Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 645537)
Контекстум
Микроэлектроника (РАН)  / №2 2017

ВСТРАИВАЕМЫЙ В ТЕХНОЛОГИЮ ПРОЦЕСС CVD-РОСТА УНТ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КАТАЛИТИЧЕСКИХ ТОНКИХ ПЛЕНОК Ct–Me–N–O (200,00 руб.)

0   0
Первый авторБулярский
АвторыДубков С.В., Павлов А.А., Скорик С.Н., Трифонов А.Ю., Шулятьев А.С., Шаман Ю.П., Кицюк Е.П., Дудин А.А., Сиротина А.П., Гаврилов С.А.
Страниц8
ID593619
АннотацияИсследован процесс формирования массивов углеродных нанотрубок на каталитических сплавах Ct–Me–N с низким содержанием никеля (10–20 ат. %) методом химического осаждения из газовой фазы, где Ct – каталитический металл из группы Ni, Co, Fe, Pd; Me – переходный металл IV– VII группы Периодической таблицы элементов. Показано, что УНТ эффективно растут, если сплав содержит Ti, V, Cr, Zr, Hf, Nb, Ta. Добавление азота и кислорода в состав сплава способствует образованию оксинитридов, выдавливанию катализатора и образованию его кластеров на поверхности. Замена металлов в сплаве влияет на диаметр УНТ. При этом для роста УНТ могут использоваться пленки сплава различной толщины (10–500 нм), что обуславливает хорошую однородность и воспроизводимость процесса. Рост УНТ не наблюдался, если сплав содержал W, Re.
УДК621.382
ВСТРАИВАЕМЫЙ В ТЕХНОЛОГИЮ ПРОЦЕСС CVD-РОСТА УНТ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КАТАЛИТИЧЕСКИХ ТОНКИХ ПЛЕНОК Ct–Me–N–O / С.В. Булярский [и др.] // Микроэлектроника (РАН) .— 2017 .— №2 .— С. 5-12 .— URL: https://rucont.ru/efd/593619 (дата обращения: 14.07.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

83–90 ТЕХНОЛОГИИ МИКРОИ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ УДК 621.382 ВСТРАИВАЕМЫЙ В ТЕХНОЛОГИЮ ПРОЦЕСС CVD-РОСТА УНТ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КАТАЛИТИЧЕСКИХ ТОНКИХ ПЛЕНОК Ct–Me–N–O © 2017 г. Д. <...> Ф.В. Лукина”, г. Зеленоград, Россия *E-mail: gromadima@gmail.com **E-mail: bulyar2954@mail.ru Поступила в редакцию 04.07.2016 г. Исследован процесс формирования массивов углеродных нанотрубок на каталитических сплавах Ct–Me–N с низким содержанием никеля (10–20 ат. %) методом химического осаждения из газовой фазы, где Ct – каталитический металл из группы Ni, Co, Fe, Pd; Me – переходный металл IV– VII группы Периодической таблицы элементов. <...> Показано, что УНТ эффективно растут, если сплав содержит Ti, V, Cr, Zr, Hf, Nb, Ta. <...> Добавление азота и кислорода в состав сплава способствует образованию оксинитридов, выдавливанию катализатора и образованию его кластеров на поверхности. <...> Замена металлов в сплаве влияет на диаметр УНТ. <...> При этом для роста УНТ могут использоваться пленки сплава различной толщины (10–500 нм), что обуславливает хорошую однородность и воспроизводимость процесса. <...> Рост УНТ не наблюдался, если сплав содержал W, Re. <...> DOI: 10.7868/S054412691702003X ВВЕДЕНИЕ Углеродные нанотрубки, открытые Ииджимой почти 25 лет назад [1], в настоящее время попрежнему привлекают большое внимание ученых и остаются одним из перспективных наноматериалов. <...> Уникальная структура углеродных нанотрубок обуславливает их особенные механические, физические и электрические свойства в сочетании с их химической инертностью. <...> Среди существующих методов формирования УНТ для технологии микроэлектроники наиболее технологически привлекательным является метод химического осаждения из газовой фазы (CVD), в котором углеводороды термически и под воздействием плазмы (PECVD) разлагаются в присутствии металлического катализатора. <...> В данном случае рост УНТ имеет место на локализованных областях поверхности твердой фазы и при сравнительно низких температурах, особенно в случае стимуляции дан83 , А. <...> Кицюк2, 3 , , 1Национальный исследовательский <...>