Голуб (Украина) Изложены принципы построения полупроводниковых датчиков температуры, выполненных в виде интегральных микросхем, со встроенными и вынесенными чувствительными элементами и с аналоговым и цифровым выходом. <...> Описаны датчики фирмы Analog Devices, а также новые схемные решения датчиков. <...> В полупроводниковых датчиках температуры, рассматриваемых ниже, используется вольтамперная характеристика p-n перехода вида: U = ϕTln(I/IS + 1),(1) которая для положительной ветви может быть упрощена: U ≈ ϕTln(I/IS). <...> В формулах (1) и (2) ϕT = Выражение (2) справедливо = kT/q — температурный потенциал перехода, пропорциональный абсолютной температуре T (k = const, q = const — постоянная Больцмана и заряд электрона соответственно). <...> Для реализации свойств p-n перехода используют транзисторы, у которых база соединена с коллектором, при этом напряжение на транзисторе определяется суммой падений напряжения на эмиттерном переходе от тока эмиттера и на сопротивлении базы от тока базы. <...> Ток базы невелик, поэтому падением напряжения на сопротивлении базы обычно пренебрегают. <...> Может быть использован также транзистор при более высоком напряжении на его коллекторе, при этом воспроизведение свойств перехода участком “база—эмиттер” может быть даже более точным. <...> Способы включения транзистора с напряжением на коллекторе (относительно вывода эмиттера) как равным, так и бульшим напряжения на эмиттерном переходе рассмотрены ниже в цепях измерения температуры (ИЦ). <...> Из присутствующих в выражениях (1) и (2) параметров ϕT и IS, зависящих от температуры, первый используется для измерения абсолютной температуры T, а действие второго компенсируется. <...> Используются транзисторы либо с переходами разной площади и равными токами, либо с равными площадями и разными токами. <...> Схемы простейших датчиков температуры: а — с двуполярным питанием; б — с однополярным питанием Датчики и Системы · ¹ 12.2007 29 + + Σ Выход Вход 2 I Вход 2 –2 VT2 N 0 + Σ также применение одного транзистора <...>