2 : 0,8 Si 70 % HNO3; 1 % HF 20 — 25 100 — 300 SiO2 : 80 <...> ; Si3N4 : 3 Al 80 % H3PO4; 5 % HNO3 40 — 50 600 Si : 100 Ti 5% H2O2; 5% HF 25 900 Si : 10; SiO2 : 100 <...> травления алюминиевой или никелевой пленки на поверхности Si или SiO2 используется раствор, состоящий из 80 <...> скоростью, чем в KOH, и при температуре 70 °C составляет приблизительно 14 мкм/ч, а при температуре 80
Предпросмотр: Нанотехнологии и микромеханика. Часть 6. «Базовые технологические процессы микросистемной техники». Гриф УМО. .pdf (0,5 Мб)
Автор: Ватульян А. О.
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ
В монографии рассмотрены граничные и коэффициентные обратные задачи для однородных и неоднородных упругих и электроупругих тел, в которых дополнительной информацией для их решения являются граничные волновые поля, измеренные в поверхностных или частотных областях. Изложен метод неклассических граничных интегральных уравнений первого рода с гладкими ядрами и его применение к решению граничных задач по определению векторов смещений и напряжений на недоступных для измерения участках границы. Предоставлены методы определения пьезоэлектрических характеристик неравномерно поляризованных стержневых пьезоэлементов. Доказаны теоремы единственности решения обратных задач, приведены численные примеры их решений, в том числе на основе сочетания граничных интегральных уравнений и метода конечных элементов.
В 70-х и 80-х годах метод ГИУ в его дискретном варианте – методе граничных элементов (МГЭ – англ. <...> разрешающей системы Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 58 Рис. 2.4: при N = 80 <...> В проведенных расчетах размер граничного элемента соответствует центральному углу ψ = π/80, принято R <...> Во всех расчетах величина граничного элемента соответствовала центральному углу ψ= π 80. <...> М.: Энергия, 1975. 111 с. 80. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Т. 7.
Предпросмотр: Прямые и обратные задачи для однородных и неоднородных упругих и электроупругих тел.pdf (0,3 Мб)
Автор: Мамонтов А. П.
Изд-во ТПУ
В пособии рассматриваются основные процессы лазерной, ионной, плазменной, электроэрозионной, ультразвуковой обработки, происходящие в твердом теле при электронном воздействии. Приведены технологические процессы улучшения характеристик изделий при различных технологических обработках. Изложена феноменологическая модель изменения физических и механических свойств материалов под действием концентрированных потоков энергии.
Измерения проводили в N точках (N > 80) поверхности образца, затем строили гистограммы плотности вероятности <...> Она составляет примерно 80 кгс/мм2. <...> бора, а также осаждение на рабочей поверхности режущего инструмента нитрида титана на установке Булат. 80 <...> процесса составляет несколько килограммов напыленного материала в час, а плотность напыленного слоя 80 <...> Для создания на поверхности пластины диаметром 30–80 мм сотен тысяч элементов различной формы и размеров
Предпросмотр: Ресурсоэффективные технологические процессы.pdf (0,3 Мб)
Омский госуниверситет
Практикум включает 4 лабораторные работы по курсу "Молекулярная физика и термодинамика". Для студентов физического и химического факультетов.
57 48 38 29 20 11 13 100 89 79 69 59 49 40 31 23 14 6 14 100 89 79 70 60 51 42 34 25 17 9 15 100 90 80 <...> 23 24 25 30 35 40 45 σ 72.5 72.4 72.2 72.0 71.9 71.8 71.03 70.29 69.54 68.6 t° C 50 55 60 65 70 75 80
Предпросмотр: Моекулярная физика и термодинамика лабораторный практикум.pdf (0,2 Мб)
Автор: Салеев В. А.
Изд-во Самарского университета
В пособии представлено практическое введение в работу с квантовомеханическими программными пакетами для моделирования физико-химических свойств кристаллических твердых тел. Подробно описаны способы расчета структурных, механических и электронных свойств кристаллов в коммерческих пакетах VASP и CRYSTAL. Подготовлено на кафедре общей и теоретической физики.
