К. Э. Циолковского» ПРОГНОЗИРОВАНИЕ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ ГИС И МИС СВЧ НА ЭТАПАХ РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА Часть 30. <...> Элементная база транзисторных МШУ в МИС Рассмотрена элементная база транзисторных МШУ. <...> Шокли теоретически описал полевой транзистор, патент на конструкцию которого был выдан в 1930 году. <...> Но только в 1966 году были опубликованы работы с результатами экспериментальных исследований первых арсенид-галлиевых ПТШ, серийное производство которых началось в 1971 году. <...> 1 приведена структура ПТШ и схема его включения. <...> При подаче положительного напряжения на контакт стока по отношению к истоку в n-слое GaAs начинает протекать электронный ток в направлении от истока к стоку. <...> Под контактом затвора образуется обедненная область, в которой электроны практически отсутствуISSN 0025-4568. <...> Толщина этой области изменяется при варьировании напряжения между стоком и истоком. <...> При увеличении отрицательного (запирающего) напряжения между затвором и истоком может наступить смыкание канала, что уменьшает ток практически до нуля. <...> Таким образом принцип действия ПТШ основан на управлении величиной тока основных носителей в канале транзистора с помощью напряжения, приложенного к затвору. <...> Для качественного рассмотрения основных параметров ПТШ на рис. <...> 2 представлена упрощенная эквивалентная схема транзистора для малого сигнала. <...> Полевой транзистор с затвором на барьере Шотки: а) - структура ПТШ; б) - схема подключения ПТШ а) б) где V – скорость электронов. <...> Анализ (1) и (2) показывает, что шумовые и частотные свойства ПТШ при пределе скорости электронов Vнас = 1,4 · 105 м/с улучшаются при уменьшении длины затвора. <...> У серийных ПТШ в 80 90 годы длина затвора lЗ ток; RВН Рис. <...> Малосигнальная схема ПТШ: S - крутизна; ССЗ противление металлизации затвора; RИ - сопротивление части канала между истоком и затвором, не перекрытой обедненным слоем; RЗ - емкость сток-затвор; СЗИ тивление частей n-слоя на участок исток-затвор и затвор-сток, которые <...>