УДК 621.382.323 ВОЗДЕЙСТВИЕ СВЕРХКОРОТКИХ ИМПУЛЬСНЫХ ПЕРЕГРУЗОК НА ПТШ, ИЗГОТОВЛЕННЫЕ НА ПОЛУИЗОЛИРУЮЩИХ ПОДЛОЖКАХ ИЗ РАЗНЫХ ПАРТИЙ А. М. <...> Бобрешов, И. С. Коровченко, В. А. Степкин, Г. К. Усков Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 21.03.2011 г. Аннотация: Проведено экспериментальное исследование обратимых эффектов воздействия сверхкоротких видеоимпульсов на арсенид-галлиевые транзисторы с затвором Шоттки. <...> Особенное внимание уделяется влиянию разброса технологических параметров полуизолирующих подложек в рамках допусков современного производства на количественные характеристики обратимых эффектов. <...> Ключевые слова: обратимые эффекты, сверхкороткий видеоимпульс, полуизолирующая подложка, глубокие уровни, полевой транзистор с затвором Шоттки, малошумящий усилитель. <...> Abstract: Experimental investigation of GaAs MESFET under ultra-short pulses exposure was carried out. <...> Key words: recovery eff ects, ultra-short pulses, semi-insulated substrate, deep levels, GaAs MESFET, low-noise amplifi er. <...> ВВЕДЕНИЕ* Устойчивая работа входных малошумящих усилителей (МШУ) при воздействии помех различного типа во многом определяется сохранением на приемлемом уровне его функциональных характеристик. <...> В работах [1, 2] рассматривалось влияние на МШУ последовательности сверхкоротких видеоимпульсов (СКВИ), длительность которых составляет сотни пикосекунд. <...> Воздействие СКВИ выражается во временном ухудшении работы усилителей, причиной которого являются обратимые эффекты в активных элементах усилителей. <...> В современной радиоэлектронике наиболее широкое применение в качестве активных элементов МШУ получили арсенид-галлиевые полевые транзисторы с затвором Шоттки (ПТШ). <...> Присутствие СКВИ на входе ПТШ приводит к перераспределению объемного заряда в полуизолирующей подложке подобно эффекту обратного управления по подложке (backgating) [1 – 3] и связано с глубокими уровнями. <...> Характерное время рассасывания объемного заряда зависит от концентрации глубоких © Бобрешов А. М., Коровченко И. С., Степкин В. А., Усков <...>