ПОВЫШЕНИЕ И КОНТРОЛЬ РАВНОМЕРНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА ТОНКИХ ПЛЕНОК В СВЕРХВЫСОКОВАКУУМНОМ АНАЛИТИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОМ ОБОРУДОВАНИИ (210,00 руб.)

В.А. Васин, Е.Н. Ивашов, С.В. Степанчиков "Повышение и контроль равномерности эпитаксиального роста. <...> УДК 621.523.022 В.А. Васин, Е.Н. Ивашов, С.В. Степанчиков (МИЭМ) E-mail: vacuumwa@ya.ru ПОВЫШЕНИЕ И КОНТРОЛЬ РАВНОМЕРНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА ТОНКИХ ПЛЕНОК В СВЕРХВЫСОКОВАКУУМНОМ АНАЛИТИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОМ ОБОРУДОВАНИИ Разработана математическая модель сложных перемещений исполнительного устройства автоматизированного сверхвысоковакуумного аналитикотехнологического оборудования, позволяющая управлять и контролировать рав номерность эпитаксиального роста тонких пленок в целях ее повышения. <...> Представлены технологические преимуще ства lкоординатных исполнительных устройств в сравнении с планетарными компоновками и основные пути повы шения равномерности получения тонких пленок в вакууме. <...> The mathematical model of difficult movings of an actuation mechanism of the automated superhigh vacuum analyticprocess equipment is developed, allowing to control and inspect uniformity of epitaxial growth of thin films for the purpose of its rise. <...> Technological advantages lcoordinate actuation mechanisms in comparison with planetary arrangings and the main paths of rise of uniformity of reception of thin films in vacuum are presented. <...> Ключевые слова: эпитаксиальный рост, lкоординатное исполнительное устройство, ана литикотехнологическое оборудование, поток испаряемого вещества, тонкие пленки. <...> Key words: epitaxial growth, lcoordinate actuation mechanism, the analyticalprocess equipment, stream of evaporated substance, thin films. <...> Повышение эксплуатационных характеристик обо рудования для производства изделий электронной тех ники достигается за счет применения lкоординатных исполнительных устройств [1]. <...> Кинематические возможности lкоординатных ис полнительных устройств на шесть степеней подвиж ности позволяют эффективно использовать их в сверх высоковакуумном аналитикотехнологическом обору довании эпитаксиального роста тонких пленок [2]. <...> Ис ходными предпосылками при разработке математиче ской модели сложных перемещений lкоординатного исполнительного устройства для процесса эпитакси ального наращивания являются <...>