Силовая электроника, № 2’2017 с предохранителями в эмиттерных и базовых цепях. <...> Такие модули ранее (в 1975–1985 гг.) широко использовались для создания ключевых устройств повышенной мощности (рис. <...> В качестве предохранителей в таких модулях возможно использование технологических токоподводов к кристаллу транзистора. <...> Заключение В заключение следует отметить, что в представленных материалах показано, что разработанный ранее [5] комплекс критериев ключевого режима насыщения биполярных транзисторов применим и для вновь появляющихся приборов, в частности BISS-транзисторов. <...> Любые полупроводниковые приборы разрабатываются под конкретные задания реальных заказчиков, финансирующих разработку. <...> Предоставление разработчикам понятных и однозачных критериев ключевого режима насыщения (возможно, в виде нового ГОСТ) не потеряло актуальности и позволит улучшить качество выпускаемой продукции. <...> Коэффициент передачи тока в режиме насыщения //Электронная техника в автоматике. <...> АС № 1202399 (СССР) «Устройство для измерения коэффициента передачи тока Рис. <...> Примеры силовых транзисторных сборок на биполярных транзисторах 2Т808А, 1Т906А, 2Т836Б транзистора в режиме насыщения // Г. М. Веденеев, А. Н. Воронцов, В. Г. Еременко, А. Н. Зенченко, А. Б. Токарев. <...> Силовые биполярные транзисторы при работе в ключевых режимах. <...> Прорыв в технологии малосигнальных транзисторов // Компоненты и технологии. <...> Преимущества применения биполярных транзисторов BISS // Компоненты и технологии. <...> Интеллектуальный силовой модуль на 500 В и 2,5 А от Toshiba объединяет драйвер, силовой каскад и схемы защиты с управлением сигналом синусоидальной формы TPD4206F представляет собой многокристальную ИС с номинальным напряжением 500 В и током 2,5 А и обеспечивает интегрированное управление электродвигателями с помощью синусоидального или трапецеидального сигнала. <...> Благодаря этому устройство оптимально для систем управления перемещением небольшой мощности с низким уровнем <...>