Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634840)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Микроэлектроника (РАН)

Микроэлектроника (РАН) №6 2017 (916,50 руб.)

0   0
Страниц80
ID557452
АннотацияОснован в 1972 г. Публикуются статьи, посвященные технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии, травлению, легированию, осаждению и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях, плазменным технологиям, молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость.
Микроэлектроника (РАН) .— Москва : НАУКА .— 2017 .— №6 .— 80 с. — URL: https://rucont.ru/efd/557452 (дата обращения: 26.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Основан в 1972 г. Публикуются статьи, посвященные технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. <...> Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии, травлению, легированию, осаждению и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях, плазменным технологиям, молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. <...> Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. <...> Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость. <...>
Микроэлектроника_№6_2017.pdf
СОДЕРЖАНИЕ Том 46, номер 6, 2017 КВАНТОВАЯ ИНФОРМАТИКА Разработка адекватных моделей оптических квантовых состояний на основе квадратурных измерений Ю. И. Богданов, Н. А. Богданова, Л. В. Белинский, В. Ф. Лукичев Однофотонный отклик и спектроскопия фотонной молекулы на основе алмазных микроколец А. В. Цуканов, М. С. Рогачев, И. Ю. Катеев МОДЕЛИРОВАНИЕ Электромагнитное моделирование, технология и изготовление СВЧ C3MOSHFET переключателей на AlGaN/GaN гетероструктурах А. С. Адонин, А. Ю. Евграфов, В. М. Миннебаев, Н. Г. Иващенко, А. В. Мяконьких, А. Е. Рогожин, К. В. Руденко Использование конечно-элементного моделирования для расчета CV-характеристики конденсаторного МЭМС-микрофона Д. М. Григорьев, И. В. Годовицын, В. В. Амеличев, С. С. Генералов, С. А. Поломошнов ПРИБОРЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ Монолитные интегральные схемы малошумящих усилителей сантиметрового диапазона на гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN/SiC Ю. В. Федоров, Д. Л. Гнатюк, А. В. Зуев, М. В. Майтама аИнтегральная эффективность оптико-терагерцовой конверсии в фотопроводящих нтеннах на основе LT GaAs и In0.38Ga0.62As И. А. Глинский, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев Особенности электронной структуры молекулярных переключателей и разветвителей на основе транс-полиацетилена А. А. Горбацевич, М. Н. Журавлев, Т. С. Катаева ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ Разработка технологии магнетронного нанесения пленок LiPON и исследование их характеристик С. В. Васильев, М. Е. Лебедев, Л. А. Мазалецкий, А. В. Метлицкая, А. А. Мироненко, В. В. Наумов, А. В. Новожилова, А. С. Рудый, И. С. Федоров МЕТРОЛОГИЯ Влияние параметров измерительного сигнала на погрешность измерений емкости p–n-перехода и определения его радиационной стойкости И. Ю. Забавичев, С. В. Оболенский 472 462 440 444 451 424 431 403 411
Стр.1