539.2Свойства и структура молекулярных систем
← назад

Свободный доступ

Ограниченный доступ

Уточняется продление лицензии
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
50 ± 2 Гц фон ЭП в помещении 500 В/м 2–400 кГц 2.5 В/м Напряженность МП 5–2000 Гц 0.25 мкТл 50 ± 2 Гц <...> МГц 10 мкВт/см2 Напряженность ЭСП 15 кВ/м – 15 кВ/м Коэффициент ослабления ГМП – Кг Кг ≤ 2.0 – Кг ≤ <...> В/м, что в 4–5 раз больше установленного СанПиН 2.2.4.3359-16 (табл. 1) ПДУ (25 В/м) для РМ с ПК [1, <...> На расстоянии 0.1 м от проводов напряженность ЭП составляет 1–2 В/м, а МП – порядка 10 нТл [2]. <...> (25 В/м и 0.25 мкТл). 2.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №2 2022.pdf (1,0 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
При этом, на 4-м и 5-м лагах наблюдается уровень значимости выше 1%, что подсказывает возможность перехода <...> М.: Машиностроение, 1984. 272 с. 4. <...> М.: Мир, 1964. 416 c. <...> М.: Мир, 1964. 517 с. 4. Карташов Э.М. <...> М.: Наука, 1964. 487 с. 18. Карташов Э.М.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №2 2020.pdf (1,5 Мб)
ЯрГУ
"Физика твердого тела представляет собой стремительно развивающуюся область, имеющую широкий спектр практических приложений. В последние годы эта область привлекает к себе пристальное внимание благодаря ярким результатам, отмеченным Нобелевскими премиями. В настоящей работе коллективом ученых ЯрГУ им. П. Г. Демидова представлены разделы современной физики конденсированного состояния, включающие как традиционное изложение, так и описание явлений в низкоразмерных структурах. Работа предназначена для студентов, обучающихся по специальности 010803 Микроэлектроника и полупроводниковые приборы (дисциплина ""Физика твердого тела"", блок ОПД), очной формы обучения, а также для аспирантов, специализирующихся в областях микрои наноэлектроники и физики твердого тела."
Вскоре после открытия М. <...> М., 1985. 2. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М., 1978. 3. <...> М., 1982. 4. Займан Дж. Электроны и фононы. М., 1962. 5. Харрисон У. <...> Борн М. Атомная физика. М., 1965. 12. Иродов И.Е. Квантовая физика. Основные законы. М., 2004. <...> М., 1971. 4. Курант Р. Уравнения с частными производными. М., 1964. 5.
Предпросмотр: Физика твердого тела Учебное пособие.pdf (1,1 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
М.: Энергоатомиздат, 2011. 175 с. <...> М.: Мир, 1981. 736 c. [Lains M., Glass A. <...> М.: МИРЭА., 2020. 480 с. 3. Рогова В.А. <...> М: "Грин Принт", 2019. 140 с. <...> М.: Мир, 1977. 560 с. 5. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. Изд. 2-е. М.: Наука, 1973. 722 с. 6.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №5 2020.pdf (1,5 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
Фадеев Е., Блинов М., Гаршин В., Тарасова О., Ганьшина Е., Прудникова М., Прудников В., Lahderanta E. <...> Планк М. Введение в теоретическую физику. Ч. 3. Теория электричества и магнетизма. М. <...> м 6 Вектор направления на некоторый пиксел j ФПЗС r x y f ÂÑÊ = − м 7 Радиус-вектор <...> Урмаев М. Космическая фотограмметрия. М.: Недра; 1989. 278 c. ISBN 5-247-01273-9 12. <...> М.: Изд-во МГУ; 1987. 264 с. 14. Абрамовиц М., Стиган И.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №3 2021.pdf (1,0 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
103 м/с; AS ≈ 0.015 · 10−15 с2/м; χ ≈ 0.7 · 10−6 м2/с; C = 300 Дж · кг−1·К−1; ρ = 7.6 · 103 кг · м−3; <...> Скорость ультразвука v, м/с Удельная проводимость σ, См/м Источник [C2mim][NTf2] 450 · 10−15 1260 0.9 <...> Средняя скорость V = 0.28 м/с Сглаженный профиль на 100-м кадре. Частота f = 25.17 Гц. <...> Эренбург и М. Кольцов [6]. <...> М.: МИВ; 1933. 32 с. 9. Кельин В.Ф. Учебник испанского языка. Курс III. М.: МИВ; 1933. 34 с. 10.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №5 2022.pdf (1,1 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
М.: Стандартинформ; 2020. 73 с. 2. <...> 0 10 20 30 40 50 Н, кА/м 0 10 20 30 40 50 Н, кА/м 0 0.2 0.4 0.6 0.8 r/R 0 0.2 0.4 0.6 0.8 r/R 0 0.2 0.4 <...> При малых DIj для изменения длины прямой вставки на 10 м требуется изменить радиус на 1000 м и более, <...> М.: Транспорт; 1977. 169 с. 2. Струченков В.И. <...> М.: Мир; 1972. 312 с. 4. Хакимов Б.В.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №5 2021.pdf (1,0 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
, L – размер ФАР (м). <...> 1.10, D = 2.58 м. <...> М.: Контур-М; 2005. 95 с. ISBN 5-98642-013-6 4. Каку М. Физика будущего. <...> М.: Прометей; 2015. 46 c. <...> М.: Наука, 1979. 389 c. 2.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №6 2020.pdf (2,1 Мб)
Автор: Зимин С. П.
ЯрГУ
В монографии излагается современное состояние науки о формировании, исследовании и свойствах наноструктурированных полупроводников халькогенидов свинца PbX (X = Те, Se, S). Рассмотрены размерные эффекты в изучаемых материалах, подробно обсуждены новые подходы создания низкоразмерных систем на основе электрохимических и плазменных процессов.
