Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 588427)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника  / №1 2017

Расчет влияния параметров шунтов на эффект dV/dt в мощных фототиристорах (250,00 руб.)

0   0
Первый авторСилкин
АвторыПадеров В.П.
Страниц6
ID588822
АннотацияПредставлен расчет влияния топологических параметров шунтов в катодных областях фототиристора на эффект dV/dt. Получено аналитическое условие, позволяющее в первом приближении определить, в какой области начнется включение структуры из-за эффекта dV/dt. Полученное условие может быть использовано при проектировании фототиристоров со встроенной защитой от разрушения при неконтролируемом включении, вызванном эффектом dV/dt
УДК621.382
Силкин, Д.С. Расчет влияния параметров шунтов на эффект dV/dt в мощных фототиристорах / Д.С. Силкин, В.П. Падеров // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2017 .— №1 .— С. 34-39 .— URL: https://rucont.ru/efd/588822 (дата обращения: 05.07.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

УДК 621.382 Расчет влияния параметров шунтов на эффект dV/dt в мощных фототиристорах Д.С. Силкин, В.П. Падеров Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. <...> Paderov National Research Mordovia State University, Saransk, Russia Представлен расчет влияния топологических параметров шунтов в катодных областях фототиристора на эффект dV/dt. <...> Получено аналитическое условие, позволяющее в первом приближении определить, в какой области начнется включение структуры из-за эффекта dV/dt. <...> Полученное условие может быть использовано при проектировании фототиристоров со встроенной защитой от разрушения при неконтролируемом включении, вызванном эффектом dV/dt. <...> Высоковольтные фототиристоры в последовательном соединении применяются, в частности, в высоковольтных линиях передачи электроэнергии на постоянном токе. <...> Одним из требований к этим приборам является наличие встроенной защиты от перенапряжения и эффекта dV/dt. <...> При нарастании прямого напряжения на тиристорной структуре, находящейся в выключенном состоянии, ток смещения, протекающий через барьерную емкость обратносмещенного перехода p-база – n-база, вызывает самопроизвольное включение структуры. <...> В силовых высоковольтных фототиристорах с рабочими токами несколько килоампер включение осуществляется вспомогательными структурами – усилительными за Д.С. Силкин, В.П. Падеров, 2017 Известия вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 1 2017 35 Д.С. Силкин, В.П. Падеров творами (amplifying gate) [2], которые обеспечивают большой ток включения и высокую скорость распространения включенного состояния в области основного катода. <...> Если спроектировать прибор так, чтобы при возникновении эффекта dV/dt первыми включались усилительные затворы, то структура будет открываться в режиме, близком к нормальному, что обезопасит ее от разрушения [3]. <...> 1 показан маршрут распространения тока смещения в тиристорной структуре. <...> В области усилительных затворов отсутствует электрический контакт с внешней схемой, поэтому <...>