116–119 ОБЩАЯ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ТЕХНИКА УДК 621.315.592 АВТОМАТИЗИРОВАННАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ВОЛЬТ-ФАРАДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК В СИСТЕМЕ ЭЛЕКТРОЛИТ–ПОЛУПРОВОДНИК © 2017 г. Д. С. Фролов*, В. И. Зубков** Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. <...> Профессора Попова, 5 *e-mail: dsfrolov@etu.ru **e-mail: vizubkov@mail.eltech.ru Поступила в редакцию 11.11.2015 г. Описана установка для измерения неравновесных вольт-фарадных характеристик в полупроводниковых структурах с электролитическим контактом. <...> Использован импульсный метод, в котором область объемного заряда в режиме глубокого обеднения создавалась путем подачи импульса напряжения смещения. <...> Измерение емкости в неравновесном режиме позволяет избежать образования инверсного слоя в системе электролит–полупроводник, наличие которого приводит к завышению результатов измерения концентрации примеси в узкозонных полупроводниках. <...> Показана возможность применения данной методики для измерения концентрации примеси в слаболегированном n-InAs. <...> DOI: 10.7868/S0032816216060021 ВВЕДЕНИЕ Измерение неравновесных вольт-фарадных характеристик (в.ф.х.) широко применяется при исследовании структур металл–диэлектрик–полупроводник (м.д.п.) для определения концентрации примеси в сильнолегированных структурах [1], измерения концентрации примеси вблизи поверхности полупроводника [2], исследования генерационных процессов [3] и процессов, связанных с деградацией диэлектрика [4]. <...> Использование нестационарного режима измерения в.ф.х. позволяет избежать образования неосновных носителей заряда, генерация которых в равновесных условиях может приводить к образованию инверсного слоя на поверхности полупроводника. <...> Аналогичная проблема с генерацией неосновных носителей заряда имеет место и при исследовании узкозонных полупроводников методом электрохимического вольт-фарадного профилирования, в котором для создания области объемного заряда используется <...>