Успехи прикладной физики, 2017, том 5, № 1 ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ УДК 621.373.8 PACS: 85.40.-e, 85.90.+h Влияние разработанных базовых методов резки приборных пластин сапфира и карбида кремния на выход годных нитридных СВЧ монолитных интегральных схем С. А. Гамкрелидзе, В. С. Кондратенко, В. В. Стыран, А. А. Трофимов, Н. В. Щаврук Материалами подложки приборных пластин в современной сверхвысокочастотной (СВЧ) электронике на основе GaN/AlGaN выступают сапфир и карбид кремния, которые обладают высокой твердостью и одновременно являются хрупкими. <...> Методы разделения таких приборных пластин на отдельные кристаллы недостаточно изучены в совокупности свойств материала подложки и особенностей изготовления современных монолитных интегральных схем (МИС). <...> В настоящей работе рассматривается разработка базовых производственных маршрутов, повышающих эффективность существующих методов резки приборных пластин сапфира и карбида кремния применительно к приборным пластинам с изготовленными на них современными СВЧ МИС на нитридных гетероструктурах, а также изучение влияния резки на технико-эксплуатационные параметры МИС. <...> Ключевые слова: нитридные гетероструктуры, монолитные интегральные схемы, шлифование, полирование, лазерное управляемое термораскалывание, дисковая резка, критерии отбраковки МИС, выход годных. <...> Введение В настоящее время сверхвысокочастотная (СВЧ) электроника на основе нитридгаллиевых (GaN) гетероструктур в области рабочих частот выше 4–5 ГГц быстро вытесняет приборы, изгоГамкрелидзе Сергей Анатольевич1, директор, д.т.н., профессор. <...> E-mail: vsk1950@mail.ru, aa-trofimov@yandex.ru Статья поступила в редакцию 22 декабря 2016 г. © Гамкрелидзе С. А., Кондратенко В. С., Стыран В. В., Трофимов А. А., Щаврук Н. В., 2017 товленные на основе кремниевой и классической GaAs-технологии. <...> Структуры на основе GaN/AlGaN являются перспективными материалами для электронной техники. <...> Высокая удельная мощность GaN-транзисторов позволяет существенно <...>