М., Галущак М. А., Межиловская Л. И. <...> М., Литвин П. М., Литвин О. С. <...> М. <...> М. <...> М.
Предпросмотр: Наноструктурированные халькогениды свинца монография.pdf (1,1 Мб)
Автор: Изюмов Ю. А.
Регулярная и хаотическая динамика
Анализируется электронная структура и физические свойства сильно коррелированных систем (содержащих элементы с незаполненными 3d, 4d, 4f и 5f оболочками) на основе теории динамического среднего поля (DMFT). В настоящее время DMFT является универсальным и наиболее эффективным методом исследования состояний с сильными электронными корреляциями. В книге детально излагаются основы метода и даются его применения к различным классам таких систем.
Метод производящего функционала. — М. <...> B, 1981, 24, 864. [38] Хейне В., Коэн М., Уэйр Д. <...> В., Кацнельсон М. И., and Трефилов А. В. <...> В., Кацнельсон М. И., and Трефилов А. В. <...> М. и Удовенко В.
Предпросмотр: Электронная структура соединений с сильными корреляциями.pdf (0,3 Мб)
Автор: Труфанова Н. М.
М.: Институт компьютерных исследований
Проведено численное исследование движения и теплообмена полимера в пластицирующем экструдере. Рассмотрены все рабочие зоны экструдера: зона загрузки, зона задержки плавления, зона плавления и зона дозирования. Изучено влияние реологических и теплофизических свойств полимера, геометрии экструдера и технологических параметров на процессы плавления и теплообмена и рабочие характеристики экструдера. Приведены пути интенсификации процессов плавления полимеров.
№ шнека D Ц, м H=a, м t, м ϕ Ц, град S Ц, м 1 0,16 0,016 0,25 26°30′ 0,209 2 0,016 0,16 17°36′ 0,137 <...> м м м/с м/с кг/с кг/м 3 Дж кг ⋅ град Вт м ⋅ град Па⋅с Вт/м 3 0,14 0,03 31,65 0,48 0,036 0,565 800 3150 <...> М. <...> М. <...> М.
Предпросмотр: Плавление полимеров в экструдерах.pdf (0,2 Мб)
Автор: Ватульян А. О.
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ
В монографии рассмотрены граничные и коэффициентные обратные задачи для однородных и неоднородных упругих и электроупругих тел, в которых дополнительной информацией для их решения являются граничные волновые поля, измеренные в поверхностных или частотных областях. Изложен метод неклассических граничных интегральных уравнений первого рода с гладкими ядрами и его применение к решению граничных задач по определению векторов смещений и напряжений на недоступных для измерения участках границы. Предоставлены методы определения пьезоэлектрических характеристик неравномерно поляризованных стержневых пьезоэлементов. Доказаны теоремы единственности решения обратных задач, приведены численные примеры их решений, в том числе на основе сочетания граничных интегральных уравнений и метода конечных элементов.
Границы BC = 0,10 м, KF = 0,225 м и FE = 0,02 м свободны от напряжений. <...> М.: Физматлит, 1993. 224 с. 4. Александров В. М., Чебаков М. И. <...> М., Чебаков М. И. Введение в механику контактных взаимодействий. М. <...> М. <...> М.: Наука, 1965. 203 с. 81. Ландис Е. М.
Предпросмотр: Прямые и обратные задачи для однородных и неоднородных упругих и электроупругих тел.pdf (0,3 Мб)
М.: ПРОМЕДИА
В одноинстантонном приближении проведено теоретическое исследование влияния электрического поля на процесс туннелирования в квантовой молекуле с D{-}-центром. Показано, что наличие электрического поля приводит к трансформации двухъямного потенциала и, как следствие, к появлению на полевой зависимости вероятности туннелирования резонансного пика, когда двухъямный осцилляторный потенциал становится симметричным. Найдено, что данная особенность может быть идентифицирована в спектрах двухфотонного примесного поглощения.
Кревчик, М. Б. Семенов, А. В. Разумов, З. А. Гаврина, П. В. <...> Кревчик, М. Б. Семенов, А. И. Тернов. – М. : Физический факультет МГУ, 2002. – 108 с. 2. <...> Кревчик, М. Б. Семенов [и др.]. – М. : УНЦ ДО, 2003. – 510 с. 4. Krevchik, V. D. <...> Кревчика, М. Б. Семенова, К. Ямамото и др.) / В. Д. Кревчик, Э. Леггетт, Ю. Н. Овчинников, М. Б. <...> Ямамото [и др.]. – М. : Изд-во физического факультета МГУ им. М. В.
М.: ПРОМЕДИА
Рассматривается модель 1D-диссипативного туннелирования для структур из квантовых точек в системе совмещенного АСМ/СТМ в условиях внешнего электрического поля. Найдено, что влияние локальной моды матрицы среды термостата на вероятность 1D-диссипативного туннелирования приводит к появлению двух пиков в соответствующей полевой зависимости, один из которых для случая симметричного двухъямного осцилляторного потенциала оказывается неустойчивым, а второй (дополнительный) - устойчивым. Полученная теоретическая зависимость качественно согласуется с экспериментальной вольт-амперной характеристикой контакта АСМ зонда к поверхности квантовой точки из InAs.
Кревчик, М. Б. Семенов, Р. В. Зайцев, С. Е. Козенко, М. А. <...> М. Квантовая механика и макроскопические эффекты / И. М. Тернов, В. Ч. Жуковский, А. В. <...> Кривнова, М. Б. Семенова, К. <...> Овчинникова, М. Б. Семенова, К. Ямамото и др. – М. : Физматлит, 2011. – 496 с. <...> Кревчик, М. Б. Семенов, Р. В. Зайцев, С. Е. Козенко, М. А.
