Национальному исследовательскому ядерному университету МИФИ — 70 лет Работа выполнена на кафедре “Микро- и наноэлектроника” НИЯУ МИФИ. <...> 585-82-73 E-mail: suwko@mail.ru УДК 621.317.3 К содержанию ПРИБОР ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ А. С. <...> В Беляков, В. А. Лапшинский, В. С. Першенков, А. В. Соломатин Рассмотрены структурно-функциональные и конструктивно-технологические характеристики прибора, предназначенного для автоматизированного измерения электрических характеристик интегральных и дискретных компонентов электронной аппаратуры. <...> Описаны методика измерения токов с помощью диодного логарифмического преобразователя ток—напряжение и алгоритм калибровки преобразователя с использованием резисторов различных номиналов. <...> Приведены передаточные характеристики трех измерительных каналов устройства. <...> Ключевые слова: измерительные системы, датчик тока, вольтамперные характеристики, полупроводниковые приборы, интегральные микросхемы. <...> ВВЕДЕНИЕ Измерение электрических параметров интегральных микросхем и дискретных полупроводниковых приборов осуществляется на многих этапах технологического цикла, включая стадии тестирования и отбраковки. <...> Интегральные микросхемы специального назначения проходят особые квалификационные испытания на стойкость к воздействию указанных факторов, в процессе которых необходимо контролировать изменение характеристик испытываемых приборов. <...> Измерение вольтамперных характеристик тестовых транзисторных структур необходимо для исследования физических эффектов и механизмов радиационной деградации микроэлектронных изделий с целью разработки методики радиационных испытаний [2]. <...> Для измерения характеристик тестовых транзисторных структур при исследованиях физических механизмов их радиационной деградации необходимо иметь возможность задания напряжения в пределах ±10 В с точностью не хуже, чем ±1 мВ и измерения тока в широком диапазоне <...>