Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634655)
Контекстум
.
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки  / №1 2014

ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НА ВЕРОЯТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА С ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ (90,00 руб.)

0   0
Первый авторБулярский
АвторыЖуков А.В., Игошина А.А.
Страниц9
ID552621
АннотацияАктуальность и цели. В полупроводниках и полупроводниковых соединениях образуются комплексы дефектов. Эти комплексы имеют квазимолекулярную структуру. В таких структурах возможны локальные колебания по типу щелочно-галлоидных кристаллов. В этом случае имеет место сильное электрон-фононное взаимодействие, которое существенно изменяет вероятность перехода. В научной литературе данные эффекты в большинстве случаев не учитываются, что приводит к расхождению теоретических и экспериментальных результатов. Цель данной статьи – показать важный вклад электронфононного взаимодействия и продемонстрировать теоретически и экспериментально методику его оценки Материалы и методы. В работе приводятся результаты квантовомеханических расчетов вероятности электронно-колебательного перехода, проводится моделирование вероятности перехода в зависимости от параметров форм-функции электронного перехода, а также сопоставление теоретических расчетов с экспериментальными результатами. Сочетание таких подходов приводит к высокой достоверности результатов. Эксперимент выполняется на важном для современной техники материале – GaAs. Это повышает актуальность данной работы. Результаты. Теоретически и экспериментально показано, что электронфононное взаимодействие увеличивает вероятность электронных переходов с участием глубоких уровней. В работе получено выражение для вероятности электронно-колебательного перехода. Данная вероятность представляет сверку чисто электронного перехода с выражением для форм-функции оптического перехода, характеризующей электрон-фононное взаимодействие. Показано, что с увеличением дисперсии этой функции вероятность перехода возрастает. Выводы. Экспериментально и теоретически показано, что электронфононное взаимодействие оказывает определяющее влияние на формирование обратных токов на основе арсенида галлия.
УДК621.315
Булярский, С.В. ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НА ВЕРОЯТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА С ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ / С.В. Булярский, А.В. Жуков, А.А. Игошина // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2014 .— №1 .— С. 88-96 .— URL: https://rucont.ru/efd/552621 (дата обращения: 23.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Поволжский регион ФИЗИКА УДК 621.315 С. В. Булярский, А. В. Жуков, А. А. Игошина ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НА ВЕРОЯТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА С ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ Аннотация. <...> В полупроводниках и полупроводниковых соединениях образуются комплексы дефектов. <...> В таких структурах возможны локальные колебания по типу щелочно-галлоидных кристаллов. <...> Цель данной статьи – показать важный вклад электронфононного взаимодействия и продемонстрировать теоретически и экспериментально методику его оценки. <...> В работе приводятся результаты квантовомеханических расчетов вероятности электронно-колебательного перехода, проводится моделирование вероятности перехода в зависимости от параметров форм-функции электронного перехода, а также сопоставление теоретических расчетов с экспериментальными результатами. <...> Эксперимент выполняется на важном для современной техники материале – GaAs. <...> Теоретически и экспериментально показано, что электронфононное взаимодействие увеличивает вероятность электронных переходов с участием глубоких уровней. <...> В работе получено выражение для вероятности электронно-колебательного перехода. <...> Данная вероятность представляет сверку чисто электронного перехода с выражением для форм-функции оптического перехода, характеризующей электрон-фононное взаимодействие. <...> Показано, что с увеличением дисперсии этой функции вероятность перехода возрастает. <...> Экспериментально и теоретически показано, что электронфононное взаимодействие оказывает определяющее влияние на формирование обратных токов на основе арсенида галлия. <...> Ключевые слова: вероятность электронно-колебательного перехода, электрон-фононное взаимодействие, глубокие уровни, форм-функция оптического перехода, арсенид галлия. <...> Igoshina INFLUENCE OF THE ELECTRON-PHONON INTERACTION ON THE RATE OF ELECTRON-VIBRATIONAL TRANSITIONS OF CHARGE CARRIERS FROM DEEPER LEVELS FROM 88 University proceedings. <...> In this case there is a strong electron-phonon interaction, which significantly alters the <...>