/g" POSCAR0 > POSCAR /абсолютный путь/vasp-<номер версии> V=`tail -n 80 OUTCAR | grep "volume of cell <...> " | awk '{print $5}'` E=`tail -n 80 OUTCAR | grep "energy(sigma->0)" | awk '{print $7}'` p=`tail -n 100 <...> Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 Вычисленные частоты и информация об активности
Предпросмотр: Квантовомеханическое моделирование свойств кристаллов в ab initio программных пакетах.pdf (0,7 Мб)
Методом лазерной абляции получены нанослоистые
пленки, образованные слоями халькогенидного стекла
(GeSe2)30(Sb2Se3)30(AgI)40 и AgI. Толщина слоев имеет величину порядка 10 нм при общей толщине пленок
1 мкм. Проведены РФА и импедансная спектроскопия
пленок в интервале температур от комнатной до
200 0С. Оба метода исследования показали, что при
повышении температуры фазовый переход AgI β/γ→α
происходит при 150-170оС, в то время как при понижении
температуры переход α→β/γ наблюдается при 90-60оС.
Таким образом, удалось расширить температурный
интервал существования высокопроводящей
модификации суперионного твердого электролита a-AgI
в структуре, обеспечивающей сквозную проводимость
по α−AgI.
Согласно данным РФА и измерениям проводимости α−AgI сохраняется при охлаждении вплоть до 90-80 ºС. <...> поперечного скола была специально напылена пленка с более толстыми слоями (толщина слоев AgI достигает 80
Автор: Цветков Д. С.
Издательство Уральского университета
В практикуме представлены краткие теоретические сведения по кур-
су «Термодинамика и структура твердого тела» и лабораторные работы,
иллюстрирующие основные методы получения твердофазных материалов
и экспериментальные подходы к исследованию фазового состава, кристал-
лической структуры, морфологии, дисперсности и спекания, кислородной
нестехиометрии и термодинамики разупорядочения, электрофизических и
термомеханических свойств керамических оксидных материалов.
Для студентов магистратуры, овладевающих техникой физико-хими-
ческого эксперимента.
400 атомов соответственно; температура газообразного гелия в случае паров сурьмы и висмута составляла 80 <...> порошков серебра со средним размером частиц приблизительно 120 нм избыточная энергия составляет 40–80 <...> (рис. 2.2). 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50 52 54 56 58 60 62 110 105 100 95 90 85 80 <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 Спекание керамики Операция спекания [10 <...> V. 80. P. 4464. 9. Химия. Большой энциклопедический словарь / гл. ред. И. Л. Кнунянц.
Предпросмотр: Термодинамика и структура твердого тела практикум.pdf (0,8 Мб)
Автор: Головкина М. В.
Изд-во ПГУТИ
Книга представляет собой курс лекций по учебной дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики», рассматривающий основные явления, принципы и экспериментальные достижения нанофотоники. В книге на высоком физико-математическом уровне описываются вопросы распространения и взаимодействия света в пространственно-ограниченных наноструктурах, рассматриваются свойства различных наноструктурированных материалов, а также вопросы их практического использования.
Рассеяние Ми ......................................................... 80 6.4. <...> излучения на двойной частоте то нарастает то спадает., причем чем 0 10 20 30 40 50 60 70 0 20 40 60 80 <...> Рассеяние Ми ......................................................... 80 6.4. <...> функция отклонения показателя преломления рассеивающих объектов от среднего показателя преломления n0. 80 <...> излучения на двойной частоте то нарастает то спадает., причем чем 0 10 20 30 40 50 60 70 0 20 40 60 80
Предпросмотр: Конспект лекций по учебной дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики» по направлению подготовки 200700.pdf (0,6 Мб)
Автор: Гуськов
М.: ПРОМЕДИА
Предлагается оригинальный алгоритм стохастического моделирования роста двухкомпонентного кристалла, в состав которого может входить как основное вещество, так и примесь. Показано, что в зависимости от ряда параметров модели возможно получение как равномерного, так и квазипериодического распределения примеси, т. е. формирование зонарной микроструктуры кристалла. Проведен анализ условий, приводящих к неравномерному распределению примеси. Получено качественное согласие результатов моделирования с экспериментальными данными.
