Ci Исследование оптических характеристик эпитаксиальных слоев AlGaAs А. В. <...> Никонов, П. С. Скребнева, Н. И. Яковлева Проведено исследование и моделирование спектральных зависимостей коэффициента поглощения и показателя преломления эпитаксиальных слоев AlGaAs различного состава. <...> В рамках модели зонной структуры соединений группы А3В5 установлена зависимость диэлектрической проницаемости от критических энергий прямых и непрямых переходов. <...> Ключевые слова: алюминий-галлий-арсенид, диэлектрическая проницаемость, матричный элемент перехода, показатель преломления, коэффициент поглощения. <...> Введение Одним из наиболее перспективных методов регистрации инфракрасного излучения в настоящее время является ИК-детектирование на основе гетероэпитаксиальных структур с множественными квантовыми ямами (КЯ) или Quantum Well Infrared Photodetectors (QWIP), Использование фотоприемников на основе QWIP-структур позволяет создавать крупноформатные матричные фотоприемные устройства. <...> Матрицы на квантовых ямах (QWIP-матрицы) составляют серьезную конкуренцию фотоприемникам, выполненным на основе теллурида кадмияртути (КРТ) в диапазоне 8–12 мкм [1]. <...> Наибольшее распространение получили квантово-размерные гетероструктуры на основе соединений группы A3B5 , В частности, наибольшую перспективу для применения в технологии создания фотоприемных устройств на основе QWIP-структур имеют твердые растворы на основе арсенида галлия. <...> Потенциальная перспективность таких гетероструктур заключается в высоком уровне развития технологии выращивания Никонов Антон Викторович1,2, начальник НИЦ, зам. зав. кафедрой, к.ф.-м.н. <...> Статья поступила в редакцию 15 декабря 2016 г. © Никонов А. В., Скребнева П. С., Яковлева Н. И., 2017 эпитаксиальных слоев GaAs различными эпитаксиальными методами (молекулярно-лучевая и жидкофазная эпитаксии), а также в возможности высокого уровня интеграции фотоприемных элементов и электронных элементов обработки сигналов. <...> Решающим преимуществом <...>