53, № 1 УДК 51-73, 519-245 СТОХАСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕКОМБИНАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В ДВУМЕРНЫХ И ТРЁХМЕРНЫХ НЕОДНОРОДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ. <...> Сабельфельд, А. Е. Киреева Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. <...> Академика Лаврентьева, 6 E-mail: karl@osmf.sscc.ru kireeva@ssd.sscc.ru Представлены стохастические модели рекомбинации электронов и дырок в неоднородном полупроводнике в двумерном и трёхмерном случаях, разработанные на основе двух подходов: дискретного (клеточный автомат) и непрерывного (метод Монте-Карло). <...> Описана математическая модель рекомбинации электронов и дырок, построенная на базе системы неоднородных по пространству нелинейных интегродифференциальных уравнений типа Смолуховского. <...> Изложены непрерывный алгоритм метода Монте-Карло и дискретный клеточно-автоматный алгоритм, использующиеся для моделирования рекомбинации частиц в полупроводнике. <...> В последнее время интенсивно исследуются процессы рекомбинации, протекающие в неоднородных полупроводниках, в целях создания новых полупроводниковых материалов с улучшенными характеристиками, а также расширения области их применения. <...> Широкозонный полупроводник нитрид галлия (GaN) является одним из таких перспективных материалов для разработки полевых транзисторов и современной оптоэлектроники [3]. <...> В [4–7] создана стохастическая модель рекомбинации электронов и дырок в неоднородном полупроводнике GaN, где под неоднородностью понимается пространственная неоднородность, возникающая из-за дефектов и случайного распределения электронов и дырок в объёме полупроводника. <...> Частицы аннигилируют друг с другом путём туннелирования, а также при непосредственном столкновении вследствие диффузии. <...> Кроме того, при наличии различных дефектов и дислокаций, которые всегда имеются даже в самых чистых материалах, важно учитывать нерадиационную рекомбинацию электронов и дырок в таких рекомбинационных центрах <...>