ТЕОРИЯ И ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ ДАТЧИКОВ, ПPИБОPОВ И СИСТЕМ УДК 621.3.049 МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ИНТЕГРАЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ ВОДОРОДА С МДП-ТРАНЗИСТОРНЫМИ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ Б. И. <...> Подлепецкий Представлены модернизированные электрофизические и электрические модели МДП-транзисторных чувствительных элементов для расчетов метрологических и эксплуатационных характеристик интегральных датчиков водородсодержащих газов и газоаналитических микросистем на их основе. <...> Ключевые слова: интегральные датчики водорода, МДП-транзисторные элементы, электрофизические и электрические модели, модели метрологических характеристик. <...> ВВЕДЕНИЕ Разработка интегральных датчиков (ИД) и микроприборов с чувствительными элементами (ЧЭ), изготовленными на основе микротехнологий, представляется перспективным направлением для создания малогабаритных газоаналитических приборов и микросистем [1]. <...> Особый интерес представляют датчики водородсодержащих газов, которые применяются в системах, обеспечивающих взрыво- и пожаробезопасность в шахтах горнорудной промышленности, на ядерных реакторах, в хранилищах аккумуляторных батарей, в транспортных средствах с водородными двигателями и в медицине [2]. <...> На кафедре микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ разработан ряд датчиков водорода с МДП-структурами Pd(Pt)—SiO2—Si, Pd/Ti— SiO2—Si, Pd(Pt)—Ta2O5—SiO2—Si и др. <...> . Наилучшие характеристики среди разработан2 Sensors & Systems · ¹ 7.2014 ных датчиков водорода имеет интегральная базовая ячейка ИДВ-3, которая содержит на одном чипе четыре элемента: водородочувствительные МДП-транзисторный чувствительный элемент со структурой Pd—Ta2O5—SiO2—Si (ТЧЭ) и палладиевый резистор, резисторный нагревательный элемент и тестовый транзистор со структурой Al—SiO2—Si, используемый также как термочувствительный элемент в схеме стабилизации рабочей температуры ТЧЭ [6]. <...> ТЧЭ, структура и топология ИДВ-3 представлены в работах [4, 6]. <...> Экспериментальные исследования <...>