Автор: Шабатина Т. И.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана
Нанохимия - быстро развивающаяся область науки, направленная на получение и изучение физико-химических свойств частиц вещества, имеющих размеры в несколько нанометров, и материалов на их основе. Подобные частицы обладают высокой реакционной способностью в широком интервале температур и размерной зависимостью свойств. Исследования в области нанохимии открывают перспективы для синтеза химических веществ и функциональных материалов с принципиально новыми и необычными свойствами. Настоящее пособие может рассматриваться как введение в область нанохимии и служить для студентов определенным указателем и справочным руководством в обширном мире наносистем, наноструктур и наноматериалов. Специальные разделы посвящены способам получения и свойствам наночастиц металлов и оксидов металлов, углерода, нанокомпозитам и искусственным метаматериалам. В пособии приведены четыре примера получения наноматериалов, которые могут быть использованы при постановке отдельных лабораторных работ.
М. Голубев. — М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2014. — 63, [1] с. : ил. <...> М. Фарадей изучал свойства коллоидных растворов высокодисперсного золота. И лишь в 1933 г. М. <...> М.: Физматлит, 2010) 2.4. <...> М.: Физматлит, 2010. Кобаяси Н. Введение в нанотехнологию. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2005. <...> М. Роко, З. Уильямса, П. Аливисатоса. М.: Мир, 2002. Раков Э.Г.
Предпросмотр: Нанохимия и наноматериалы.pdf (0,1 Мб)
Автор: Драгунов В. П.
Изд-во НГТУ
Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы.
Секен К., Томпсон М. Приборы с переносом заряда. – М.: Мир, 1978. 2. Барби Д.Ф. <...> 8 y 0 10 − =Λ= м. <...> T, К σ, См/м Рис. 5.22. <...> М. <...> Борн М., Вольф Э. Основы оптики. – М.: Наука. 1970. – 772 с. 60.
Предпросмотр: Наноструктуры физика, технология, применение.pdf (0,6 Мб)
Автор: Драгунов В. П.
Изд-во НГТУ
Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы.
Секен К., Томпсон М. Приборы с переносом заряда. – М.: Мир, 1978. 2. Барби Д.Ф. <...> 8 y 0 10 − =Λ= м. <...> T, К σ, См/м Рис. 5.22. <...> М. <...> Борн М., Вольф Э. Основы оптики. – М.: Наука. 1970. – 772 с. 60.
Предпросмотр: Наноструктуры. Физика, технология, применение.pdf (0,6 Мб)
Автор: Рит Михаэль
Регулярная и хаотическая динамика
Нанотехнология - это технология работы с молекулами. Прогнозируется, что ее развитие приведет к революционным успехам в медицине, электронике, информационных технологиях, энергетике и других областях человеческой деятельности. Данная монография является живым и образным введением в методы и задачи наноинженерии. В ней отражены сложности, возникающие при проектировании и конструировании вычислительных наноустройств. Детально рассмотрены этапы развития этого нового направления в науке. Основное внимание уделяется методу молекулярной динамики, который применяется для анализа нового класса задач, направленных на исследование свойств атомных кластеров (которые, в свою очередь, являются основой для наноустройств). Приводятся полные сведения из области смежных фундаментальных наук (биологии, физики, химии, информатики и техники), необходимые для понимания излагаемого в работе материала.
Рит, М. Наноконструирование в науке и технике. <...> Эпштейн; М. <...> М. <...> (а) Скорость кластера Al63 составляет 1 000 м/с. (б) Скорость удара 2 000 м/с при той же мишени. <...> М.: Наука, 1979: Т. 2). 87. Milanski J.
Предпросмотр: Наноконструирование в науке и технике. Введение в мир нанорасчета..pdf (0,1 Мб)
Автор: Перельман
М.: ПРОМЕДИА
Рассказывается о том, почему при конденсации водяного пара в облаках получается именно снежинка с веточками-дендритами вычурной формы, а не округлый кусочек льда.
Первымзарисовыватьснежин иподми рос опомначалне#омонныйРобертГ . <...> «Намнеописание н жно,аобъяснение,—н дилиони,—то#данайдем, а справляться!» <...> ,например,водянойпардолженпри онденсацииизл чать винфра раснойобласти—врайоне3,6и6,4м <...> м. <...> м#новенно смол алиспоявлениемнаэ ранеслов:«Представленоа адеми омА.Д.Сахаровым»—авторитет
Автор: Миронова Татьяна Фёдоровна
РИЦ СГСХА
В монографии освещается современное состояние вопросов влияния импульсных нагружений на процессы фазообразования и характер взаимодействия металлов с атомами внедрения в широком температурном интервале, включая криогенные температуры. Выясняется роль импульсных упругих деформаций различного вида в образовании твердых растворов и фаз при взаимодействии металлов с легкими элементами. Рассматриваются различные факторы влияния импульсной пластической деформации на скорость массопереноса и особенности фазообразования в металлах и сплавах. Предлагается возможная модель процесса взаимодействия металлов с элементами внедрения при импульсной пластической деформации.
М. <...> М. <...> М. <...> М. <...> М.
Предпросмотр: Влияние импульсных нагружений на фазообразование и взаимодействие металлов с атомами внедрения.pdf (2,6 Мб)
Омский госуниверситет
Практикум включает 4 лабораторные работы по курсу "Молекулярная физика и термодинамика". Для студентов физического и химического факультетов.
