Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634558)
Контекстум
.
Датчики и системы. Sensors & Systems  / №5 2015

БИБЛИОГРАФИЯ (150,00 руб.)

0   0
Страниц2
ID581623
АннотацияГалушкин А. И. Мемристоры в развитии высокопроизводительной вычислительной техники // Информационные технологии. — 2015. — Т. 21, № 2. — С. 146—156. Излагается мнение автора о перспективах развития данного направления сверхпроизводительной вычислительной техники в связи с появлением мемристоров. Из Википедии: Мемриґстор (англ. memristor, от memory — память, и resistor — электрическое сопротивление) — пассивный элемент в микроэлектронике, способный изменять свое сопротивление в зависимости от протекавшего через него заряда (интеграла тока за время работы).
БИБЛИОГРАФИЯ // Датчики и системы. Sensors & Systems .— 2015 .— №5 .— С. 57-58 .— URL: https://rucont.ru/efd/581623 (дата обращения: 18.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Мемристоры в развитии высокопроизводительной вычислительной техники // Информационные технологии. <...> Излагается мнение автора о перспективах развития данного направления сверхпроизводительной вычислительной техники в связи с появлением мемристоров. <...> Из Википедии: Мемри ´ стор (англ. memristor, от memory — память, и resistor — электрическое сопротивление) — пассивный элемент в микроэлектронике, способный изменять свое сопротивление в зависимости от протекавшего через него заряда (интеграла тока за время работы). <...> Возможности масштабирования традиционных запоминающих устройств уже близки к предельным, и гарантировать их надежность становится труднее. <...> Поэтому все больше требуются универсальные решения, которые позволят создавать устройства памяти, пригодные для эффективного применения в различных приложениях. <...> В статье рассматриваются новые решения существующих и перспективных схем памяти, которые смогут успешно заменить современные запоминающие устройства. <...> Рассматриваются новые перспективные энергонезависимые схемы памяти для твердотельных накопителей (на основе памяти на фазовых переходах (PCM), магниторезистивной памяти (MRAM), в том числе с переносом спинового момента (STT-MRAM), резистивной памяти или мемристора (ReRAM, memristor)) и вероятность “смерти” флеш-памяти. <...> “Плюс” означает, что мы не ограничиваемся лишь библиографической ссылкой, а добавляем для большей информативности еще нечто существенное: выдержки из аннотации или текста, комментарий, ссылки на другую релевантную информацию и т. п. <...> Контроль технического состояния сложных объектов на основе принципа информационной избыточности // Измерительная техника. <...> “Разработаны системы контроля технического состояния сложных технических объектов при возникновении нештатных ситуаций, проанализирована задача наблюдаемости таких ситуаций и ее решение на основе принципа информационной избыточности. <...> Предложена технология нештатных ситуаций <...>