Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 588427)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника  / №1 2017

Интегральный варикап повышенной емкости на основе пористого кремния (250,00 руб.)

0   0
Первый авторТимошенков
АвторыБойко А.Н., Гаев Д.С., Калмыков Р.М.
Страниц5
ID588819
АннотацияРассмотрена возможность применения пористого кремния при создании варикапов с большим коэффициентом перекрытия по емкости, удовлетворяющих требованиям микроэлектроники и микросистемной техники. Описана технология изготовления конденсаторных структур с применением гальванического осаждения меди в поры пористого кремния. Исследованы морфологические особенности экспериментальных структур, определена удельная емкость варикапов. Показана перспективность применения варикапов на основе пористого кремния в интегральной электронике
УДК592.546.28:539.21.621.79:621.38
Интегральный варикап повышенной емкости на основе пористого кремния / С.П. Тимошенков [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2017 .— №1 .— С. 14-18 .— URL: https://rucont.ru/efd/588819 (дата обращения: 05.07.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ INTEGRATED ELECTRONICS ELEMENTS УДК 592.546.28:539.21.621.79:621.38 Интегральный варикап повышенной емкости на основе пористого кремния С. <...> Х.М. Бербекова, г. Нальчик, Россия Integrated High-Capacity Varicap Based on Porous Silicon S.P. <...> Kalmykov2 1National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russia 2Kabardino-Balkarian State University, Nalchik, Russia Рассмотрена возможность применения пористого кремния при создании варикапов с большим коэффициентом перекрытия по емкости, удовлетворяющих требованиям микроэлектроники и микросистемной техники. <...> Описана технология изготовления конденсаторных структур с применением гальванического осаждения меди в поры пористого кремния. <...> Исследованы морфологические особенности экспериментальных структур, определена удельная емкость варикапов. <...> Показана перспективность применения варикапов на основе пористого кремния в интегральной электронике. <...> Ключевые слова: пористый кремний; интегральный конденсатор; варикап; гальваническое осаждение; электрохимическое анодирование кремния. <...> The possibility of applying porous silicon in creation of varicaps with high capacitance ratio, satisfying the requirements of microelectronic and macrosystem technology, has been investigated. <...> The capacitor structures using the copper galvanic deposition to porous silicon pores have been presented. <...> The obtained results demonstrate the prospects of application of varicaps based on porous silicon in integrated electronics. <...> Актуальная задача развития современной электроники, расширения ее элементной базы – создание интегральных конденсаторов с повышенной емкостью. <...> Конденсаторы с управляемой емкостью, или варикапы, применяются в электронной аппаратуре для перестройки частоты и частотной модуляции, в системах автономного питания, а также в других устройствах. <...> В субвольтовой области тонкопленочные конденсаторы традиционных конструкций не могут быть масштабированы из-за экспоненциального роста туннельного тока утечки через слой диэлектрика нанометровой толщины. <...> Эту задачу можно успешно решить, используя планарные электроды с развитой поверхностью. <...> Для создания варикапов нового типа перспективно применение пористого кремния <...>