Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 610594)
Контекстум
Микроэлектроника (РАН)  / №1 2017

ПРЯМОЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ЭНЕРГИИ β-РАСПАДА В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ (200,00 руб.)

0   0
Первый авторЛакалин
АвторыАбанин И.Е., Амеличев В.В., Рисованый В.Д., Светухин В.В., Иванов Б.В., Лисина И.Г.
Страниц9
ID593612
АннотацияПроведено сопоставление эффективности источников питания, изготовленных на основе источников β-излучения и выявление факторов, снижающих коэффициент полезного действия приборов. Представлены результаты экспериментальных исследований и расчетов эффективности прямого преобразования энергии источников β-излучения Ni-63 в электрическую с помощью кремниевых p–i–n-диодов. Получено выражение для напряжения холостого хода преобразователя с учетом распределения электронов высоких энергий в области пространственного заряда p–i–n-диода. Показаны пути оптимизации параметров преобразователя за счет совершенствования технологии изготовления диодов, оптимизации толщины активного слоя излучателя и i-области полупроводникового преобразователя
УДК621.039.83
ПРЯМОЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ЭНЕРГИИ β-РАСПАДА В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ / А.В. Лакалин [и др.] // Микроэлектроника (РАН) .— 2017 .— №1 .— С. 23-31 .— URL: https://rucont.ru/efd/593612 (дата обращения: 10.04.2025)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

21–29 ТЕХНОЛОГИИ МИКРОИ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ УДК :621.039.83 ПРЯМОЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ЭНЕРГИИ β-РАСПАДА В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ © 2017 г. С. <...> 5а E-mail: bulyar2954@mail.ru Поступила в редакцию 04.07.2016 г. Проведено сопоставление эффективности источников питания, изготовленных на основе источников β-излучения и выявление факторов, снижающих коэффициент полезного действия приборов. <...> Представлены результаты экспериментальных исследований и расчетов эффективности прямого преобразования энергии источников β-излучения Ni-63 в электрическую с помощью кремниевых p–i–n-диодов. <...> Получено выражение для напряжения холостого хода преобразователя с учетом распределения электронов высоких энергий в области пространственного заряда p–i–n-диода. <...> Показаны пути оптимизации параметров преобразователя за счет совершенствования технологии изготовления диодов, оптимизации толщины активного слоя излучателя и i-области полупроводникового преобразователя. <...> Устройства с непрямым преобразованием энергии, используют люминофоры, в которых энергия излучения преобразуется в световую, а затем в электрическую с помощью фотоэлементов [1]. <...> Прямое преобразование заключается в генерации электронно-дырочных пар в области пространственного заряда полупроводникового прибора. <...> В этом случае β-электроны генерируют в полупроводнике электронно-дырочные пары, которые разделяются электрическим полем р–п-перехода или контакта металл-полупроводник [2–4]. <...> Рисованый3 , статком этих устройств, использующих р–п-переходы и барьеры Шоттки, является высокое самопоглощение электронов высоких энергий источниками β-излучения на основе Ni-63 и дитритида титана – TiT2. <...> Так, например, на основе изотопа Ni-63 можно создать источники питания со сроком службы более 30 лет [2]. <...> Анализ научной литературы [1–8] показывает, что преимущество имеют структуры с изотопами, которые имеют меньший период полураспада. <...> В этом случае число распадов (активность изотопа) в единицу времени больше и выше <...>