В СИ единицей измерения абсолютной влажности является кг/м 3 . <...> В системе СИ коэффициент поверхностного натяжения измеряется Н/м. <...> в 1 м/с на 1 м имеет место касательное напряжение 1 Н/м. <...> Плотность стеариновой кислоты ρ = 848 кг / м 2 . <...> М., 1980. 5.
Предпросмотр: Моекулярная физика и термодинамика лабораторный практикум.pdf (0,2 Мб)
Автор: Бондаренко Г. Г.
М.: Лаборатория знаний
Настоящее учебное пособие посвящено описанию физических основ
взаимодействия высокоэнергетических излучений с веществом, сущности
и закономерностям радиационно-индуцированных процессов, протекающих
в облученных твердых телах, — образованию первичных структурных дефектов и их эволюции, фокусировке атомных столкновений и каналированию
частиц, структурно-фазовым превращениям в сплавах, трансмутационным
эффектам, электризации диэлектриков, распуханию, радиационному охрупчиванию и ползучести, ионному распылению, радиационному блистерингу и др. Особое внимание уделено созданию малоактивированных материалов, а также технологическим применениям радиационной обработки и модифицирования материалов.
Г., Якункин М. М. <...> А., Якункин М. М. <...> М. Платов, М. В. <...> А., Потапенко М. М., Чернов В. М. и др. <...> М. Платов, М. В.
Предпросмотр: Радиационная физика, структура и прочность твердых тел (1).pdf (0,3 Мб)
Бурятский государственный университет
В книге представлен краткий теоретический материал, а также описание лабораторной установки и порядок выполнения эксперимента. Для самоподготовки и контроля знаний по изученным в ходе лабораторной работы темам предусмотрен перечень контрольных вопросов.
При составлении практикума за основу приняты основные положения федерального государственного образовательного стандарта (ФГОС) бакалавров по направлению подготовки 03.03.02 Физика. Он включает в себя подробное описание всех лабораторных работ, выполняемых в течение одного семестра.
Предназначено для студентов-физиков специальности 03.03.02, а также студентов БГУ всех форм обучения.
∆H3, А/м С, А/дел N, дел. <...> Таблица 1 № N1 число витков l, м n1 1/м OA, м Cx, В/м R1, Ом Hk, А/м 1. 2. 3. <...> Таблица 2 № N2 число витков S, м2 С, Ф OС, м Cy, В/м R2, Ом Bост, Тл 1. 2. 3. <...> Таблица 3 № N2 число витков S, м2 С, Ф OД, м Cy, В/м R2, Ом Bнас, Тл 1. 2. 3. <...> OВ, м Cx, В/м R1, Ом Hнас, А/м 1. 2. 3.
Предпросмотр: Лабораторный практикум по электричеству и магнетизму.pdf (1,2 Мб)
Автор: Лепешев А. А.
Сиб. федер. ун-т
Рассмотрена физикохимия процессов формирования аморфных и нанокристаллических материалов при плазменном напылении. Описаны теплофизические особенности высокоскоростной закалки расплава при формировании материалов с неравновесной структурой. Предложена критериальная оценка структурного состояния напыляемых слоев. Особое внимание уделено комплексным исследованиям структурного состояния и физико-химических свойств широкого спектра соединений металлов (Fe–B, Co–Fe–Ni–B–Si, Al–Fe–Cu) и керамик (ферритов и композиций на их основе, высокотемпературных сверхпроводников). Приведены примеры практического применения напыленных аморфных и нанокристаллических материалов.
Таким образом, величины Б и α связаны соотношением 3 / 2 Б Б 0 0 2 , 612 Б ( K / 4 g М ) М В g <...> Используя методы магнитного фазового анализа (метод М(Т)) и корреляционной магнитометрии (метод М(Н)) <...> М.: Энергоиздат, 1981. 417 с. 52. Кудинов В.В. Плазменные покрытия. М.: Наука, 1977. 270 с. 53. <...> М.: Наука, 1988. 244 с. 174. <...> М.: Изд-во МГУ, 1970. 239 с. 200. Fukudome М., Kusano S. J. Chem. Soc. Japan Ind. Chem.
Предпросмотр: Плазменное напыление аморфных и нанокристаллических материалов.pdf (0,6 Мб)
Автор: Shakhnazarov
Using analogies, descriptions, illustrations and quotations from the works of famous metallurgical scientists, an attempt was done to link tetragonality, fragility, changes in the morphology of the martensite, destabilization of austenite carbon when % С > (~ 0,5 %) with intermediate phase ~ Fe42С (~ 0,5 % C). If % C > 0,5: martensite begins to change the morphology from dislocation to twin structure and become catastrophically fragile as well as becomes tetragonal without clasuse on smoothback during quench cooling; ferrite loses its ability to be widmanstatten and strengthen as a result of natural aging after subcritical quenching; the yield strength of ferrite-cementine mixture, regardless form of cementite, even begins to fall; the interval of martensite transformation starts to decrease, etc.
Возможно, удастся определить структуру фазы Fe42C, хотя М. <...> М.: Изд-во АН СССР, 1961. 516 с [Kornilov I.I. <...> М.: Металлургия, 1961. 240 с [Zaharov A.M. <...> М.: Гос. Изд-во физ-мат. лит-ры, 1962. 982 с. [Vol A.Y. <...> М.: Машиностроение, 1973. 40 с. [Shtremel M.A.
Автор: Колпаков
Издательство СГАУ
Основы физики твердого тела. Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)
КРИЧЕВСКИЙ ОСНОВЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА С А М А Р А 2010 Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство <...> и 1022 м-3 атомов галлия. <...> и 1022 м-3 атомов галлия. <...> и 1022 м-3 атомов галлия. <...> и 1022 м-3 атомов галлия.
