УДК 531.992 НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭФФЕКТЫ ГИСТЕРЕЗИСНОГО ТИПА, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ПЕРЕЗАРЯДКОЙ ГЛУБОКОУРОВНЕВЫХ ЦЕНТРОВ В ЗАПРЕЩЁННОЙ ЗОНЕ ПОЛУПРОВОДНИКА А. В. <...> Буданов* * *** , Е. А. Татохин* , Е. В. Руднев** , М. Е. Семёнов*** Воронежская государственная технологическая академия ** Воронежский государственный университет Воронежский государственный технический университет Поступила в редакцию 22.12.08 Аннотация. <...> В работе предложен гистерезисный преобразователь, относящийся к классу гистеронов Маделунга, описывающий детерминировано-стохастический процесс перезарядки системы глубокоуровневых центров в запрещенной зоне полупроводника, состоящей из донорного уровня и акцепторной ловушки, а также рассмотрены некоторые его свойства. <...> Показано, что явление самонакопления заряда полупроводниковыми приборами определяется процессами обмена носителями заряда, как между глубокими уровнями, так и между глубокоуровневыми центрами и обеими разрешенными зонами. <...> ВВЕДЕНИЕ никновение его объясняется влиянием зарядовых состояний в диэлектрике и на интерфейсах металл-диэлектрик, диэлектрик-полупроводник, которые при определенных условиях могут © Буданов А. В., Татохин Е. А., Руднев Е. В., Семёнов М. Е., 2009 28 Нелинейные зависимости гистерезисного типа повсеместно возникают в различных областях физики. <...> Несколько иные гистерезисные эффекты наблюдаются на вольт-фарадных характеристиках (ВФХ) и вольт-амперных характеристиках (ВАХ) различных полупроводниковых гетероструктур. <...> Отличие этих гистерезисных нелинейностей от вышеназванных обусловлено тем, что их существование не может быть объяснено в рамках представлений о доменах. <...> Во-вторых, гистерезис на ВФХ и ВАХ в многослойных наноразмерных или варизонных гетероструктурах. <...> Процессы перехода зарядов из одной потенциальной ямы в другую и в разрешенные зоны также могут приводить к нелинейностям гистерезисного типа. <...> 1, может свидетельствовать о процессе самонакопления заряда <...>