Приводятся результаты исследования проводимости гетероструктур на основе ДУ ЛЦУ типа А1-ЛЦУ-А1 и p-Si-ЛЦУ-А! <...> . Продемонстрировано, что структура А1-ЛЦУ-А1 имеет нелинейный омический контакт с высотой потенциального барьера ~ 0.7 эВ. <...> Показано, что в гетероструктуре p-Si-ЛЦУ-А! реализуется надбарьерный механизм инжекции электронов в ЛЦУ (по Шоттки) в прямом направлении и туннельный эффект (по моделаи Фаулера-Нордгейма) в обратном! <...>