Предпросмотр: Основы физики твердого тела.pdf (0,3 Мб)
М.: ПРОМЕДИА
Настоящий обзор посвящен анализу развития теории квантового туннелирования с диссипацией применительно к проблеме электронного транспорта. Анализируются особенности туннельной динамики квантовой частицы, взаимодействующей с термостатом, а также существующие методы описания этой динамики, дающие аналитические результаты: метод инстантонов, ВКБ и др. Обсуждаются перспективы развития этого направления и спектр нерешенных проблем. Рассматриваются физические реализации, где преимущественным является туннельный распад.
Лундквиста. – М. : Мир, 1973. – 422 с. 23. Кожушнер, М. А. Туннельные явления / М. А. <...> . – М. : Мир, 1977. – 384 с. 25. Чернавская, Н. М. <...> М. Чернавская, Д. С. Чернавский. – М. : Изд-во Моск. ун-та, 1977. – 176 с. <...> Кривнова, М. Б. Семенова, К. <...> Кревчика, М. Б. Семенова, К. Ямамото и др. – М. : Изд-во физического факультета МГУ им. М. В.
Автор: Рудь Н. А.
ЯрГУ
В данных методических указаниях рассматриваются теоретические основы электрической проводимости в терморезисторах, даётся классификация материалов по величине и механизму проводимости, сравниваются особенности классической и современной теории проводимости. Описаны устройство и применение терморезисторов с различными типами проводимости. Подробно излагается порядок выполнения лабораторной работы общего физического практикума «Изучение терморезистора». Издание осуществлено при финансовой поддержке Программы АВЦП «Развитие научного потенциала высшей школы» (проект № 2.1.1/13083).
Оч ика с ос так как в т только юса на м т неусто е рассма ожных с ая 3). .17. <...> Мэклин – М.: Мир, 1983. – 256 с. 2. Лифшиц, И. М. Электронная теория металлов / И. М. <...> Хохлов – М.: Высшая школа 2000. – 494 с. 4. Сивухин, Д. И. Общий курс физики. <...> Сивухин. – М.: Наука, 2006. – 456 с. 5. Шпольский, Э. В. Атомная физика: в 2 т. / Э. В. <...> Матвеев. – М.: Высшая школа, 1989. –356 с.
Предпросмотр: Изучение терморезистора Методические указания.pdf (0,5 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
М.: Инфра-М; 2018. 156 c. 9. Башарин С.А. Теоретические основы электротехники. <...> м. <...> м z = 5 м z = 25 м z = 10 м z = 50 м z = 100 м z = 250 м Риc. 6. <...> 1 м, λ = 10 cм, 0 < z < 50 м D = 1 м, λ = 1 cм, 0 < z < 200 м D = 1 м, λ = 1 cм, 0 < z < 1000 м Рис. <...> М.: ИНФРА-М; 2021. 530 с. ISBN 978-5-16-014883-0 13. Андрейчиков А.В., Андрейчикова О.Н.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №4 2021.pdf (0,9 Мб)
Автор: Кузьмичев
М.: ПРОМЕДИА
Выполнено математическое моделирование отклика жесткого сверхпроводника второго рода на приложенное внешнее гармонически модулированное магнитное поле. Сверхпроводник имел форму короткого цилиндра (таблетки). В рамках модели Кима и в приближении экранировки поля в центре образца рассчитаны гистерезисные кривые и гармоники намагниченности. Результаты расчета сравниваются с результатами ранее выполненного эксперимента на поликристаллах высокотемпературного сверхпроводника.
М. Лифшиц. – М. : Наука, 1982. – 620 с. 14. Кугушев, А. М. Основы радиоэлектроники / А. М. <...> Голубева. – М. : Энергия, 1969. – 880 с. 15. Кузьмичев, Н. Д. <...> Кузьмичев. – М., 2002. – 288 с. 16. Кузьмичев, Н. Д. <...> Монастырный. – М. : Наука, 1976. – 304 с. 20. Троелсен, Э. С# и платформа .NET / Э. <...> Шилдт. – М. : Вильямс, 2004. – 752 с.
Автор: Рыжонков Д. И.
М.: Лаборатория знаний
Рассмотрены различные методы получения ультрадисперсных (нано-) материалов — механические, физические, химические, биологические. Обобщены современные представления об электрических, магнитных, тепловых, оптических, диффузионных, химических и механических свойствах наноматериалов. Подчеркнута и продемонстрирована зависимость этих свойств от структуры материала и геометрических размеров наночастиц. Значительное внимание уделено вопросам хранения и транспортировки наноматериалов.
Gf , rкр3 2 М/Gf , (3.7) rкр куб 4 М/Gf . <...> rкр2, Gf 2 М/rкр3, Gf 4 М/rкр куб. <...> Gf , rкр3 2 М/Gf , (3.7) rкр куб 4 М/Gf . <...> rкр2, Gf 2 М/rкр3, Gf 4 М/rкр куб. <...> rкр2, Gf 2 М/rкр3, Gf 4 М/rкр куб.
Предпросмотр: Наноматериалы (2).pdf (0,2 Мб)
Автор: Бочкарева Л. В.
ЯрГУ
Методические указания содержат описания лабораторных работ. Предназначены для студентов, обучающихся по специальности 010803 Микроэлектроника и полупроводниковые приборы (дисциплина «Физика полупроводников и полупроводниковых приборов», блок ОПД), очной формы обучения.
Лысов. – М.: Просвещение, 1976. – С. 35–56. <...> Лысов. – М.: Просвещение, 1976. – С. 35–56. <...> Лысов. – М.: Просвещение, 1976. – С. 82–92. <...> Лысов. – М.: Просвещение, 1976. – С. 82–93. <...> Герман, – М.: Мир, 1980. – С. 178–183.