.— С. 80-88 .— URL: https://lib.rucont.ru/efd/269731 (дата обращения: 11.02.2024)Известия высших учебных <...> Поволжский регион 80 УДК 548.4 + 519.24 С. С. Гуськов, М. А. Фаддеев, Е. В.
Автор: Зимин С. П.
ЯрГУ
В монографии излагается современное состояние науки о формировании, исследовании и свойствах наноструктурированных полупроводников халькогенидов свинца PbX (X = Те, Se, S). Рассмотрены размерные эффекты в изучаемых материалах, подробно обсуждены новые подходы создания низкоразмерных систем на основе электрохимических и плазменных процессов.
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 152 Рис. 80. <...> Пионерские работы Киношиты, Гапонова, Партина, Криечбаума и других в начале 80-х гг. <...> Lett. – 2000. – Vol. 77, № 19. – P. 2991–2993. 80. Raab A., Springholz G. <...> Phys. – 2008. – Vol. 41. – P. 75–80. 169. <...> A. – 2005. – V. 80. – P. 1607–1610. 332. Choi D. Y., Lee J. H., Kim D. S., Jung S. T.
Предпросмотр: Наноструктурированные халькогениды свинца монография.pdf (1,1 Мб)
М.: ПРОМЕДИА
Рассмотрен метод пиролиза аэрозолей формирования нанокристаллических пленок SnO[2] для сенсорных микросистем. Выявлена корреляция между условиями синтеза и размером кристаллитов SnO[2].
Каталитическая добавка, % Рабочая температура, °C H2 40 30 20 50 Pd (3) 200 10 80 CO 40 5 20 15 Pt (0,2
Автор: Рит Михаэль
Регулярная и хаотическая динамика
Нанотехнология - это технология работы с молекулами. Прогнозируется, что ее развитие приведет к революционным успехам в медицине, электронике, информационных технологиях, энергетике и других областях человеческой деятельности. Данная монография является живым и образным введением в методы и задачи наноинженерии. В ней отражены сложности, возникающие при проектировании и конструировании вычислительных наноустройств. Детально рассмотрены этапы развития этого нового направления в науке. Основное внимание уделяется методу молекулярной динамики, который применяется для анализа нового класса задач, направленных на исследование свойств атомных кластеров (которые, в свою очередь, являются основой для наноустройств). Приводятся полные сведения из области смежных фундаментальных наук (биологии, физики, химии, информатики и техники), необходимые для понимания излагаемого в работе материала.
Основные свойства материала.................. 80 4.3. <...> Тепловое поведение Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 ГЛАВА 4 Рис. 4.2. <...> Например, изотермическая сжимаемость χT определяется следующим соотношением [80]: 1 χT = −V ∂p ∂V T . <...> М.: Мир, 1965). 80. March N. H. // Theory of Condensed Matter. <...> 102, 115, 126 Вычислительная химия 13, 21 Гамильтониан 17, 18, 20, 87 Гармоническое приближение 42, 80
Предпросмотр: Наноконструирование в науке и технике. Введение в мир нанорасчета..pdf (0,1 Мб)
М.: ПРОМЕДИА
Исследуется управляемость диссипативного туннелирования в системе туннельно-связанных квантовых точек (квантовой молекуле) или системе "игла кантилевера АСМ/СТМ - квантовая точка", моделируемых двухъямным осцилляторным потенциалом, взаимодействующим с термостатом, во внешнем электрическом поле. Полученные результаты качественно соответствуют отдельным экспериментальным ВАХ для системы "платинированная игла кантилевера АСМ/СТМ - циркониевая квантовая точка", полученным в НИФТИ при ННГУ им. Н. И. Лобачевского.
.— С. 80-88 .— URL: https://lib.rucont.ru/efd/269747 (дата обращения: 11.02.2024)Известия высших учебных <...> Поволжский регион 80 УДК 539.23; 539.216.1 В. Д. Кревчик, О. Н. Горшков, М. Б. Семенов, Е. В.
