М АШИНО СТРОИТЕЛЬ www.mashizdat.ru УДК 621.382.029.64 Попов В.В., канд. техн. наук, президент, ОАО «Светлана» ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОДЛОЖЕК КАРБИДА КРЕМНИЯ В статье представлены результаты экспериментального исследования влияния температурного воздействия на удельное сопротивление подложек полуизолирующего карбида кремния. <...> Подложки полуизолирующего карбида кремния используются для создания эпитаксиальных структур (ЭС) нитрида галлия с целью изготовления СВЧ приборов. <...> Эпитаксия нитрида галлия может осуществляться разными методами HVPE [1], MOCVD [2] или MBE [2]. <...> В зависимости от способа эпитаксии подложка в процессе изготовления ЭС подвергается нагреву до температуры от 500 °С до 1100 °С. <...> В производстве диодов или транзисторов на базе ЭС нитрида галлия происходит нагрев подложки также до температур порядка 1000 °С на операции вжигания омических контактов. <...> Целью настоящей работы является экспериментальное изучение влияния такого температурного режима на удельное сопротивление подложек полуизолирующего карбида кремния. <...> Эксперимент проводился на подложках карбида кремния политипа 6Н-SiC диаметром 3 дюйма, изготовленных из монокристалла, который выращен с добавлением ванадия в качестве компенсирующей примеси. <...> Типичная карта распределения удельного сопротивления, полученная на подложках с помощью установки COREMA-WT [3], приведена на рис. <...> Перед началом измерений подложки предварительно выдерживалась в темноте в течение 40 минут. <...> Сами измерения удельного сопротивления также проводились под светонепроницаемым колпаком для исключения фотоэффекта. <...> Распределение удельного сопротивления по подложке характерно для роста монокристалла из тща38 тельно подготовленного источника и добавления компенсирующей примеси. <...> 1 имеются области (18% площади подложки), в которых удельное сопротивление превышает верхний предел диапазона измерений (1Ч1012 ОмЧсм). <...> В этих областях донорная примесь азот N, по-видимому <...>