УДК: 621.328.416 ВЛИЯНИЕ КОНСТРУКТИВНЫХ ПАРАМЕТРОВ И РЕЖИМА ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ AlGaAs/GaAs БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ГЕТЕРОПЕРЕХОДОМ НА НЕЛИНЕЙНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВХОДНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ А. М. <...> Бобрешов, Л. И. Аверина, А. В. Хрипушин Воронежский государственный университет В работе исследовано влияние электрофизических, геометрических параметров и режима по постоянному току AlGaAs/GaAs биполярного транзистора с гетеропереходом на его верхнюю границу динамического диапазона по блокированию с учетом изменения коэффициента усиления. <...> На основе проведенного исследования предложен подход к выбору параметров для улучшения характеристик электромагнитной совместимости усилителей на биполярных транзисторах с гетеропереходом. <...> ВВЕДЕНИЕ Биполярные транзисторы с гетеропереходом (HBT) в настоящее время нашли широкое применение в системах коммуникационной связи. <...> Из-за малости коэффициента шума, большого коэффициента усиления и высокой линейности они используются как в малошумящих усилителях (МШУ), так и в усилителях мощности СВЧ диапазона. <...> Их преимуществом также является однополярное питание (по сравнению с необходимостью в отрицательном напряжении на затворе для полевых транзисторов), что существенно упрощает схемотехнику. <...> С ростом интереса к проблемам электромагнитной совместимости (ЭМС), наряду с коэффициентом усиления Ку , важной характеристипомощью простых инженерных формул рассчитать с приемлемой точностью величины ВГДД по линейности, интермодуляции, перекрестным искажениям и др. <...> . 2006 14 кой входных усилителей становится верхняя граница динамического диапазона (ВГДД) по блокированию Dбл . <...> Этот параметр позволяет с Целью работы является исследование влияния электрофизических, геометрических параметров и режима по постоянному току на величину динамического диапазона по блокированию с учетом коэффициента усиления. <...> АНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ HBT ТРАНЗИСТОРА Схематичная структура HBT выглядит следующим образом <...>