Математика, 2005, ¹1 УДК 621.382.3 ВЛИЯНИЕ ФЛУКТУАЦИЙ ВСТРОЕННОГО ЗАРЯДА НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП СТРУКТУР Т. Г. Меньшикова, А. Е. Бормонтов, В. В. Ганжа Воронежский государственный университет Исследована форма вольт-фарадных характеристик МДП структур при наличии статистических флуктуаций встроенного в диэлектрик заряда. <...> Рассмотрено влияние зарядовых флуктуаций на энергетический спектр плотности поверхностных состояний и другие параметры МДП структур. <...> Показано, что при использовании обычных емкостных методик определения плотности поверхностных состояний наличие флуктуаций может привести как к завышенной оценке ее величины (в режимах обогащения и инверсии), так и заниженной оценке (в режиме обеднения), проявляясь в последнем случае в форме «отрицательной» плотности. <...> Учет флуктуаций встроенного заряда необходим также для повышения точности контроля других электрофизических характеристик МДП структур емкостными методами. <...> Неоднородность температурных полей при окислении и отжигах, статистическое распределение по поверхности полупроводника примесей и заряженных центров, а также различные поверхностные загрязнения и дефекты приводят к неоднородному распределению встроенного заряда в МДП структуре [1, 2]. <...> Микронеоднородность заряда и связанные с ней флуктуации поверхностного электростатического потенциала оказывают существенное влияние на электрофизические характеристики МДП структур и приборов на их основе, вызывая ряд нежелательных эффектов деформацию вольт-фарадных характеристик, сдвиг порогового напряжения, уменьшение подвижности носителей тока в инверсионных каналах, изменение динамических и частотных характеристик МДП приборов [13]. <...> Таким образом, учет влияния зарядовых флуктуаций необходим при разработке МДП приборов и интегральных схем. <...> Это особенно важно в связи с уменьшением раз© Меньшикова Т. Г., Бормонтов А. Е., Ганжа В. В., 2005 75 меров активных <...>