Автор: Миронова Татьяна Фёдоровна
РИЦ СГСХА
В монографии освещается современное состояние вопросов влияния импульсных нагружений на процессы фазообразования и характер взаимодействия металлов с атомами внедрения в широком температурном интервале, включая криогенные температуры. Выясняется роль импульсных упругих деформаций различного вида в образовании твердых растворов и фаз при взаимодействии металлов с легкими элементами. Рассматриваются различные факторы влияния импульсной пластической деформации на скорость массопереноса и особенности фазообразования в металлах и сплавах. Предлагается возможная модель процесса взаимодействия металлов с элементами внедрения при импульсной пластической деформации.
К железа, содержащего 14С, находящегося в контакте с медью, углерод проникает в медь на глубину до 80 <...> На глубинах порядка 80-150 мкм тетрагональность мартенсита становится настолько малой, что дублеты не <...> Миронов [и др.]. – М. : Машиностроение, 2006. – 320 с. 80. Герцрикен, Д. С. <...> Ионная цементация // Техника машиностроения. – 2002. – №1. – С. 77-80. 82. Арзамасов, Б. Н. <...> Мазанко [и др.] // Металлофизика. – 1978. – Вып. 73. – С. 80-83. 105. Каракозов, Э. С.
Предпросмотр: Влияние импульсных нагружений на фазообразование и взаимодействие металлов с атомами внедрения.pdf (2,6 Мб)
М.: Лаборатория знаний
Представлены описания лабораторных работ для студентов 2–3-х курсов, обучающихся по специальностям «Нанотехнологии в электронике» и «Квантовая электроника». В ходе выполнения работ студенты ознакомятся с некоторыми методами получения наночастиц и нанокомпозитов, приобретут навыки работы с объектами нанометрового размера и овладеют современными физико-химическими методами исследования. Каждый цикл работ предваряется теоретическим введением, которое может играть роль краткого конспекта лекций.
напряжении (~40 В), в щавелевой кислоте при среднем (30 y120 В) и в фосфорной кислоте при высоком (80 <...> Выберите один из вариантов ответа: а) 20–30; б) 40–50; в) 60–70; г) 80–90. 5. <...> Просвечивающий электронный микроскоп Titan™ 80-300 с атомар ным разрешением Ɋɢɫ. 3.3. <...> Выберите один из вариантов ответа: а) 20–30; б) 40–50; в) 60–70; г) 80–90. 5. <...> Просвечивающий электронный микроскоп Titan™ 80-300 с атомар ным разрешением Ɋɢɫ. 3.3.
Предпросмотр: Методы получения и исследования наноматериалов и наноструктур. Лабораторный практикум по нанотехнологиям.pdf (0,4 Мб)
Автор: Бондаренко Г. Г.
М.: Лаборатория знаний
Настоящее учебное пособие посвящено описанию физических основ
взаимодействия высокоэнергетических излучений с веществом, сущности
и закономерностям радиационно-индуцированных процессов, протекающих
в облученных твердых телах, — образованию первичных структурных дефектов и их эволюции, фокусировке атомных столкновений и каналированию
частиц, структурно-фазовым превращениям в сплавах, трансмутационным
эффектам, электризации диэлектриков, распуханию, радиационному охрупчиванию и ползучести, ионному распылению, радиационному блистерингу и др. Особое внимание уделено созданию малоактивированных материалов, а также технологическим применениям радиационной обработки и модифицирования материалов.
Пластическая деформация двойникованием ............................. 80 2.7. <...> /см2 при 80 °С (В. А. Николаев, В. В. Рыбин, В. И. <...> Пластическая деформация двойникованием ............................. 80 2.7. <...> /см2 при 80 °С (В. А. Николаев, В. В. Рыбин, В. И. <...> /см2 при 80 °С (В. А. Николаев, В. В. Рыбин, В. И.
