К содержанию Новости РАЗРАБОТАН НОВЫЙ ТИП МАЛОПОТРЕБЛЯЮЩЕЙ, БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕЙ И ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ Используя управление электрическим потенциалом вместо управления электрическим током, исследователям из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе удалось кардинально усовершенствовать технологии сверхскоростной и высокопроизводительной магниторезистивной памяти с произвольным доступом (magnetoresistive random access memory, MRAM). <...> Новый тип памяти получил название MeRAM (magnetoelectric random access memory), и у этой технологии имеется огромный потенциал для того, чтобы стать основой новых микросхем оперативно-постоянной памяти для смартфонов, SSD-дисков, планшетных и обычных компьютеров. <...> Технология памяти MeRAM отличается низким потреблением энергии в сочетании с очень высокой плотностью хранения информации, быстродействием, малыми значениями чтения и записи информации. <...> Но основным ее “коньком” является энергонезависимость — способность хранения информации в то время, когда эта память не подключена к внешнему источнику энергии. <...> Современные технологии магнитной и магниторезистивной памяти основаны на использовании электрического заряда электронов с его моментом вращения — спином (spin-transfer torque, STT). <...> Но такая память все еще требует достаточно большого количества энергии, и плотность хранения информации ограничена тем, что нельзя физически располагать близко ячейки памяти. <...> В технологии MeRAM управление электрическим током, такое как используется в технологии STT, заменено управлением электрическим напряжением — разностью потенциалов. <...> Это избавляет от необходимости перемещать большие группы электронов через проводники, делая такую систему в 101.103 раз более эффективной по энергопотреблению. <...> Отсутствие электрического тока обуславливает отсутствие выделяющегося паразитного тепла, что позволяет сделать память MeRAM в пять раз более плотной, нежели обычная память STT. <...> “Реализованная способность переключения <...>