УДК 539.23 ПОЛУЧЕНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ НА ПОРИСТЫХ ПОДЛОЖКАХ (ОБЗОР) 2013 г. А.О. Султанов*, Н.И. Каргин*, А. <...> С Гусев*, Г.К. Сафаралиев**, С.М. Рындя*** *Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ, г. Москва **Дагестанский государственный университет, г. Махачкала ***ФГУП «НИФХИ им. <...> Л.Я. Карпова», г. Москва **Dagestan State University, Mahachkala ***Karpov Institute of Physical Chemistry, Moscow Приведены результаты экспериментальных исследований ряда отечественных и зарубежных авторов в области применения пористых подложек для эпитаксиального наращивания гетероструктур приборного качества. <...> Дана справка по методам и условиям получения пористых слоев соединений AIIIBV, SiC и Si. <...> Ключевые слова: пористый кремний; нитрид галлия; эпитаксия; буферный слой; электрохимическое травление; плавиковая кислота. <...> Reference on the methods and conditions of production of porous layers of the AIIIBV, SiC and Si compounds is provided. <...> Введение Соединения AIIIBV При гетероэпитаксии пленок полупроводниковых материалов на монокристаллические подложки основной причиной, препятствующей росту качественных эпитаксиальных слоев, является рассогласование периодов решеток материалов пленки и подложки [1, 2], а также различие температурных коэффициентов линейного расширения [3]. <...> Поэтому для устранения изгиба структур и улучшения кристаллического совершенства растущего слоя на поверхности исходной подложки создается тонкий сильно дефектный слой, который выполняет функцию буфера. <...> Перспективны в роли буферных слоев материалы с пористой структурой, поскольку в этом случае «податливая» подложка подстраивается под постоянную решётки растущего кристалла и снимает напряжения внутри него. <...> В связи с этим большой интерес представляет изучение возможностей использования пористых подложек для эпитаксиального наращивания гетероструктур приборного качества в условиях их размерных несоответствий с решетками наращиваемых материалов [7]. <...> В работе [8] эпитаксиальные слои GaAs и AlGaAs были <...>