Предпросмотр: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов Методические указания.pdf (0,7 Мб)
Автор: Сысоев И. А.
изд-во СКФУ
В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и нано-структур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, аспирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и нано-структурой
М. Андреев, А. А. Алаев, Г. М. Гусинский, Г. М. Григорьева, М. Б. Каган, В. С. Калиновский, В. Р. <...> Велиев, М. В. Письменский, С. Ю. <...> Газарян, М. В. Письменский, Д. В. <...> Кнунянц (гл. ред.) и др. – М.: Сов. энцикл., 1988. – 623 с. 35. Шаскольская М. П. <...> . – М.: Высшая школа, 1976. С. 391. 36. Driscoll С. М. Н. Iust. Phys. conf. ser. / С. М. Н.
Предпросмотр: Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону монография.pdf (0,5 Мб)
М.: ПРОМЕДИА
Теоретически исследовано влияние двумерного диссипативного туннелирования на вероятность двухфотонной ионизации D{-}-центра в системе двух взаимодействующих квантовых молекул. Выявлены эффекты 2D-туннельных бифуркаций и квантовых биений для случая параллельного 2D-туннелирования.
Кревчик, М. Б. Семенов, А. И. <...> Кревчик, М. Б. Семенов [и др.]. – М. : УНЦ ДО, 2003. – 510 с. 4 Ovchinnikov, A. A. <...> Кревчик, М. Б. Семенов, О. Н. <...> Кревчика, М. Б. Семенова, К. Ямамото и др. / В. Д. Кревчик, Э. Леггетт, Ю. Н. Овчинников, М. Б. <...> Ямамото [и др.]. – М. : Изд-во физического факультета МГУ им. М. В. Ломоносова, 2009. – Ч. 1, 2.
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
потери около 1 дБ, при М = 16 – около 3 дБ, при М = 32 – около 5 дБ, а при М = 64 – около 9 дБ. <...> потери около 0.4 дБ, при М = 16 – около 0.6 дБ, при М = 32 – около 0.8 дБ, а при М = 64 – более 1 дБ <...> М = 4 до ~2% при М = 64. <...> Высота акустического резонатора L = 0.938 м, диаметр трубы h = 0.1 м. <...> 0.1 x, м v1, м/с v1, м/с 1.5 1.0 0.5 0.0 –0.5 –1.0 –1.5 0.010 0.012 0.014 0.016 0.018 2 1 0.020 t, c
Предпросмотр: Российский технологический журнал №2 2021.pdf (1,0 Мб)
Автор: Головкина М. В.
Изд-во ПГУТИ
Книга представляет собой курс лекций по учебной дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики», рассматривающий основные явления, принципы и экспериментальные достижения нанофотоники. В книге на высоком физико-математическом уровне описываются вопросы распространения и взаимодействия света в пространственно-ограниченных наноструктурах, рассматриваются свойства различных наноструктурированных материалов, а также вопросы их практического использования.
Рассеяние Ми Рассеяние Ми – это упругое рассеяние на частицах сферической формы. <...> Рассеяние Ми ( d / 2 , 5 ) Диаграмма направленности в случае рассеяния Ми имеет сложный вид и характеризуется <...> Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит. 2002. 560 с. 29. Карпов С.В. <...> Рассеяние Ми Рассеяние Ми – это упругое рассеяние на частицах сферической формы. <...> Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит. 2002. 560 с. 29. Карпов С.В.
Предпросмотр: Конспект лекций по учебной дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики» по направлению подготовки 200700.pdf (0,6 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
М.: Вильямс, 2008. 1104 с. <...> = 2; б) для М = 4. <...> М.: Связь, 1968. 336 с. 12. Куликов Г.В. <...> М.: ИНФРА-М., 2007. 640 с. URL: https://doi.org/10.12737/textbook_5c4567cb83fa36.41159592 5. <...> М., 2018. 48 с.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №3 2020.pdf (1,5 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
М.: Физматлит, 2007. 704 с. ISBN 978-5-94052-141-X 7. Кендалл М., Стюарт А. <...> М.: Наука, 1973. 900 с. 8. Кендалл М., Стюарт А. <...> М.: ТЕХНОСФЕРА, 2017. 294 с. <...> М.: Наука, 1974. 295 с. <...> М., 1970. С. 80-136.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №4 2020.pdf (1,5 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
= 4, а = 1.1, М = 16, а = 1.5, М = 32, а = 0.9 М = 64 а = 0.5 Рис. 4. <...> 22 м 18 м 37 м Горизонтальный эмиттенс 860 нм-рад 100 нм-рад 76 нм-рад 5 нм-рад Длина орбиты 8.7 м 48 <...> м 124.1 м 240 м Критическая длина волны 6.13 нм 3.4 нм 1.8 нм 0.6 нм Для определения абсолютной спектральной <...> М.: МИФИ. <...> М.: Наука, 1967. 683 c. 17. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1973. 719 с. 18. Max C.G.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №1 2021.pdf (1,5 Мб)
Автор: Разумовская И. В.
М.: Издательство Прометей
В учебном пособии подробно рассматривается второй раздел курса «Физика твердого тела» для педагогических вузов. Вместе с тем пособие ориентировано на то, чтобы помочь будущему учителю последовательно излагать идеи молекулярно-кинетической теории не только применительно к газам, но и к конденсированному состоянию. Ведущей физической и методической идеей данного раздела курса ФТТ является идея сильного взаимодействия атомов конденсированной среды и соответственно коллективного характера возникающих возмущений, в том числе упругих колебаний. Все главы заканчиваются контрольными вопросами-тестами, отдельно приведены ответы на тесты.
