Advanced Trench HiGT IGBT с разделенным p-слоем для улучшения управляемости и устойчивости к нежелательным, но возможным воздействиям (50,00 руб.)

Силовая электроника, № 1’2017 Силовая элементная база Advanced Trench HiGT IGBT с разделенным p-слоем для улучшения управляемости и устойчивости к нежелательным, но возможным воздействиям В статье рассматривается структура чипа Advanced Trench HiGT (IGBT с высокой проводимостью), представлены характеристики новых Advanced Trench HiGT модулей с рабочим напряжением 1700 В. <...> Особенностью новой структуры является глубокий, выполненный отдельно от затвора плавающий рслой, который, благодаря такому исполнению, оказывает значительно меньшее влияние на пазы затвора и на характеристику переключения, что значительно облегчило управление модулем со стороны затвора. <...> Новый модуль при экспериментальной проверке продемонстрировал при включении снижение на 25% скорости нарастания dV/dt при тех же самых потерях, как и у прототипа такого модуля с пазовым затвором, но по технологии trench HiGT. <...> Кроме того, подтверждено снижение скорости dV/dt и при выключении транзистора, достаточно широкая область безопасной работы SOA (Safety Operation Area) и устойчивость к коротким замыканиям третьего типа. <...> Mori) Перевод: Владимир Рентюк Введение Биполярные транзисторы с изолированным затвором (Insulated-Gate Bipolar Transistor, IGBT) широко используются в различных системах преобразования электроэнергии (инверторах), а также в блоках питания и системах электроприводов. <...> В соответствии с последними тенденциями в области развития силовой электроники транзисторы этого типа были значительно улучшены. <...> Современные IGBT выпускаются как с планарными МОП-затворами (МОПзатвор — изолированный затвор типа металл– окисел–полупроводник), так и с МОП-затворами в виде паза (trench — «паз»). <...> Последние используются в миниатюрных устройствах и предназначены, в основном, для работы при средних уровнях рабочего напряжения и высокой плотности тока. <...> Компания разработала IGBT-приборы типа Trench HiGT, обладающие низкими потерями при сохранении высокой устойчивости к нежелательным, но возможным при работе IGBT воздействиям <...>