1 Email: filippov.a@gubkin.ru Поступила в редакцию 14.11.2015 г. Для объяснения асимметрии вольтамперных характеристик ионообменных мембран применена модель “бислойной тонкопористой мембраны” с постоянным распределением ее зарядов по тол щине слоев, которая была ранее предложена для определения диффузионной проницаемости мем бран. <...> В случае одного незаряженного (нейтрального) слоя получена система двух неявных алгебра ических уравнений, позволяющая находить полную вольтамперную характеристику (ВАХ) мембра ны. <...> Впервые получены неявные алгебраические уравнения, позволяющие находить предельные токи при различной ориентации анизотропной мембраны в электродиализной ячейке, а также яв ные выражения для удельной электропроводности мембраны по наклону омического участка ВАХ в приближении “исключенных коионов”. <...> Модель может быть успешно применена к описанию ВАХ перфторированных сульфокатионитовых мембран МФ4СК, поверхностные слои которых моди фицированы полианилином или галлуазитом. <...> ВВЕДЕНИЕ В работах [1–3] нами была предложена модель “бислойной тонкопористой мембраны”, позво ляющая описывать массоперенос через асиммет ричную мембрану с учетом различия физикохи мических свойств слоев. <...> Было показано, что раз ность эффективных плотностей фиксированных зарядов в слоях мембраны является главным фактором, определяющим степень асимметрии диффузионной проницаемости. <...> Обоснован ность предложенного подхода была подтвержде на хорошим согласием теоретических расчетов и экспериментальных данных по диффузионной проницаемости обратноосмотических, биполяр ных, составных бислойных и модифицированных ионообменных мембран на полистирольной и перфторированной матрице [1], а также асиммет рии диффузионных характеристик перфториро ванных мембран МФ4СК, поверхностные слои которых модифицированы полианилином (ПАн) [2, 3]. <...> В качестве “нулевого” приближения мы ис пользовали <...>