Предпросмотр: Радиационная физика, структура и прочность твердых тел (1).pdf (0,3 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
usethicsdoc/%D1%8E%D0%B7%D0%B0%D0%B1%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%B8-%D1%82%D0%B5%D1% 81%D1%82%D0%B8%D1%80% <...> V. 4; pp. 2355-2360. 80. Liedke J., Matthias R., Winkler L., Wörn H. <...> characteristics and the temperature dependences of the resistance of film samples with a thickness of 80 <...> P. 80. ISBN 978-1580630535. 48. Goldberg J. <...> P. 80. ISBN 978-1580630535. 48. Goldberg J. Clintonian triangulation comes full circle.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №6 2019.pdf (2,1 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
изменении ракурса Ракурс POSIT, % SVM, % Авторский (ТА), % (0°, 15°) 82 ± 4 85 ± 2 99 ± 4 (15°, 30°) 80 <...> ± 3 81 ± 3 98 ± 3 (30°, 45°) 79 ± 4 80 ± 4 97 ± 3 (45°, 60°) 81 ± 5 82 ± 4 98 ± 4 В табл. 2 показаны <...> Как было установлено еще в 70−80-х годах прошлого века [1, 26], использование адекватных математических <...> 0.2 F(x + ϕ(t), ϕ(t) = 0.4 F(x) b a + b Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 <...> 7 ,, , ,, , ν ν () =+ ++ () =++ k = − 2 12 ν ν , rx r r =r ,= 0 , 1 bk xxk kxkk 1 0 10 7 5 1 89 14 80
Предпросмотр: Российский технологический журнал №5 2021.pdf (1,0 Мб)
Автор: Рыжонков Д. И.
М.: Лаборатория знаний
Рассмотрены различные методы получения ультрадисперсных (нано-) материалов — механические, физические, химические, биологические. Обобщены современные представления об электрических, магнитных, тепловых, оптических, диффузионных, химических и механических свойствах наноматериалов. Подчеркнута и продемонстрирована зависимость этих свойств от структуры материала и геометрических размеров наночастиц. Значительное внимание уделено вопросам хранения и транспортировки наноматериалов.
В начале 80-х годов им была предложена технология получения наноструктурных материалов, заключающаяся <...> Источником ударных волн может быть электрогидравлический разряд батареи высоковольтных 80 2. <...> Проведенные измерения показали, что уменьшение размера наночастиц Fe от 80 до 8–10 нм сопровождается <...> Метод позволяет определять до 80 элементов Периодической системы, а также анализировать пробы в любом <...> Источником ударных волн может быть электрогидравлический разряд батареи высоковольтных 80 2.
Предпросмотр: Наноматериалы.pdf (0,2 Мб)
Автор: Головкина М. В.
Изд-во ПГУТИ
Книга представляет собой учебное пособие по дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики», рассматривающий основные явления, принципы и экспериментальные достижения нанофотоники. В книге на высоком физико-математическом уровне описываются вопросы распространения и взаимодействия света в пространственно-ограниченных наноструктурах, рассматриваются свойства различных наноструктурированных материалов, а также вопросы их практического использования. Учебное пособие рассчитано на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработано в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014.
Рассеяние Ми ......................................................... 80 6.4. <...> электрического поля, индуцированного оптическим Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 <...> излучения на двойной частоте то нарастает то спадает., причем чем 0 10 20 30 40 50 60 70 0 20 40 60 80
Предпросмотр: Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики учебное пособие.pdf (0,8 Мб)
Автор: Колпаков
Издательство СГАУ
Основы физики твердого тела. Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)
сопротивление образца ρ=0,01 Ом⋅см, длина образца l=5 см, напряжение, прилагаемое к образцу, равно U=80 <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 ВАРИАНТ №4 Задача 1. <...> Исходные данные: Dn=10-6м2 с-1; μn=80 см2 ⋅В-1 ⋅с-1. Задача 7. <...> Исходные данные: Dn=10-6м2 с-1;μn=80 см2 ⋅В-1 ⋅с-1. Задача 7. <...> Исходные данные: Dn=10-6м2 с-1; μn=80 см2 ⋅В-1 ⋅с-1. Задача 7.