. – М.: МПГУ, 2011. – 64 с. <...> М. <...> Введение в теорию полупроводников. – М.: Наука, 1978. 6. Брандт Н. Б., Чудинов С. М. <...> . – М., МГУ, 1990. Дополнительная литература 7. Займан Дж., Электроны и фононы. ИЛ, М.: 1962. 8. <...> Строшио М., Дутта М. Фононы в наноструктурах. М.: Физматлит, 2006.
Предпросмотр: Физика твердого тела. Часть 2. Динамика кристаллической решетки. Тепловые свойства решетки. Учебное пособие.pdf (0,5 Мб)
Автор: Муралев
М.: ПРОМЕДИА
Работа посвящена исследованию первичного радиационного повреждения бикристаллитов альфа-железа с двойниковой границей зерна путем молекулярно-динамического моделирования. Моделирование проведено на основе многотельного межатомного взаимодействия. Рассмотрены атомарные модели шести типов протяженных двойниковых межзеренных границ в ОЦК-железе, рассчитаны их удельные энергии и определены размеры межзеренных областей. Проведено моделирование развития каскадов атомных смещений в бикристаллах альфа-железа с симметричной межзеренной границей [сигма]5 (310) [001]. На основе полученных результатов проведен сравнительный анализ числа образующихся радиационных дефектов в идеальной кристаллической решетке и бикристаллитах, содержащих межзеренную границу.
Муралев, М. Ю. Тихончев, В. В. <...> М. Чернов, К. П. Зольников, Д. С. Крыжевич, А. В. <...> %Cr с углеродом в растворе / М. Ю. Тихончев, В. В. Светухин, А. С. Кадочкин, Э. <...> Тихончев, М. Ю. <...> Тихончев, М. Ю.
М.: Лаборатория знаний
Представлены описания лабораторных работ для студентов 2–3-х курсов, обучающихся по специальностям «Нанотехнологии в электронике» и «Квантовая электроника». В ходе выполнения работ студенты ознакомятся с некоторыми методами получения наночастиц и нанокомпозитов, приобретут навыки работы с объектами нанометрового размера и овладеют современными физико-химическими методами исследования. Каждый цикл работ предваряется теоретическим введением, которое может играть роль краткого конспекта лекций.
раствор NaCl, 1 М раствор сахара. <...> Реактивы: 0,1 М раствор H2PtCl6, 1 М раствор NaBH4, 1 М раствор KOH, этиленгликоль, 37%-й раствор формальдегида <...> М.: МИФИ, 2007. 48 с. 48. Кулаков Ю.А. Электронная микроскопия. М.: Знание, 1981. 64 с. 49. <...> Реактивы: 0,1 М раствор H2PtCl6, 1 М раствор NaBH4, 1 М раствор KOH, этиленгликоль, 37%-й раствор формальдегида <...> М.: МИФИ, 2007. 48 с. 48. Кулаков Ю.А. Электронная микроскопия. М.: Знание, 1981. 64 с. 49.
Предпросмотр: Методы получения и исследования наноматериалов и наноструктур. Лабораторный практикум по нанотехнологиям.pdf (0,4 Мб)
Автор: Головкина М. В.
Изд-во ПГУТИ
Книга представляет собой учебное пособие по дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики», рассматривающий основные явления, принципы и экспериментальные достижения нанофотоники. В книге на высоком физико-математическом уровне описываются вопросы распространения и взаимодействия света в пространственно-ограниченных наноструктурах, рассматриваются свойства различных наноструктурированных материалов, а также вопросы их практического использования. Учебное пособие рассчитано на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработано в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014.
Рассеяние Ми Рассеяние Ми – это упругое рассеяние на частицах сферической формы. <...> Рассеяние Ми ( d / 2 , 5 ) Диаграмма направленности в случае рассеяния Ми имеет сложный вид и характеризуется <...> М.: Физматлит. 2007. 416 с. 26. Мамонтов Д. Наука. <...> Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит. 2002. 560 с. 29. Карпов С.В. <...> М.: Физматлит. 2010. 528 с. 39. Федоров А.В.
Предпросмотр: Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики учебное пособие.pdf (0,8 Мб)
Автор: Глухова Ольга Евгеньевна
М.: «Центральный коллектор библиотек «БИБКОМ»
В учебно-методическом пособии изложены лабораторные работы по механическим и электронным свойствам наноструктур, а также методы позволяющие исследовать свойства углеродных наноструктур. Произведено описание программного пакета Ring, который поможет студентам в выполнении лабораторных работ.
Колесникова, М. М. Слепченков; О. Е. <...> М.: БИНОМ Лаюоратория знаний ,2011.-488с: ил. <...> Дж k 1 , 5 10 м Дж k 4 , 0 10 рад Дж k 4 , 4 10 м Дж k 3 , 25 10 Практическая <...> Основы квантовой химии. – М.: Мир, 1979. – 504с. <...> М. М.
Предпросмотр: Вычислительный практикум по моделированию наноструктур и устройств на их основе.pdf (0,3 Мб)
Автор: Байков Ю. А.
М.: Лаборатория знаний
В данной монографии впервые создана новая аналитическая теория кристаллизации двухкомпонентных равномолярных металлических расплавов в диффузионно-релаксационном режиме. Эта аналитическая теория является естественным продолжением рассмотренной авторами проблемы роста кристаллов с простой кубической ячейкой и стехиометрического состава в кинетическом режиме кристаллизации аналогичных металлических расплавов.
В основе представленной аналитической теории кристаллизации выше упомянутых расплавов лежит модель так называемой виртуальной переходной двухфазной зоны (ПДЗ), отделяющей собой две соприкасающиеся фазы — двухкомпонентный расплав металлических сплавов и растущий из него кристалл.
