53, № 2 УДК 621.382.2/3 РАЗРАБОТКА ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ВОЛНОВОДНОГО ФОТОДЕТЕКТОРА, СОСТАВЛЕННОГО ИЗ ДИОДОВ ШОТТКИ, НА СТРУКТУРЕ Ge—Si С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ Ge ДЛЯ ПОРТАТИВНЫХ ТЕРМОФОТОГЕНЕРАТОРОВ∗ Н. А. <...> Ленина, 36 E-mail: pakhanov@isp.nsc.ru Показана возможность создания высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Au/Ge—Si с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к кремниевой матрице, обеспечивающая существенное увеличение внешнего квантового выхода и напряжения холостого хода. <...> На таком фотодетекторе продемонстрировано значительное увеличение и расширение фоточувствительности вплоть до λ = 2,1 мкм, что совпадает с основным диапазоном излучения чёрного (серого) тела при практически используемых в термофотогенераторах температурах эмиттеров 1200–1700 ◦С. <...> Установлено, что ниже края поглощения Si фотоответ на рассматриваемых фотодетекторах определяется двумя основными механизмами: поглощением на ансамбле квантовых точек Ge и эмиссией Фаулера. <...> Анализ спектров комбинационного рассеяния на оптических фононах структур Ge—Si показал, что величина квантовой эффективности фотодетекторов на их основе в первом случае обусловливается степенью неоднородной релаксации напряжений в массиве квантовых точек Ge. <...> Фотоответ, связанный именно с квантовыми точками Ge, проявляется на диодах Шоттки со сверхтонким промежуточным окисным слоем SiO2, который устраняет второй механизм. <...> При дальнейшей разработке предложенная архитектура фотодетектора с псевдоморфными квантовыми точками Ge может быть использована как для портативных термофотогенераторов, так и для волоконно-оптических систем передачи информации на длинах волн, отвечающих основным телекоммуникационным стандартам (λ = 0,85, 1,3 и 1,55 мкм), на основе кремниевой технологии. <...> На протяжении полувека существования термофотовольтаика уверенно занимает свою достаточно специфическую нишу в преобразовании энергии теплового излучения в электрическую <...>