Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 636225)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Коллоидный журнал  / №3 2016

АСИММЕТРИЯ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ: БИСЛОЙНАЯ МОДЕЛЬ МОДИФИЦИРОВАННОЙ ИОНООБМЕННОЙ МЕМБРАНЫ (200,00 руб.)

0   0
Первый авторФилиппов
Страниц10
ID592801
АннотацияДля объяснения асимметрии вольтамперных характеристик ионообменных мембран применена модель “бислойной тонкопористой мембраны” с постоянным распределением ее зарядов по толщине слоев, которая была ранее предложена для определения диффузионной проницаемости мембран. В случае одного незаряженного (нейтрального) слоя получена система двух неявных алгебраических уравнений, позволяющая находить полную вольтамперную характеристику (ВАХ) мембраны. Впервые получены неявные алгебраические уравнения, позволяющие находить предельные токи при различной ориентации анизотропной мембраны в электродиализной ячейке, а также явные выражения для удельной электропроводности мембраны по наклону омического участка ВАХ в приближении “исключенных коионов”. Модель может быть успешно применена к описанию ВАХ перфторированных сульфокатионитовых мембран МФ-4СК, поверхностные слои которых модифицированы полианилином или галлуазитом
УДК517.958:536.71+532:541.135.1+539.219.3+544.6
Филиппов, А.Н. АСИММЕТРИЯ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ: БИСЛОЙНАЯ МОДЕЛЬ МОДИФИЦИРОВАННОЙ ИОНООБМЕННОЙ МЕМБРАНЫ / А.Н. Филиппов // Коллоидный журнал .— 2016 .— №3 .— С. 120-129 .— URL: https://rucont.ru/efd/592801 (дата обращения: 21.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

1 Email: filippov.a@gubkin.ru Поступила в редакцию 14.11.2015 г. Для объяснения асимметрии вольтамперных характеристик ионообменных мембран применена модель “бислойной тонкопористой мембраны” с постоянным распределением ее зарядов по тол щине слоев, которая была ранее предложена для определения диффузионной проницаемости мем бран. <...> В случае одного незаряженного (нейтрального) слоя получена система двух неявных алгебра ических уравнений, позволяющая находить полную вольтамперную характеристику (ВАХ) мембраны. <...> Впервые получены неявные алгебраические уравнения, позволяющие находить предельные токи при различной ориентации анизотропной мембраны в электродиализной ячейке, а также яв ные выражения для удельной электропроводности мембраны по наклону омического участка ВАХ в приближении “исключенных коионов”. <...> Модель может быть успешно применена к описанию ВАХ перфторированных сульфокатионитовых мембран МФ4СК, поверхностные слои которых моди фицированы полианилином или галлуазитом. <...> ВВЕДЕНИЕ В работах [1–3] нами была предложена модель “бислойной тонкопористой мембраны”, позво ляющая описывать массоперенос через асиммет ричную мембрану с учетом различия физикохи мических свойств слоев. <...> Было показано, что раз ность эффективных плотностей фиксированных зарядов в слоях мембраны является главным фактором, определяющим степень асимметрии диффузионной проницаемости. <...> Обоснован ность предложенного подхода была подтвержде на хорошим согласием теоретических расчетов и экспериментальных данных по диффузионной проницаемости обратноосмотических, биполяр ных, составных бислойных и модифицированных ионообменных мембран на полистирольной и перфторированной матрице [1], а также асиммет рии диффузионных характеристик перфториро ванных мембран МФ4СК, поверхностные слои которых модифицированы полианилином (ПАн) [2, 3]. <...> В качестве “нулевого” приближения мы ис пользовали <...>