М., 1969. С. 182–185. 12. Gilmer G. H. <...> М.: Физматлит, 2003. 378 с. 44. Борисов В. Т. <...> М.: Наука, 1980. 407 с. 46. Zelenev Yu. V. <...> М., 2017. 180 с. 73. Chistyakov Yu. D. <...> Петров, М. И, Тимошина, Е.
Предпросмотр: Кристаллизация двухкомпонентных металлических расплавов в диффузионно-релаксационном режиме.pdf (0,4 Мб)
Автор: Булярский
М.: ПРОМЕДИА
Исследуется вольт-амперная характеристика полупроводниковой однослойной углеродной нанотрубки. Найдены выражения для концентрации электронов (дырок), а также плотности состояний в зоне проводимости (валентной зоне) для полупроводниковой нанотрубки. Из приведенной скорости рекомбинации определены параметры энергий локальных состояний, участвующих в процессе переноса тока.
Вострецова, М. С. <...> Для расчетов нам необходимо знать N c , N v – плотность состояний в зоне проводимости и валентной зоне <...> 3 , N c 5,961 10 23 м 3 , p 1,807 10 18 м 3 , N p 5,961 10 23 м 3 . <...> Харрис. – М. : Техносфера, 2003. – 336 с. <...> Вострецова, М. С. Ермаков // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион.
Автор: Васильев В. Ю.
Изд-во НГТУ
Рассмотрены вопросы методологии и технологии создания тонких пленок (ТП) неорганических материалов осаждением из газовой фазы для использования в технологиях микро- и наноэлектроники. Пособие создано на основе исследовательской и публикационной активности автора в течение 40 лет; развиты и обобщены результаты исследований, начатых в 1970-х годах в Институте физики полупроводников Академии наук СССР и исследовательских отделах предприятий электронной промышленности г. Новосибирска. Рассмотрена совокупность вопросов, связанных с методологией и
технологией получения высококачественных ТП для изделий микроэлектроники, показана возрастающая роль ТП технологий в технологических маршрутах изготовления изделий, рассмотрены тенденции развития, типы и характеристики оборудования для процессов производства ИМС, технологические процессы получения различных ТП материалов на основе кремния, свойства ТП материалов. Учебное пособие разработано в соответствии с рабочей программой учебной дисциплины «Семинары по специальности», образовательная программа: 11.04.04. «Электроника и наноэлектроника», магистерская программа «Микро- и наноэлектроника».
. – М.: Наука, 1972. – С. 172–176. 1-3. Adams A.C. <...> Сер. 7. – Вып. 4. – М.: ЦНИИ «Электроника», 1985. – С. 1–52. 5. <...> Сер. 2. – Вып. 7. – М.: ЦНИИ «Электроника», 1986. – С. 1–53. 6. <...> Сер. 2. – Вып. 7. – М.: ЦНИИ «Электроника», 1988. – С. 1–62. 7. <...> Курс химической кинетики. – М.: Высшая школа, 1984. – 463 с. 30.
Предпросмотр: Технология тонких плёнок для микро- и наноэлектроники .pdf (0,5 Мб)
Автор: Никитенков Н. Н.
Изд-во ТПУ
Пособие посвящено экспериментальным особенностям и теоретическим
вопросам анализа свойств поверхности твердых тел и тонких пленок. Рассмотрены механизмы физических явлений, лежащих в основе эмиссионных процессов, при возбуждении поверхности электронными и ионными пучками, температурой и электростатическими полями большой напряженности. Описаны принципы функционирования узлов высоковакуумных аналитических установок (оптика заряженных частиц, энергоанализаторы, масс-анализаторы, электронные и ионные пушки, детекторы частиц и излучений).
М. <...> М.: Мир, 1980. 336 с. <...> вакансией М–. <...> М.: Наука, 1967. 491 с. Рис. 5.4. <...> М.: Мир, 1989. 342 с.
Предпросмотр: Основы анализа поверхности твердых тел методами атомной физики.pdf (0,6 Мб)
Автор: Ирхин В. Ю.
М.: Институт компьютерных исследований
Монография включает рассмотрение всех основных физических свойств d- и f-переходных металлов и изложение соответствующих теоретических концепций. Подробно обсуждаются некоторые нетрадиционные вопросы: влияние особенностей плотности состояний на электронные свойства; многоэлектронное описание сильного коллективизированного магнетизма; механизмы магнитной анизотропии; микроскопическая теория аномальных кинетических явлений в ферромагнетиках. Помимо классических проблем физики твердого тела в применении к переходным металлам, рассмотрены современные достижения в теории электронных корреляций d- и f -систем в рамках многоэлектронных моделей.
. — М. <...> М.: Гостехиздат, 1941. 3. Зейтц Ф. Современная теория твердого тела: Пер. с англ. М. <...> М., Азбель М. Я., Каганов М. И. Электронная теория металлов. М.: Наука, 1971. 11. Крэкнелл А. <...> А., Кириллова М. М., Сандрацкий Л. М. // ФММ 67, 279 (1989). 115. Jo T., Sawatzky G. A. // Phys. <...> Ю., Кацнельсон М.
Предпросмотр: Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f -металлах и их соединениях.pdf (0,3 Мб)
Автор: Эрлих
М.: ПРОМЕДИА
Статья о том, что нанонаука в России есть, исследования ведутся во всех основных их областях, и ведутся довольно успешно с учетом всех привходящих обстоятельств и сложностей.
Нам же он дает возможность вникнуть в выявленную суть нанотехнологий, привлекая, в частности, некоторые <...> групп наноматериалов: конструкционные материалы и сплавы — падение от 6,2% в 2000 году до 4,2% в 2010-м, <...> А что говорит нам анализ публикаций? <...> Однако нам он представляется чрезвычайно важным. <...> Но ее приложения нам близки и понятны.