Предпросмотр: Основы физики твердого тела.pdf (0,3 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
Critical Infrastructure Protection. 2015; 9: 52-80. 13. Gopalakrishnan S., Zhang H. <...> V. 80. №. 1. P. 1–17. 5. Mourtzis D., Vlachou E. <...> P. 52–80. 13. Gopalakrishnan S., Zhang H. <...> С. 80–101. <...> Rossiyskiy tekhnologicheskiy zhurnal (Russian Technological Journal). 2019; 7(1): 80-101.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №1 2019.pdf (0,9 Мб)
Автор: Кравцова
Синтезированы твердые растворы сульфида цинка с марганцем и кобальтом. На основе анализа профилей рентгеновской дифракции сделано заключение о формировании квантовых точек (КТ) гексагональной структуры типа вюрцита; средний размер кристаллитов составляет 8 и 22 нм для образцов с марганцем и кобальтом соответственно. Результаты ИК и оптической спектроскопии согласуются с данными рентгенофазового и рент-генофлуоресцентного анализа. Рассмотрен вопрос агрегирования частиц в растворах изопропанола и ДМФА. Выполнено моделирование структуры КТ на основе частиц ZnS, допированных атомами переходных металлов Мп и Со. Показана возможность использования спектроскопии рентгеновского поглощения в ближней к краю области (XANES) для верификации параметров атомной структуры вокруг позиций допирую-щих атомов переходных металлов в квантовых точках семейства ZnS. Вычислены парциальные плотности электронных состояний ZnS:Mn и ZnS:Co
), <=( 0,05 $ % # ( # . 7 * ) $ '$Y 20 $ ' $' 80 <...> Lett. – 2002. – 80. – P. 4300. 16. Xiao Q., Xiao C. // Opt. Mater. – 2008. – 31. – P. 455. 17.
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
переходов Z32 (в) для оптимизированного дизайна A (xb = 0.20), B (xb = 0.25) и C (xb = 0.30) 40 60 80 <...> Минимальная кинетическая энергия отсечки была выбрана равной 80 Ry. <...> 60 40 20 0 Hin, Э 0 20 40 60 80 100 Т, мкм 1 2 d H Hin T W Ni Ni ЦТС Рис. 8. <...> Максимумы пьезомагнитных модулей составили q1 ≈ 0.06 Э−1, q2 ≈ 0.21 Э−1 и q3 ≈ 0.17 Э−1 в полях 60–80 <...> Вестник Астраханского государственного технического университета. 2019;2(68):77–80. 10.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №3 2022.pdf (1,1 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
at the output of charge pump system and the microcircuit output of bipolar LM27762 DC–DC converter 80 <...> Петров 93 Российский технологический журнал. 2020;8(1):80-96 Рис. 15. <...> Петров 95 Российский технологический журнал. 2020;8(1):80-96 12. <...> Сократ. 2016;5(Измерения науки):80-85. 8. <...> Sokrat = Socrates. 2016;5:80-5 (in Russ.). 8.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №1 2020.pdf (2,1 Мб)
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ
Монография посвящена результатам исследования морфологии, структуры и физико-химических свойств нанокомпозитных материалов на основе оксидов 3d-металлов с углеродной и кремниевой матрицами.
устойчивостью, контролируемой электропроводностью и интересными окислительно-восстановительными свойствами [80 <...> 41,58 2,52 – 45,78 2,3 16,5 45,77 2,3 90 51,8 2,05 14 51,82 2,05 20 CuSiO3 25,67 4,03 23,7 25,65 4,03 80 <...> Russo // Applied Physics Letters. – 2002. – V. 80. – № 25. – P. 4849–4851. Яблоков, М. Ю. <...> J.Calvino // Applied Physics Letters. – 2002. – V. 80. – P. 329–331. Li, W-J. <...> Тел. (863) 247-80-51.
Предпросмотр: Нанокомпозиты на основе оксидов 3d-металлов исследования морфологии и структуры методами электронной микроскопии и рентгеновской спектроскопии.pdf (0,5 Мб)
Автор: Кравцова
Проведено in silico исследование полупроводниковых квантовых точек семейства CdTe, допированных атомами редкоземельных элементов, на основе теории функционала электронной плотности. Выполнен ab initio компьютерный дизайн квантовых точек на основе наночастиц CdTe, допированных атомами Eu и Gd. Вычислены и проанализированы парциальные плотности электронных состояний квантовых точек CdTe:Eu и CdTe:Gd. Рассчитаны спектры рентгеновского поглощения в ближней к краю области за K, L1 и L3-KpaeM европия и K, L1 и L3-краем гадолиния квантовых точек CdTe:Eu и CdTe:Gd. Показана чувствительность спектроскопии XANES для верификации пара-метров наноразмерной атомной структуры квантовых точек на основе частиц CdTe, допированных атомами редкоземельных элементов, и определения локальной атомной структуры вокруг атомов редкоземельных элементов в квантовых точках.
