Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 638383)
Контекстум
Электро-2024
Машиностроитель  / №9 2012

ПРОГНОЗИРОВАНИЕ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ ГИС И МИС СВЧ НА ЭТАПАХ РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА (300,00 руб.)

0   0
Первый авторГудков
АвторыКирпиченков А.И., Козлов П.С.
Страниц5
ID527885
АннотацияРассмотрена элементная база транзисторных МШУ. Описаны некоторые типы транзисторов. Приведена структурная и эквивалентные схемы транзисторов
УДК621.382
Гудков, А.Г. ПРОГНОЗИРОВАНИЕ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ ГИС И МИС СВЧ НА ЭТАПАХ РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА / А.Г. Гудков, А.И. Кирпиченков, П.С. Козлов // Машиностроитель .— 2012 .— №9 .— С. 49-53 .— URL: https://rucont.ru/efd/527885 (дата обращения: 11.06.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

К. Э. Циолковского» ПРОГНОЗИРОВАНИЕ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ ГИС И МИС СВЧ НА ЭТАПАХ РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА Часть 31. <...> Элементная база транзисторных МШУ в МИС Рассмотрена элементная база транзисторных МШУ. <...> Шокли теоретически описал полевой транзистор, патент на конструкцию которого был выдан в 1930 году. <...> Но только в 1966 году были опубликованы работы с результатами экспериментальных исследований первых арсенидгаллиевых ПТШ, серийное производство которых началось в 1971 году. <...> 1 приведена структура ПТШ и схема его включения. <...> При подаче положительного напряжения на контакт стока по отношению к истоку в n-слое GaAs начинает протекать электронный ток в направлении от истока к стоку. <...> 9 разуется обедненная область, в которой электроны практически отсутствуют. <...> Толщина этой области изменяется при варьировании напряжения между стоком и истоком. <...> При увеличении отрицательного (запирающего) напряжения между затвором и истоком может наступить смыкание канала, что уменьшает ток практически до нуля. <...> Таким образом принцип действия ПТШ основан на управлении величиной тока основных носителей в канале транзистора с помощью напряжения, приложенного к затвору. <...> Для качественного рассмотрения основных параметров ПТШ на рис. <...> ; СТРОИТЕЛЬ www.mashizdat.ru М АШИНО СТРОИТЕЛЬ www.mashizdat.ru КАЧЕСТВО а) б) ная эквивалентная схема транзистора для малого сигнала. <...> единице: Т СВЧ транзисторов, может охарактеризовать граничная частота fТ f 22 ,lV == = 1 З Vl = З где V – скорость электронов. <...> 50 Частотные свойства ПТШ, как и других типов , на которой модуль h21И равен (2) Рис. <...> Полевой транзистор с затвором на барьере Шотки: а – структура ПТШ; б – схема подключения ПТШ Анализ (1) и (2) показывает, что шумовые и частотные свойства ПТШ при пределе скорости электронов Vнас длины затвора. <...> У серийных ПТШ в 80 – 90 годы длина затвора lЗ = 1,4 · 105 м/с улучшаются при уменьшении составляет 0,25…0,5 мкм, их шумовые и усилительные параметры приведены в таблице 1. <...> Ток в ПТШ течет не через p-n <...>