. "1 % " 6 "0 80 $ 07 10 + 1"* " Gd L1- 0 GdS
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ
В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно изложены контактные явления. Обсуждаются особенности гетеропереходов.
Электронно-дырочный переход 80 Соответствующая кривая построена на рис. 4.4. Рис. 4.4. <...> Богданов и др. – Таганрог : Изд-во ТТИ ЮФУ, 2010. – 80 c. <...> Тел. (863) 247-80-51 Учебное издание Подписано в печать 29.12.2017 г. Бумага офсетная.
Предпросмотр: Физика. Введение в твердотельную электронику..pdf (0,6 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
основе одиночных диэлектрических микрочастиц для фотопроводящих оптико-терагерцовых преобразователей 80 <...> проницаемостей и ρэфф ферритов на различных частотах [13] Феррит f, МГц ε' ρэфф , Ом∙м Mg-Zn µн = 700 0.1 1 10 80 <...> 1150 Ni-Zn μн = 2000 0.01 0.1 1 10 2 100 2 050 1 100 100 950 950 910 830 Mn-Zn µн = 10000 0.1 1 10 80 <...> Она имеет следующие параметры: – Длина направляющего блока – 80 нм; – Ширина направляющего блока – 35 <...> горизонтального катета верхнего треугольника – 60 нм; – Длина вертикального катета верхнего треугольника – 80
Предпросмотр: Российский технологический журнал №6 2020.pdf (2,1 Мб)
Изд-во НГТУ
Учебное пособие предназначено для использования в курсах «Диффузия
в металлах и сплавах», «Термодинамика материалов», а также «Теория и технология термической и химико-термической обработки». В пособии описаны
физические явления, сопутствующие диффузии, и технологические процессы,
реализация которых связана с диффузионными преобразованиями в материалах. Отмечается роль диффузии в таких процессах, как диффузионная сварка и твёрдофазное спекание. Представлена информация о процессах химико-термической обработки. Рассмотрены термодинамика и кинетика процессов окисления металлических материалов. Описаны методы определения коэффициента диффузии. Каждый раздел пособия проиллюстрирован схемами и фотографиями микроструктур, сопровождается примерами решения типичных задач, заданиями для самостоятельной работы студентов, а также списком
контрольных вопросов.
Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 а б в Рис. 44. <...> Полученные данные представлены в таблице. x, 10–4 м 1 3 4 5 6 8 9 12 16 19 Cu, % 1 12 33 58 71 80 89
Предпросмотр: Диффузия в металлах и сплавах. Физические явления, сопровождающие технологические процессы.pdf (0,4 Мб)
Автор: Твердохлеб П. Е.
Изд-во НГТУ
Пособие посвящено изучению отражающих и пропускающих свойств тонких диэлектрических пленок с единых позиций волновой теории электромагнитного поля. Моделью пленки является трехслойная диэлектрическая структура: «подложка–пленка–защитный слой». Изложены физические основы работы такой структуры в режимах прохождения ТЕ- и ТМ-поляризованных световых волн, в том числе и с полным внутренним отражением на нижней границе раздела диэлектрических сред. Получены формулы для нахождения амплитудных и энергетических коэффициентов отражения и пропускания диэлектрических пленок. Исследованы зависимости таких коэффициентов от
длины волны, углов наклона и состояния поляризации световых волн,
а также от оптической толщины пленок. Включены вопросы, задачи и
расчетно-графические задания, способствующие более глубокому пониманию физических процессов распространения и преобразования световых волн в тонких диэлектрических пленках и методов их компьютерного моделирования.
Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 5. <...> Примеры курсовых работ (расчетно-графических заданий) .................. 80 Список рекомендуемых литературных
Предпросмотр: Оптические свойства тонких диэлектрических пленок.pdf (0,4 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
86 49 27 4 П4 97 59 72 5 П5 22 9 61 6 П6 89 22 38 7 П7 54 20 60 8 П8 91 86 87 9 П9 10 49 72 10 П10 80 <...> 85 20 11 П11 50 96 94 12 П12 35 11 80 13 П13 96 62 9 14 П14 12 13 35 15 П15 37 9 38 16 П16 67 65 62 <...> Это номинальное напряжение (Un = 220 В и 380 В) и токи нагрузки (In – 6, 10, 16, 25, 40, 63, 80, 100, <...> С. 80-136. <...> Р. 80-136 (in Russ.). 5. Mikhailov V.M.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №4 2020.pdf (1,5 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
определены с хорошей точностью, найденные амплитуды центрального и правого объекта близки к исходной (около 80% <...> Ошибки в распределении амплитуды сигнала невелики (амплитуда полученного решения составляет от 60% до 80% <...> значения найденных решений по 100 циклам поиска Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 <...> Гистограммы значений найденных решений для f3(x) 14 12 10 8 6 4 2 0 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 18 16 <...> 10 5 0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 10 20 30 40 50 60 70 80
Предпросмотр: Российский технологический журнал №4 2022.pdf (1,0 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
Российский технологический журнал. 2020;8(3):59-80. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2020-8-3-59-80 <...> Рогов, и др. 69 Российский технологический журнал. 2020;8(3):59-80 а б Рис. 7. <...> Рогов, и др. 73 Российский технологический журнал. 2020;8(3):59-80 а б в г Рис. 12. <...> Рогов, и др. 75 Российский технологический журнал. 2020;8(3):59-80 а б Рис. 14. <...> Проблемы черной металлургии и материаловедения. 2015;2:80-87. 5. Inshakov O.V. Inshakova E.I.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №3 2020.pdf (1,5 Мб)
Автор: Шабатина Т. И.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана
Нанохимия - быстро развивающаяся область науки, направленная на получение и изучение физико-химических свойств частиц вещества, имеющих размеры в несколько нанометров, и материалов на их основе. Подобные частицы обладают высокой реакционной способностью в широком интервале температур и размерной зависимостью свойств. Исследования в области нанохимии открывают перспективы для синтеза химических веществ и функциональных материалов с принципиально новыми и необычными свойствами. Настоящее пособие может рассматриваться как введение в область нанохимии и служить для студентов определенным указателем и справочным руководством в обширном мире наносистем, наноструктур и наноматериалов. Специальные разделы посвящены способам получения и свойствам наночастиц металлов и оксидов металлов, углерода, нанокомпозитам и искусственным метаматериалам. В пособии приведены четыре примера получения наноматериалов, которые могут быть использованы при постановке отдельных лабораторных работ.
показывают, что при одном и том же объеме частиц или числе атомов поверхность шара составляет только 80 <...> Число поверхностных атомов Доля поверхностных атомов S/V, % 0,1−0,2 1 1−10 100 1 101,5 −103 600 50−80 <...> стабилизированных в матрице аргона позволяет активировать СО2 и этилен (С2Н4) даже при температуре 10…80 <...> Ситуация изменяется при соконденсации атомарных паров магния с CCl4 при температуре 77…80 K. <...> иглу, на конце которой расположен зонд диаметром 1,4 мкм, состоящий из наностержней из ZnO диаметром 80
Предпросмотр: Нанохимия и наноматериалы.pdf (0,1 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
С. 72–80. URI: http://www.nsu.ru/xmlui/handle/nsu/307 14. Фраленко В.П., Агроник А.Ю. <...> Series: Information Technologies]. 2010; 8(4):72-80, (in Russ.). <...> Гришунин 75 Российский технологический журнал. 2019;7(4):71-80 Рис. 2. <...> Russian Technological Journal. 2019;7(4):71-80 org/10.1038/nphoton.2007.3 22. <...> С. 71–80 https://doi.org/10.32362/2500-316X-2019-7-4-71-80 For citation: Bilyk V.R., Grishunin K.A.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №4 2019.pdf (1,5 Мб)